способ получения наноразмерных пленок феррита
Классы МПК: | C30B23/02 выращивание эпитаксиальных слоев C30B23/06 нагревание камеры для осаждения, подложки или испаряемого материала C30B29/22 сложные оксиды C30B29/24 с формулой AMeO3 , где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sс, Cr, Co или Al, например ортоферриты C23C14/28 с использованием волновой энергии или облучения частицами H01F10/20 ферритами B82B3/00 Изготовление или обработка наноструктур B82Y30/00 Нано-технология материалов или поверхностных эффектов, например нано-композиты B82Y40/00 Изготовление или обработка нано-структур |
Автор(ы): | Костишин Владимир Григорьевич (RU), Панина Лариса Владимировна (RU), Морченко Александр Тимофеевич (RU), Читанов Денис Николаевич (RU), Юданов Николай Анатольевич (RU), Адамцов Артём Юрьевич (RU) |
Патентообладатель(и): | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU) |
Приоритеты: |
подача заявки:
2013-09-26 публикация патента:
27.10.2014 |
Изобретение относится к технологии получения наноразмерных пленок мультиферроиков и может найти применение в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, магнитоэлектрических элементов памяти, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров. Способ включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, при этом используют подложку титаната стронция, процесс распыления осуществляют на подогретую до температуры 700-750°C подложку, в процессе распыления осуществляют подачу в область подложки контролируемого потока ионов кислорода, а полученные пленки отжигают в атмосфере кислорода в течение 1,0 час при температуре 500-550°C и нормальном атмосферном давлении. Изобретение позволяет получать монокристаллические наноразмерные пленки мультиферроиков состава BiFeO3 и Rx Bi1-xFeO3 (где R- Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,3 форм.ед.). 1 табл., 1 пр.
Формула изобретения
Способ получения наноразмерных пленок феррита, включающий изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, отличающийся тем, что используется подложка титаната стронция, процесс распыления осуществляется на подогретую до температуры 700-750°C подложку, в процессе распыления осуществляется подача в область подложки контролируемого потока ионов кислорода, а полученные пленки отжигают в атмосфере кислорода в течение 1,0 час при температуре 500-550°C и нормальном атмосферном давлении.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к технологии получения наноразмерных пленок мультиферроиков состава BiFeO3 и Rx Bi1-xFeO3 и может найти применение в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, магнитоэлектрических элементов памяти, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров и других устройств.
Известен способ получения наноразмерных пленок феррита висмута методом химического осаждения из паровой фазы металлорганических соединений (MOCVD) (см. Картавцева М.С. Синтез и свойства тонких эпитаксиальных пленок BiFeO3 и твердых растворов на его основе. Автореферат на соискание уч. ст. к.х.н. М., МГУ, 2008. - 24 с.). Недостатки способа - получение многофазных пленок, токсичность исходных компонентов для здоровья человека, дороговизна способа.
Наиболее близким к предлагаемому является «Способ получения наноразмерных пленок феррита-граната, содержащих Bi» (см.: патент Украины № 66219. Прокопов А.Р., Шапошников А.Н., Каравайников А.В. «Способ получения наноразмерных пленок феррита-граната, содержащих Bi». Бюл. № 24, 2011 г.). Способ включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки ионами аргона, распыление компонентов мишени на подложку и отжиг на воздухе при атмосферном давлении. Недостаток настоящего способа - невозможность получения наноразмерных пленок мультиферроиков состава BiFeO 3 и RxBi1-xFeO3 (где R=Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,3 форм.ед.).
Цель настоящего изобретения - получение наноразмерных пленок мультиферроиков состава BiFeO3 и RxBi1-xFeO 3 (где R=Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,3 форм.ед.).
Поставленная цель достигается тем, что в предлагаемом способе получения наноразмерных пленок феррита, включающем изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, в соответствии с предлагаемым техническим решением используются подложка титаната стронция, ионное распыление и подогрев подложки в процессе напыления пленки до 700-750°C, подача в зону подложки контролируемого потока кислорода и отжиг полученных пленок на протяжении 1,0 час в атмосфере кислорода при температуре 500-550°C при нормальном атмосферном давлении.
Сущность предлагаемого способа состоит в том, что использование подогрева подложки, подача в область подложки контролируемого потока ионов кислорода и последующий отжиг полученных структур в атмосфере кислорода при нормальном атмосферном давлении позволяют получать качественные наноразмерные пленки феррита составов BiFeO 3 и RxBi1-xFeO3 (где R=Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,3 форм.ед.). Использование монокристаллических пластин титаната стронция в качестве подложки позволяет получить монокристаллические пленки ферритов вышеуказанных составов.
