способ формирования углеродных наноструктур

Формула изобретения

Способ формирования углеродных наноструктур из углеродосодержащих подложек, заключающийся в нанесении на произвольную подложку либо приборную структуру многослойного покрытия, содержащего наноразмерной толщины адгезионный и каталитический слои, выполнении по ним заданного рисунка, помещении полученного образца в ростовую камеру, откачивании из камеры атмосферы до остаточного давления, меньшего 10^-5 мм рт.ст., вводе в камеру буферного газа, а также ВЧ- либо СВЧ-поля, либо их комбинации и последующем нагреве образца с образованием в каталитическом слое каталитических капель, отличающийся тем, что между подложкой (приборной структурой) и каталитическим слоем располагают углеродосодержащий слой, нагрев подложки осуществляют в диапазоне температур 250 650°С, а наноразмерный каталитический слой вместе с формирующимися из него наноразмерными каталитическими каплями активируют потоком ионов буферного газа, выдерживают образцы в течение 25-70 мин.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способам формирования углеродных наноструктур (УНС). Области возможного использования углеродных наноструктур: автоэмиттеры для плоских экранов и вакуумных микрорадиоламп, нанорезонаторы, нанопереключатели, фотокатоды, экономичные источники света и др.

Известен способ (CVD - chemical vapor deposition) формирования углеродных наноструктур, заключающийся в росте УНС из газовой фазы на каталитических наноразмерных областях из такого ряда металлов, как железо, никель, кобальт и др. [1]. Этот способ роста массивов углеродных наноструктур из газовой фазы заключается в последовательном использовании такого ряда процедур, как получение на подложке, помещенной в ростовую камеру, одним из известных способов, массивов из наноразмерных областей указанных каталитических металлов (каталитических капель), нагрева подложки (как правило, до температур ~800 1000°C), последующей подаче в течение определенного отрезка времени исходного газа-реагента (CH_n) в камеру роста, в течение которого с приемлемой для практики вероятностью на каталитических каплях происходит процесс диссоциации молекул газа-реагента до атомарного углерода, адсорбции атомов углерода в соответствующие капли и его накопления в них до предельных концентраций, соответствующих образованию углеродных квазиодномерных кристаллических фаз - зародышей роста УНС. Для реализации практически приемлемых вероятностей диссоциации молекул в данном способе требуются довольно высокие температуры (~800 1000°C), что неприемлемо при реализации большинства видов электрических схем, так как процесс формирования УНС должен являться завершающим процессом в технологическом маршруте формирования электронной схемы.

Наиболее близким к настоящему изобретению является способ формирования УНС на подожках посредством PECCVD-метода [2]. Этот способ заключается в последовательном использовании такого рода процедур, как осаждение на подложку либо приборную структуру, многослойное покрытие, верхним слоем которого является наноразмерной толщины каталитический слой (железо, никель либо кобальт), формирование известными методами (например, посредством фотолитографии) на указанной каталитической пленке в виде необходимого рисунка последующего преобразования каталитического слоя в локальные наноразмерные области (капли), осуществляющегося посредством помещения образца в ростовую камеру, откачивания ее до давления остаточной атмосферы не более 10^-5 мм рт.ст., нагрева подложки (как правило, до температур ~550 650°C), ввода в камеру ростового газа-реагента (например, C_mH_n) и буферного газа (например, аргона), ввода в камеру ВЧ- либо СВЧ-поля

При этом происходят полная или частичная диссоциация в ВЧ- либо СВЧ-поле поставляемого в камеру исходного газа-реагента, последующая физическая адсорбция атомарного углерода на каталитической капле и диффузия атомов углерода в ее объем, их накопление в капле до концентраций, соответствующих образованию (фазовому переходу) из растворенных в никеле углеродных атомов твердых квазиодномерных углеродных кластеров - зародышей для роста УНС и, наконец, рост собственно УНС.

Способ потенциально позволяет получать массивы из УНС для целого ряда применений, например автоэмиссионных применений (автоэмиттеры, катодо-сеточные узлы, автоэмиссионные многопозиционные переключатели и т.д.). Существенно более низкие, чем в CVD-методе, температуры получения УНС в методе-прототипе (PECCVD-методе) дают надежду на его успешное применение при изготовлении планарных интегральных схем, например автоэмиссионных интегральных схем.

