способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах

Классы МПК:G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2009-11-17
публикация патента:

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность способа заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах проводится измерение электрических параметров, кипячение их в дистиллированной воде в течение 2-3-х часов и вновь проводят измерение электрических параметров после 2-х часов их выдержки в нормальных условиях. По результатам испытаний проводят сравнение партий. Техническим результатом изобретения является повышение оперативности проведения сравнительных испытаний по стойкости к влаге полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах. 1 табл.

Формула изобретения

Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках изделий из партий проводят измерения электрических параметров до и после испытаний, отличающийся тем, что проводят испытания изделий в кипящей дистиллированной (или деионизованной) воде в течение 2-3 ч.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Из техники известно, что пластмасса, используемая для корпусирования ППИ, не является абсолютно герметичной. Поэтому кристаллы ППИ защищаются или оксидом кремния, или различными лаками. Устойчивость ППИ к влаге зависит от конструкции изделий и от свойств применяемой пластмассы. Если ППИ в полых корпусах, например металлостеклянных, проверяются на герметичность, то ППИ в пластмассовых корпусах не проверяются на герметичность.

Наиболее близок стандартный способ испытаний [1], например, интегральных схем (ИС) в полых корпусах на воздействие повышенной влажности в камере влаги продолжительностью 4 или 10 суток при температуре 40±2°C и относительной влажности (93±2)%. Эти испытания не могут быть использованы для сравнительных ускоренных испытаний партий ППИ одного типа по стойкости к влаге из-за их длительности, применения специальных камер.

Изобретение направлено на устранение указанных недостатков. Это достигается тем, что испытание изделий проводится в течение 2-3-х часов в кипящей дистиллированной (или деионизованной) воде, чтобы загрязнения из простой воды не попадали на корпуса изделий и не вызывали повышенных значений токов утечки.

Способ осуществляют следующим образом. На одинаковой представительной выборке от каждой сравниваемой партии измеряются электрические параметры до испытаний и после 2-часовой выдержки в нормальных условиях после испытаний в кипящей воде в течение 2-3-х часов. Партия, в которой имеются катастрофические отказы или электрические параметры изделий изменяются более значительно, чем в сравнительной партии, является менее стойкой к воздействию влаги, т.е. менее надежной.

Время испытаний изделий в кипящей воде выбиралось исходя из полученных экспериментальных данных (таблица) на транзисторах КТ3107И.

№ транзистора Результаты замеров параметра h21Э после испытаний в течение
до испытаний1 часа 2-х часов 3-х часовспособ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий   в пластмассовых корпусах, патент № 2464583
178 7876 781,00
2 9292 9189 1,03
3 130 128124 1231,06
4 7877 7676 1,03
5 169 167165 1641,03
6 9493 9090 1,04
7 90 89- --
8 90- -- -
9 117 116114 1131,04
10 10198 9797 1,04

Полученные в таблице данные показывают, что испытанная выборка транзисторов имела два катастрофических отказа. Изменение электрических параметров незначительное. На выборке их второй партии имелся только один отказ после 2-х часов кипячения в воде. Поэтому партия № 2 более надежная.

Источники информации

1. ОСТ 11 073.013-83. Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Часть 2 (испытания на воздействие климатических факторов и сред заполнения). С.15-17.

Класс G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов

способ разделения интегральных схем "по надежности" -  патент 2529675 (27.09.2014)
способ измерения шума узлов мфпу -  патент 2521150 (27.06.2014)
способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением -  патент 2516609 (20.05.2014)
способ разделения полупроводниковых изделий по надежности -  патент 2515372 (10.05.2014)
способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности -  патент 2511633 (10.04.2014)
способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий -  патент 2511617 (10.04.2014)
устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч -  патент 2510035 (20.03.2014)
способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности -  патент 2507526 (20.02.2014)
способ разделения транзисторов по надежности -  патент 2507525 (20.02.2014)
способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе gan -  патент 2503024 (27.12.2013)
Наверх