Способ реализуется следующим образом. Изготавливается мишень требуемого состава (BiFeO3 или Rx Bi1-xFeO3, где R=Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,3 форм.ед.). Монокристаллическую подложку титаната стронция обрабатывают ионами аргона энергии 10-20 эВ. В вакуумной камере достигают давления (6,5-6,8)·10-4 Па и производят с помощью платинового нагревателя нагрев подложки до температуры 700-750°C. Далее производят осаждение материала мишени на подложку путем распыления мишени пучком аргона с помощью ионного источника (плотность тока пучка ионов j=8-12 мА/см2 , энергия ионов Е=1-3 кэВ). С целью облегчения кристаллизации пленки стехиометрического феррита висмута (чистого или замещенного) в область подложки подается с помощью источника ионов контролируемый поток ионов кислорода. Требуемая толщина пленки регулируется временем распыления. Полученную структуру помещают в печь и отжигают в атмосфере кислорода при температуре 500-550°C при нормальном атмосферном давлении в течение одного часа.
Пример реализации способа
Методом керамической технологии готовили мишени BiFeO3 и RxBi1-x FeO3 (где R=Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,2 форм.ед.). Диаметр мишеней составлял 100 мм. В качестве подложек использовались монокристаллические пластины-подложки титаната стронция SrTiO 3. Процесс получения наноразмерных пленок состава BiFeO 3 и RxBi1-xFeO3 (где R=Nd, La, Pr в количестве 0,1-0,2 форм.ед.) осуществлялся в вакуумной установке, изготовленной на базе установки УВН 3279026. В вакуумной камере достигали давления (6,5-6,8)·10-4 Па, после чего осуществляли обработку подложки ионами аргона энергии 10-20 эВ. Далее производили с помощью платинового нагревателя нагрев подложки до температуры 750°C, после чего проводилось осаждение материала мишени на подложку путем распыления мишени пучком аргона с помощью ионного источника (плотность тока пучка ионов j=12 мА/см2, энергия ионов Е=3 кэВ). С целью облегчения кристаллизации пленки стехиометрического феррита висмута в область подложки подавали с помощью источника ионов контролируемый поток ионов кислорода. Полученные пленки отжигали в установке для обжига иттриевых гранатов ТИ-1 ПЯ 2.983.003 СП атмосфере кислорода при температуре 550°C и нормальном атмосферном давлении. После естественного охлаждения установки для обжига до комнатной температуры полученные пленки промывали в дистиллированной и деионизованной воде. Таким образом были приготовлены по 5 пленок каждого состава.
Результаты рентгено-дифракционного исследования показали, что полученные наноразмерные пленки являются монокристаллическими.
В таблице представлены основные характеристики полученных наноразмерных пленок феррита висмута.
Таблица | ||||
Свойства полученных методом ИЛР пленок мультиферроиков (подложка SrTiO3; Tизм=300K) | ||||
№ п/п | Химический состав пленки | Толщина пленки, нм | Контролируемые свойства | |
Удельное фарадеевское вращение F, град/см ( =0,633 мкм) | Коэрцитивная сила Н С, Э | |||
1 | BiFeO3 | 250 | 3 800 | 0,85 |
2 | Bi0,85La0,15FeO 3 | 255 | 4 075 | 0,65 |
3 | Bi0,8La0,15FeO3 | 275 | 4 180 | 0,75 |
4 | Bi0,9La0,1FeO3 | 240 | 4 900 | 0,78 |
5 | Bi0,85La0,15FeO3 | 245 | 5 600 | 0,72 |
6 | Bi0,9La0,1FeO3 | 195 | 6 350 | 0,80 |
7 | Bi0,85La0,15FeO3 | 220 | 6 750 | 0,70 |
Таким образом, предлагаемый способ обладает следующими отличительными признаками:
1. Используется монокристаллическая подложка титаната стронция.
2. Используется подогрев подложки до температуры 700-750°C.
3. Используется в процессе распыления подача в область подложки контролируемого потока ионов кислорода.
4. Полученные пленки отжигают в кислороде в течение 1,0 час при температуре 500-550°C и нормальном атмосферном давлении.
Использование настоящих отличительных признаков для достижения полученных результатов авторам неизвестно.
Класс C30B23/02 выращивание эпитаксиальных слоев
Класс C30B23/06 нагревание камеры для осаждения, подложки или испаряемого материала
источник молекулярного потока - патент 2064980 (10.08.1996) | |
устройство для выращивания кристаллов сложных полупроводников - патент 2022068 (30.10.1994) |
Класс C30B29/22 сложные оксиды
Класс C30B29/24 с формулой AMeO3 , где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sс, Cr, Co или Al, например ортоферриты
Класс C23C14/28 с использованием волновой энергии или облучения частицами
Класс B82B3/00 Изготовление или обработка наноструктур
Класс B82Y30/00 Нано-технология материалов или поверхностных эффектов, например нано-композиты
Класс B82Y40/00 Изготовление или обработка нано-структур