Однако при попытках использования PECCVD-метода для получения, например, элементов планарных электронных схем из массивов УНС, возникают принципиальные трудности, связанные с допустимостью лишь частичной диссоциации молекул исходного газа в ВЧ(СВЧ)-полях в объеме камеры и созданием условий полной их диссоциации только лишь вблизи капель на расстояниях ~ их линейных размеров. В противном случае освободившийся атомарный углерод покрывает поверхность подложки и приводит к утечкам и даже полному шунтированию элементов планарных электронных схем. Указанная нами выше прецизионность постановки процедуры процесса получения углеродных наноструктур PECCVD-методом делает процесс изготовления автоэмиссионных интегральных схем с его использованием крайне трудоемким, приводит ко многим технологическим и функциональным ограничениям. На это, в частности, указывает и тот факт, что несмотря на громадное количество фирм, ведущих интенсивные работы в области разработки элементной базы автоэмиссионной электроники (Canon, Toshiba, Sony, Mitsubishi, Fujitsu, Hitachi, Samsung, LG, Motorola, Stellar Micro Devices, Applied Nanotech, Philips), успеха в применении УНС в ИС удалось достичь лишь только корпорациям Sony и Canon.

Целью настоящего изобретения является разработка эффективного способа получения массивов УНС, позволяющего использовать углеродные наноструктуры как функциональные элементы планарных интегральных электронных схем.

Для достижения поставленной цели предложен способ формирования УНС, заключающийся в нанесении на произвольную подложку либо приборную структуру многослойного покрытия, содержащего наноразмерной толщины адгезионный и каталитический слои, выполнении по нему заданного рисунка, помещении образца в ростовую камеру, откачивании из камеры атмосферы до остаточного давления, меньшего 10^-5 мм рт.ст., вводе в камеру буферного газа, а также ВЧ- либо СВЧ-поля, или их комбинации и последующем нагреве образца с образованием из каталитического слоя каталитических капель, отличающийся тем, что между подложкой (приборной структурой) и каталитическим слоем располагают углеродосодержащий слой, нагрев подложки осуществляют в диапазоне температур 250 650°C, а наноразмерный каталитический слой вместе с формирующимися из него наноразмерными каталитическими каплями активируют потоком ионов буферного газа, выдерживают образцы в течение 25-70 минут.

В течение указанного времени происходят насыщение наноразмерных областей (капель) углеродом из-за диффузии его атомов в капли из углеродосодержащего слоя и последующее образование углеродных кристаллических зародышей в областях упругих напряжений (по периферии капель) с ростом на них углеродных наноструктур.

В ряде случаев между каталитическим слоем и углеродосодержащим слоем располагают наноразмерной толщины слой из материала, меняющего энергию границы раздела каталитический слой - углеродосодержащий слой. Это позволяет регулировать размеры капель (своеобразных нанореакторов для роста УНС) и адгезию вырастающих нанообъектов.

Положительный эффект в заявляемом способе достигается тем, что устраняется необходимость в проведении прецизионного процесса, допускающего только частичную (не полную) диссоциацию молекул ростового газа в объеме камеры, а полную лишь на каталитических каплях, так как строительный материал для роста УНС в предлагаемом способе черпается непосредственно из углеродосодержащей подложки, что значительно удешевляет и упрощает технологию процесса выращивания УНС.

В таблице сведены технологические режимы получения УНС непосредственно из углеродосодержащих слоев (аморфных алмазоподобных углеродных пленок) заявляемым методом.

На фиг.1а - 1в представлены результаты, соответственно, РЭМ (растровой электронной микроскопии) и АСМ (атомно-силовой микроскопия) изображений массивов УНС.

На фиг.2а и 2б представлены зависимости плотности расположения нанообъектов массива УНС на подложке в зависимости от температуры нагрева подложки при различной толщине каталитического слоя.

На фиг.3 представлены автоэмиссионные характеристики УНС типа «наноконусы», полученных GCS-методом

Пример получения одиночно расположенных углеродных нанотрубок по заданному рисунку

На подготовленную известными методами (отмывка в органических растворителях, например бензоле либо изопропиловом спирте, и последующая обработка в кислородно-аргонной плазме) к напылению поверхность образца (например, поверхность подложки кремния КЭФ-4,5) наносим (например, методом магнетронного напыления из трех независимых источников) трехслойное пленочное покрытие: например, титан/аморфная углеродная алмазоподобная пленка (АПП)/никель, (Ti/C/Ni) с толщинами наноразмерных слоев, соответственно, 10 нм/50 нм/10 нм. Титан здесь выполняет роль адгезионного и барьерного слоя, АПП - слой для поставки из него в капли никеля строительного материала (углерода), наноразмерный слой никеля - слой для образования каталитических наноразмерных капель. Далее известными методами (например, фотолитографией либо электронной литографией с последующим плазмохимическим и химическим травлением перечисленных слоев) получаем необходимый рисунок по упомянутому многослойному покрытию. Затем помещаем образец в ростовую камеру установки роста УНС, производим откачку (эвакуацию) из системы атмосферы до остаточного давления 10 ^-6 мм рт.ст., осуществляем нагрев (например, фотонный) подложки (приборной структуры) и плазменную активацию каталитической пленки и образующихся из нее каталитических капель потоками ионов буферного газа (например, плазмой аргона). Временной интервал суммарного воздействия (постоянного во времени либо импульсного воздействия, например, импульсами длительностью 10,0 мкс 10,0 мс с периодом их следования ~10 мс) определяется толщиной каталитической пленки, температурой нагрева (250 650°C) подложки и мощностью постоянной (ВЧ) плазмы (150 500 Вт). При температуре ~450°C временной интервал выдержки образца составляет ~20 минут. В течение указанного времени происходят образование наноразмерных капель никеля, диффузия атомов углерода из углеродосодержащего слоя в образец, образование кристаллических квазиодномерных углеродных зародышей по периферии капель и рост УНС. По окончании выдерживания образца при указанных условиях отключают плазменную активацию и нагрев, охлаждают образец, напускают атмосферный газ в камеру и извлекают из нее образец с выращенными по заданному рисунку массивами УНС.

