способ защиты поверхности p-n переходов на основе ванадия

Формула изобретения

Способ защиты поверхности p-n переходов на основе ванадия (V₂O₅), включающий защиту поверхности p-nпереходов на основе ванадия, в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (V₂O₅), отличающийся тем, что процесс ведут при температуре нанесения защитной диэлектрической пленки 1060°С и одновременной подаче водяных паров в кварцевую трубу, содержащей кислород с парциальным давлением 22 мм рт.ст, причем толщина пленки составляет =1,0±0,1 мкм.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты поверхности p-n- переходов.

Известны способы защиты поверхности, сущность которых состоит в том, что поверхность p-n- переходов защищают различными диэлектрическими пленками на основе окислов металлов: циркония, титана, алюминия и бериллия [1].

Основными недостатками этих способов являются неравномерность, высокая температура и длительность процесса.

Целью изобретения является достижение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса.

Поставленная цель достигается использованием защитной диэлектрической пленки на основе ванадия, в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (V₂O₅).

Сущность способа заключается в том, что защита поверхности p-n переходов осуществляется на основе пятиокиси ванадия (V₂ O₅) в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (V ₂O₅). Создание защитной диэлектрической пленки на поверхности кремниевой подложки проводится в печи при температуре -1060°С. В качестве оснастки используется: кварцевая труба и кварцевый парогенератор.

Поставленная цель достигается путем пропускания водяных паров в трубу, содержание кислорода с парциальным давлением 22 мм рт.ст. После окончания процесса кварцевую лодочку с порошком ванадия медленно выдвигают из печи.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной диэлектрической пленки =1,0±0,1 мкм.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс защиты диэлектрической пленкой поверхность p-n переходов пятиокиси ванадия (V₂O₅) проводился в печи, при различных температурах. В качестве оснастки использовалась кварцевая труба, с применением кварцевого парогенератора. Технологический процесс осуществлялся насыщением трубы ванадием в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (V₂O₅), размещенным в кварцевой лодочке, при этом одновременно в кварцевую трубу подаются водяные пары, содержащие кислород с парциальным давлением 28 мм рт.ст. После окончания процесса кварцевую лодочку с порошком ванадия медленно выдвигают из печи.

Температура нанесения защитной пленки 1200°С.

Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина пленки =1,8±0,1 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки -1180°С. Кислород с парциальным давлением 26 мм рт.ст.

Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина пленки =1,6±0,1 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки -1140°С. Кислород с парциальным давлением 24 мм рт.ст.

Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина пленки =1,4±0,1 мкм.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки -1100°С. Кислород с парциальным давлением 22 мм рт.ст.

Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина пленки =1,2±0,1 мкм.

ПРИМЕР 5. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки -1060°С. Кислород с парциальным давлением 22 мм рт.ст.

Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина пленки =1,0±0,1 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить диэлектрическую пленку для защиты поверхности p-n переходов ванадием в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (V₂O₅), при температуре 1060°С и при этом достигается равномерность поверхности, уменьшение длительности процесса.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И. Курносов, В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. -М.: «Высшая школа». 1974. 400 с.