способ измерения шума узлов мфпу

Классы МПК:G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов
Автор(ы):
Патентообладатель(и):Открытое акционерное общество "НПО "Орион"(ОАО "НПО Орион) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2012-12-10
публикация патента:

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: способ измерения шума узлов фотоприемного устройства (ФПУ) включает измерение напряжения шума Uш1 с выключенным напряжением питания ФПУ, измерение напряжения шума U ш2 с включенным напряжением питания ФПУ и заданным временем накопления ФПУ, расчет напряжения шума ФПУ Uш по формуле: способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 . Дополнительно измеряют напряжение шума Uш3 с включенным напряжением питания и нулевым временем накопления ФПУ и рассчитывают уровень шума матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) UшМФЧЭ и большой интегральной схемы (БИС) UшБИС по формулам: способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 , способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 . Технический результат - раздельное измерение шума МФЧЭ и БИС. 3 ил., 1 табл. способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

Формула изобретения

Способ измерения шума узлов фотоприемного устройства (ФПУ), включающий измерение напряжения шума Uш1 с выключенным напряжением питания ФПУ, измерение напряжения шума Uш2 с включенным напряжением питания ФПУ и заданным временем накопления ФПУ и расчет напряжения шума ФПУ Uш по формуле:

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 ,

в котором дополнительно измеряют напряжение шума Uш3 с включенным напряжением питания и нулевым временем накопления ФПУ и рассчитывают уровень шума матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) UшМФЧЭ и большой интегральной схемы (БИС) UшБИС по следующим формулам :

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 ,

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 .

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способам измерения параметров многоэлементных фотоприемных устройств (ФПУ), работающих в режиме накопления. Эти устройства работают в диапазонах 0,2-0,4 мкм, 0,4-0,9 мкм, 0,5-0,65 мкм, 0,8-1,1 мкм, 1-2,8 мкм, 3-5 мкм, 8-12 мкм и далее вплоть до 100-150 мкм.

ФПУ включают два основных узла, которые определяют параметры фоточувствительных элементов (ФЧЭ):

1 - Матрица фоточувствительных элементов (МФЧЭ);

2 - Кремниевый мультиплексор - большая интегральная схема (БИС).

МФЧЭ может включать более 1000000 ФЧЭ, которые должны иметь близкие параметры и осуществлять преобразование падающего на них излучения в фототок. БИС должна иметь такое же количество ячеек, скоммутированных поэлементно с МФЧЭ, и выполнять накопление фототоков с ФЧЭ, преобразование накопленных зарядов в напряжение, поэлементное считывание, предварительное усиление и вывод стандартизованных по диапазону изменений сигналов с заданной частотой кадров. Современные мультиплексоры-процессоры кроме этого осуществляют преобразование выходных сигналов из аналоговой формы в цифровую форму и осуществляют предварительную цифровую обработку этих сигналов. Рабочая температура МФЧЭ и БИС может быть и достаточно низкой, в случае работы в инфракрасном (ИК) диапазоне, чтобы снизить обратные токи ФЧЭ.

Производство ФПУ направлено на получение устройств с заданным фотоэлектрическим параметром, характеризующим его качество.

Таким параметром может быть пороговая облученность (NEI), или пороговая мощность (NEP), или удельная обнаружительная способность (D*), или пороговая разность температур (NETD).

Для производства годных ФПУ необходимо, чтобы величина заданного фотоэлектрического параметра удовлетворяла техническим требованиям (ТТ) или техническим условиям (ТУ). ФПУ, не удовлетворяющее требованию, считается дефектным и поставке не подлежит. В этом случае выпуск и дальнейшая поставка ФПУ останавливается до выяснения причин возникновения дефектов и принятия мер по их устранению, подтвержденному положительным результатом испытаний ФПУ с устраненным дефектом.

В этом случае нам требуется достаточно быстрый и корректный метод определения места возникновения дефектов и причин их возникновения.

Все вышеуказанные параметры являются пороговыми, т.е. определяются уровнем шума ФПУ. В дефектном ФПУ уровень шума будет повышенным. Шум ФПУ складывается из шума ФЧЭ и шума БИС. Следовательно, повышенным будет или шум МФЧЭ, или шум БИС, или оба шума.

В результате возникает необходимость раздельного определения уровня шумов МФЧЭ и БИС.

Известен метод измерения шума ФПУ, описанный в разделе 1.8 ГОСТ 17772-88.

