Составы для изготовления стекла: ....содержащие оксид двухвалентного металла – C03C 3/085

МПКРаздел CC03C03CC03C 3/00C03C 3/085
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C03 Стекло; минеральная и шлаковая вата
C03C Химический состав стекла, глазурей или эмалей; обработка поверхности стекла; обработка поверхности волокон или нитей из стекла, минералов или шлака; соединение стекла со стеклом или с другими материалами
C03C 3/00 Составы для изготовления стекла
C03C 3/085 ....содержащие оксид двухвалентного металла

Патенты в данной категории

ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛА

Изобретение относится к области технологии силикатов и касается производства стекла, которое может быть использовано для изготовления облицовочной плитки. Шихта для получения стекла содержит следующие компоненты, мас.%: сода 5,0-10,0; кварцевый песок 65,0-75,0; вспученный вермикулит 20,0-25,0. Технический результат изобретения - повышение водостойкости стекла. 1 табл.

2432328
патент выдан:
опубликован: 27.10.2011
СТЕКЛО

Изобретение касается составов стекол, которые могут быть использованы в производстве посуды, тары. Стекло содержит, мас.%: SiO2 80,5-82,0; Al2O3 0,5-1,0; MgO 15,5-16,5; SrO 0,4-0,8; Na2O 1,0-1,5; FeO 0,05-0,1; Fe2O3 0,05-0,1. Технический результат - повышение термостойкости стекла. 1 табл.

2424989
патент выдан:
опубликован: 27.07.2011
ТЕРМОСТОЙКОЕ ЖЕЛТОЕ СВЕТОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО

Изобретение относится к составам термостойких желтых стекол для изделий аэродромной техники. Технический результат изобретения заключается в стабилизации светотехнических параметров, а именно, коэффициента светопропускания и координат цветности в интервале температур 20-1750°С стекла, понижении температуры варки, выработки и отжига. Термостойкое желтое светотехническое стекло содержит следующие компоненты, мас.%: SiO2 - 48,0-53,0; Al2O3 - 23,0-27,0; Li 2O - 3,0-4,5; Na2O - 1,5-3,5; Р2О 3 - 2,0-3,5; TiO2 - 6,5-8,0; BaO - 2,5-3,5; CeO2 - 1,5-2,5; Sb2O3 - 0,5-1,0. 2 табл.

2387604
патент выдан:
опубликован: 27.04.2010
ЭЛЕКТРОВАКУУМНОЕ СТЕКЛО

Изобретение относится к составам бессвинцовых электровакуумных стекол и может быть использовано при производстве электроизолирующего стекла для деталей и узлов электровакуумных приборов. Техническая задача изобретения - повышение температуры Тк-100 и снижение температуры размягчения стекла. Электровакуумное стекло имеет следующий состав, мас.%: SiO2 63,05-67,55; Аl2О 3,5-5,3; Ва0 11,5-16,5, Na2O 4,0-8,0; K20 6,0-10,0; Li2O 0,2-1,2; F2 0,2-1,0; CaO 0,2-1,0; ZrO2 0,15-0,3; Fe2O3 0,05-0,1; Sb2O3 0,1-0,3. 1 табл.
2167111
патент выдан:
опубликован: 20.05.2001
СТЕКЛО, НЕ СОДЕРЖАЩЕЕ СВИНЦА, И ПОСУДА И ДЕКОРАТИВНЫЕ ХРУСТАЛЬНЫЕ ИЗДЕЛИЯ ИЗ НЕГО

Настоящее изобретение относится к производству стекла, не содержащего свинца и имеющего плотность не менее 2,9 г/см3, коэффициент преломления - не менее 1,545, и посуде и декоративным хрустальным изделиям из него. Стекло имеет следующий состав, мас. %: SiO2 53-62; SrO не более 3; ZrO2 не более 4; Na2O 2-7, SiO2+Al2O3+ZrO2 56-65; K2O 3-11; Na2O+K2O 8-14; CaO не более 5; BaO 15-19; ZnO 8-13; SrO+BaO+ZnO 27-32; Li2O не более 2; Li2O+Na2O+K2 не более 14; Al2O3 не более 3; SrO+BaO+ZnO не более 32. Стекло может содержать по меньшей мере один оксид переходного или редкоземельного металла в количестве до 0,1%. Технической задачей изобретения является получение стекла, не содержащего свинца и имеющего плотность не менее 2,9 г/см3 и коэффициент преломления не менее 1,545. 2 с. и 7 з.п. ф-лы, 2 табл.
2129100
патент выдан:
опубликован: 20.04.1999
СТЕКЛО ДЛЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ

Использование: для диэлектрической изоляции активных элементов кремниевых интегральных схем и создания структур кремний-на-изоляторе (КНИ) и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Стекло для структур кремний-на-изоляторе имеет следующий состав, в мас.%: оксид кремния 57-70 БФ SiO2, оксид алюминия 10-20 БФ Al2O3, оксид бария 9-25 БФ BaO, оксид стронция 1-12 БФ SrO, оксид циркония 0,1-2 БФ ZrO2, оксид кальция 1-6 БФ SaO, оксид стронция 1-6 БФ GeO2. КЛТР стекол в интервале 20-500oC (34-35)10-7 K-1, диэлектрическая проницаемость при частоте 106 Гц 8-9. 3 табл.
2083514
патент выдан:
опубликован: 10.07.1997
Наверх