способ изготовления полого холодного катода газового лазера

Классы МПК:H01J1/30 холодные катоды 
H01J9/02 изготовление электродов или электродных систем 
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф Стельмаха" (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха") (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2010-03-03
публикация патента:

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при производстве газоразрядных приборов, в частности холодных катодов моноблочных газовых лазеров. Способ изготовления полого холодного катода газового лазера, включающий изготовление заготовки, напыление на ее внутреннюю поверхность эмитирующей пленки и окисление ее в кислороде, в котором заготовку катода и эмитирующую пленку выполняют из алюминия, проводят термообработку катода при давлении не выше 0,00133 Па при температуре 573способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 593 К в течение 30способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 40 мин с последующим ступенчатым окислением эмитирующей пленки при нормальной температуре разрядом в кислороде при плотностях тока 0,15способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 0,9 мА/см и давлении кислорода 40 Паспособ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 80 Па в течение 45способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 55 мин, затем при плотности тока 0,15способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 0,3 мА/см2 и давлении кислорода 150способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 200 Па в течение 25способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 35 мин. Технический результат - упрощение технологии за счет исключения термического окисления, уменьшения затрачиваемого технологического времени и необходимости использования высокотоксичного бериллия. 1 табл.

Формула изобретения

Способ изготовления полого холодного катода газового лазера, включающий изготовление заготовки катода, напыление на ее внутреннюю поверхность эмиттирующей пленки и окисление ее в кислороде, отличающийся тем, что заготовку катода и эмигрирующую пленку выполняют из алюминия, проводят термообработку катода при давлении не выше 0,00133 Па при температуре 573способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 593К в течение 30способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 40 мин с последующим ступенчатым окислением эмиттирующей пленки при нормальной температуре разрядом в кислороде при плотностях тока 0,15способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 0,9 мА/см и давлении кислорода 40способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 80Па в течение 45способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 55 мин, затем при плотности тока 0,15способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 0,3 мА/см2 и давлении кислорода 150способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 200 Па в течение 25способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 35 мин.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при производстве газоразрядных приборов, в частности холодных катодов моноблочных газовых лазеров.

Известен способ изготовления полых холодных катодов из алюминиевых сплавов [1].

В этом способе с помощью форвакуумного насоса создается давление воздуха 266 Па. Поджигают разряд с обеспечением на холодном катоде плотности тока 5способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 10 мА/см2. После обработки в течение 1способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 3 мин снимают напряжение и откачивают трубку с заготовкой. Затем снова наполняют трубку воздухом или кислородом, поджигают разряд. Указанные действия повторяют 4способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 5 раз, после чего откачивают трубку до давления 1,3×10 -4 Па, обезгаживают трубку пламенем газовой горелки и наполняют трубку гелий-неоновой смесью.

Недостатком этого способа является низкая эффективность при изготовлении катодов для их использования в моноблочных газовых лазерах, где требуется значительная стабильность работы катода и долговечность в течение десятков тысяч часов. В указанном способе предлагается форсированная обработка катодной поверхности при плотностях тока, в 25способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 50 раз превышающих рабочую плотность тока во время эксплуатации лазера. При таких режимах обработки в кислороде требуются жесткие режимы контроля за параметрами проведения процесса окисления.

Недостатками этого способа являются непостоянство получения стабильных рабочих параметров катодов и необходимость использования токсичного бериллия, что обусловлено следующими причинами.

При окислении в атмосфере кислорода образующийся на пленке бериллия гидрид бериллия разлагается при температуре порядка 370К, при этом меняется его структура [2], что приводит к нестабильности защитных свойств окисла бериллия в условиях катодной бомбардировки в тлеющем разряде в газовом лазере.

Бериллий является веществом I класса опасности. Существуют технические сложности и ограничения, связанные с утилизацией отходов бериллия.

Задачей данного изобретения является упрощение технологии изготовления полого холодного катода газового лазера за счёт исключения термического окисления, уменьшения затрачиваемого технологического времени и необходимости использования высокотоксичного бериллия.

Указанная задача решается за счет того, что в известном способе изготовления полого катода газового лазера, включающем изготовление заготовки полого холодного катода, напыление на её внутреннюю поверхность эмиттирующей пленки и окисление пленки в кислороде, заготовку катода и эмиттирующую пленку выполняют из алюминия, проводят термообработку катода при давлении не выше 0,00133 Па при температуре 573способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 593 K в течение 30способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 40 мин с последующим ступенчатым окислением эмиттирующей пленки при нормальной температуре разрядом в кислороде при плотностях тока 0,15способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 0,9 мА/см2 и давлении кислорода 40 Паспособ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 80 Па в течение 45способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 55 мин, затем при плотности тока 0,15способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 0,3 мА/см2 и давлении кислорода 150способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 200 Па в течение 25способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 35 мин.

Выбор значения величины давления во время термообработки катода не выше 0,00133 Па основан на том, что при большем давлении на поверхности напыленной (плотной) окиси алюминия образуется дополнительная наружная (пористая) пленка окиси. В отличие от плотного внутреннего напыленного слоя наружный пористый слой окиси менее стоек к катодному распылению в условиях тлеющего разряда. Поэтому требуется не допускать образования пористого окисного слоя на поверхности пленки окиси алюминия на стадии термообработки, что достигается проведением указанного процесса при пониженном давлении.