В указанном методе необходимо измерить уровень шума измерительного стенда и суммарный уровень шума измерительного стенда и ФПУ, а затем определить уровень шума ФПУ в соответствии с формулой (19) ГОСТ 17772-88.

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

где Uш1 - напряжение шума без подачи напряжения питания ФПУ (напряжение шума стенда), В;

Uш2 - напряжение шума при подаче напряжения питания ФПУ (суммарное напряжение шума стенда и ФПУ), В;

Uш - напряжение шума ФПУ, В.

Указанный метод не позволяет раздельно измерить шум МФЧЭ и шум БИС.

Задачей заявляемого способа является раздельное измерение величин шума МФЧЭ и шума БИС.

Технический результат достигается тем, что в известном способе измерения шума узлов ФПУ, включающем измерение напряжения шума Uш1 с выключенным напряжением питания ФПУ, измерение напряжения шума Uш2 с включенным напряжением питания и заданным временем накопления ФПУ, и расчет напряжения шума ФПУ Uш по формуле

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

дополнительно измеряют напряжение шума Uш3 с включенным напряжением питания и нулевым временем накопления ФПУ, и рассчитывают уровень шума МФЧЭ UшМФЧЭ и БИС UшБИС по следующим формулам:

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

Сущность заявляемого способа состоит в следующем.

Шумы измерительного стенда и ФПУ являются некоррелированными. Тогда суммарный шум системы, включающей измерительный стенд и работающее ФПУ с заданным временем накопления способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 , описывается выражением

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

а шум системы, включающей измерительный стенд и выключенное ФПУ, - выражением

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

Тогда шум работающего ФПУ с заданным временем накопления способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 будет равен

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

Шум работающего ФПУ с заданным временем накопления способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 является суммой шума БИС мультиплексора и МФЧЭ. Эти шумы также некоррелированные, поэтому их сумма описывается следующим выражением:

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

Если установить время накопления ФПУ равным нулю, то МФЧЭ будет изолировано от БИС. В этом случае шум ФПУ будет равен шуму БИС. Тогда суммарный шум системы, включающей измерительный стенд и ФПУ, работающее с нулевым временем накопления, будет описываться формулой

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

Из этого выражения мы получим формулу, описывающую величину шума БИС мультиплексора

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

и величину шума МФЧЭ,

способ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150

В качестве примера реализации рассмотрим ФПУ формата 4×288 на основе фотодиодов из КРТ. МФЧЭ включает 8 линеек, расположенных в соответствии с топологией, представленной на фиг.1.

На автоматизированном стенде измерения параметров ФПУ были произведены измерения шумов в соответствии с заявленным способом. Измерение длилось 10 минут. Шум каждой ячейки ФПУ автоматически измерялся 1024 раза. Затем автоматически проводилось вычисление среднего значения шума каждой ячейки и значения средних шумов по линейкам и ФПУ. Средние значения измеренных напряжений шумов Uш1, Uш2, Uш3 приведены в таблице. Там же приведены рассчитанные значения шумов ФПУ, БИС и МФЧЭ.

Таблица
Uш1; мВUш2; мВ Uш3; мВ UшФПУ; мВUшБИС; мВUшМФЧЭспособ измерения шума узлов мфпу, патент № 2521150 ; мВ
0,106 0,2470,1730,223 0,1370,176

Заявленный способ компьютеризирован и позволяет провести измерения шума за короткое время с высокой точностью. По этой причине полезность его также не вызывает сомнений.

Заявленный способ позволяет также измерять шум каждой ячейки ФПУ, каждой ячейки БИС и каждого ФЧЭ.

На фиг.2 и 3 приведены графические результаты измерений шумов ячеек ФПУ, ячеек БИС и ФЧЭ в единицах АЦП по всем линейкам ФПУ, которые также автоматически получаются при использовании заявляемого способа.

Класс G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов

способ разделения интегральных схем "по надежности" -  патент 2529675 (27.09.2014)
способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением -  патент 2516609 (20.05.2014)
способ разделения полупроводниковых изделий по надежности -  патент 2515372 (10.05.2014)
способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности -  патент 2511633 (10.04.2014)
способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий -  патент 2511617 (10.04.2014)
устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч -  патент 2510035 (20.03.2014)
способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности -  патент 2507526 (20.02.2014)
способ разделения транзисторов по надежности -  патент 2507525 (20.02.2014)
способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе gan -  патент 2503024 (27.12.2013)
устройство для определения шумовых параметров четырехполюсника свч -  патент 2499274 (20.11.2013)
Наверх