Нано-магнетизм, например полное магнитное сопротивление, анизотропное магнитное сопротивление, гигантское магнитное сопротивление или туннельное магнитное сопротивление – B82Y 25/00

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Магнитный теллурсодержащий халькогенид марганца с гигантским магнитосопротивлением MnSe_1-xTe_x, в котором Х=0,1; 0,2, 0,4, включает марганец, селен и теллур при следующем соотношении компонентов соответственно, масс.%: марганец 50, 50, 50; селен 45, 40, 30; теллур 5, 10, 20. Изобретение позволяет разрабатывать на основе теллурсодержащего халькогенида марганца элементы миктоэлектроники, устойчивые к радиации и способные работать в экстремальных условиях, снизить затраты на изготовление материалов. 3 ил., 2 табл.