При термообработке температура и время вжигания напыленной пленки алюминия для обеспечения ее высокой адгезии к заготовке катода выбраны исходя из экспериментальных данных. При температуре менее 573 К не подтвержден факт эффективного вжигания пленки алюминия; при этом окись алюминия, образующаяся на напыленной пленке во время нахождения заготовки катода на атмосфере при межоперационных переходах, имеет плотную аморфную структуру. При температуре более 593 К идет неконтролируемая кристаллизация и частичное растрескивание рыхлого наружного слоя. Это приводит к ухудшению структуры поверхности перед созданием защитной окисной пленки в тлеющем разряде.

Параметры обработки полого холодного катода в тлеющем разряде в кислороде выбраны следующим образом. Известно, что во время окисления напыленной пленки алюминия при давлении кислорода выше 0,00133 Па не происходит существенного влияния концентрации кислорода на скорость окисления алюминия [4]. При давлении кислорода в диапазоне 40способ изготовления полого холодного катода газового лазера, патент № 2419913 66 Па рост окисной пленки является повторяемым и прогнозируемым во времени, при этом структура пленки оптимальна для обеспечения долговечности катода при эксплуатации в составе лазера в течение десятков тысяч часов. Времена процесса создания защитной окисной пленки в тлеющем разряде и величины плотности тока разряда подобраны экспериментальным путем с целью получения оптимального значения толщины защитного окисного слоя.

Пример

На внутреннюю поверхность алюминиевой заготовки полого холодного катода с площадью внутренней поверхности 9 см2 напыляют катодную пленку особо чистого алюминия чистоты не ниже 99,995%.

Проводят дополнительную термообработку заготовки катода вжиганием катодной пленки для увеличения адгезии напыленного покрытия при давлении 0,00133 Па и температуре 573 К в течение 35 минут.

Монтируют заготовку катода в стеклянный технологический прибор.

Обезгаживающий отжиг технологического прибора проводят в вакууме 0,00133 Па при температуре 573 К в течение 120 минут.

Напаивают макет по общепринятой вакуумной технологии на высоковакуумный откачной пост. Па откачном посту перед формированием на напыленной пленке алюминия защитной пленки окиси алюминия производят ионную очистку внутренней поверхности катода в тлеющем разряде неона. Формируют окисную пленку в среде кислорода при температуре 293 К при токах разряда от 2 до 8 мА (плотность тока от 0,22 до 0,89 мА/см2), давлении кислорода 40 Па и суммарном времени окисления 50 минут (см. таблицу). Заканчивают процесс получения защитных свойств окисной пленки алюминия обработкой катода в тлеющем разряде кислорода при плотности тока 0,28 мА/см2 и давлении 160 Па в течение 30 минут.

Таблица
Кислород, давление 40 Па
Ток разряда, мА Плотность тока, мА/см2 Время обработки, мин
2,00,22 10
4,0 0,44 10
8,0 0,89 30

Таким образом, применение предложенного способа упрощает технологию изготовления холодного катода газового лазера, уменьшает затрачиваемое технологическое время более чем на 50%, а также исключает необходимость использования высокотоксичного бериллия.

Источники информации

1. Патент США № 3860310.

2. Папиров И. И. Окисление и защита бериллия. - М.: Металлургия, 1968. - 120 с.

3. Макарычев Ю.Б., Акимов А. Г. Исследование механизма окисления алюминия в кислороде и парах воды // Поверхность. 1988. - № 12. - С.94-99.

Класс H01J1/30 холодные катоды 

способ изготовления автоэмиссионного катода -  патент 2526240 (20.08.2014)
способ изготовления мдм-катода -  патент 2525865 (20.08.2014)
трехмерно-структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода, способ ее получения и автоэмиссионный катод -  патент 2524353 (27.07.2014)
автоэмиссионный катод -  патент 2504858 (20.01.2014)
способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии -  патент 2484548 (10.06.2013)
способ повышения деградационной стойкости сильноточных многоострийных автоэмиссионных катодов -  патент 2474909 (10.02.2013)
холодный катод -  патент 2408947 (10.01.2011)
вакуумный интегральный микроэлектронный прибор и способ его изготовления -  патент 2332745 (27.08.2008)
материал и способ изготовления многоострийного автоэмиссионного катода -  патент 2309480 (27.10.2007)
матрица полевых эмиссионных катодов с затворами (варианты) и способ ее изготовления -  патент 2299488 (20.05.2007)

Класс H01J9/02 изготовление электродов или электродных систем 

способ изготовления эмиттера электронов вакуумного или газонаполненного диода -  патент 2526541 (27.08.2014)
способ изготовления автоэмиссионного катода -  патент 2526240 (20.08.2014)
технологический прибор для обработки полого холодного катода в газовом разряде -  патент 2525856 (20.08.2014)
трехмерно-структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода, способ ее получения и автоэмиссионный катод -  патент 2524353 (27.07.2014)
способ изготовления мдм-катода -  патент 2521610 (10.07.2014)
автоэмиссионный катод -  патент 2504858 (20.01.2014)
способ изготовления многоострийных автоэмиссионных катодов -  патент 2486625 (27.06.2013)
способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии -  патент 2484548 (10.06.2013)
электрод на основе оксида олова -  патент 2483376 (27.05.2013)
способ повышения деградационной стойкости сильноточных многоострийных автоэмиссионных катодов -  патент 2474909 (10.02.2013)
Наверх