Как следует из таблицы, доминирующими типами синтезированных наноструктур являются структуры, представленные на фиг.1а-1в и названные нами как «наноконусы».

Технологические режимы получения УНС
Номер процесса, номер и архитектура образца	Результат	Состав буферно-восстановительного газа	Нагрев, °C.	ВЧ-мощность, Вт	VDC, В	t, мин
АПР09-15		(Ar+H2 )6	250	225	70 200	40
1 АППд(20)Ni(20)	Нет УНС			225	70
2 АППд(50)Ni(10)				225	120
3 АППп(50)Ni(10)				225	150
4 АППд(30)Ni(10)				225	200
АПР09-14		-	380	225	180	40
1 АППд(20)Ni(20)	Нет УНС	(Ar)2+(Ar+H2)4		225	180
2 АППд(50)Ni(10)		(Ar+H2 )6		225	180
3 АППп(50)Ni(10)		(Ar+H2 )6		225	180
4 АППд(30)Ni(10)		(Ar+H2 )6		225	180
АПР09-13		-	430	225	180	40
1 АППд(20)Ni(20)	Наноконусы	(Ar)2+(Ar+H2)4		225	180
2 АППд(50)Ni(10)	Наноконусы	(Ar+H2)6		225	180
3 АППп(50)Ni(10)	Наноконусы	(Ar+H2)6		225	180
4 АППд(30)Ni(10)	Наноконусы	(Ar+H2)6		225	180
АПР09-12		-	530	225	180	40
1 АППд(20)Ni(20)	Наноконусы d=0,3 h=1,5	(Ar)2+(Ar+H2 )4		225	180
2 АППд(50)Ni(10)	Наноконусы	(Ar+H2)6		225	180
3 АППп(50)Ni(10)	Наноконусы	(Ar+H2)6		225	180
4 АППд(30)Ni(10)	Наноконусы			225
АПР09-11		-	580	225	180	40
4 АППд(20)Ni(20)	Наноконусы	(Ar)2+(Ar+H2)4		225	180
1 АППд(50)Ni(10)	Наноконусы	(Ar+H2)6		225	180
3 АППп(50)Ni(10)	Наноконусы	(Ar+H2)6		225	180
2 АППд(30)Ni(10)	Наноконусы			225
АПР09-10		-	620	225	200	40
1 АППд(20)Ni(20)	Наноконусы	(Ar)2+(Ar+H2)4		225	200
2 АППд(10)Ni(20)	Наноблины	(Ar+H2)6		225	200
3 Cr(20)Ni(30)АППп(30)	Наноблины	(Ar+H 2)6		225	200
АПР09-09		-	715	225	80 180	10 40
1 АППд(20)Ni(20)	Наноблины d=2 h=0,05	(Ar)2+(Ar+H2)4		225	150	10
2 АППд(10)Ni(20)	Наноблины	(Ar+H2)6		225	100	20
3 Cr(20)Ni(30)АППп(30)	Наноблины	(Ar+H2)6		225	180	40
АПР09-08		-	730	225	190	10 40
1 АППд(50)Ni(10)	Растрав h=0,5	(Ar)2+(Ar+H 2)4		225	190	10
2 АППп(50)Ni(5)	Растрав h=1	(Ar+H 2)6		140	190	20
		(Ar+H2 )6		150	190	36
АПР09-07		-	730	-	80 210	9 35
1 АППд(50)Ni(10)	Растрав	(Ar)7		-	80	9
2 АППп(50)Ni(5)	Растрав	(Ar)7		150	150	20
		(Ar)7		150	210	35
АПР09-06		-	735	150	100 210	40
1 АППд(50)Ni(10)	Растрав	(Ar)2+(Ar+H2)4		120	100	-
2 АППп(50)Ni(5)	Растрав	(Ar+H 2)6		225	150	-
		(Ar+H2 )6		190	210	-
АПР09-05		-	705	200	190	40
1 АППд(50)Ni(10)	Наноконусы d=1, h=1,6	(Ar)2+(Ar+H2 )4		200	190	-
2 АППп(50)Ni(5)	Наноконусы d=1,2, h=1,6	(Ar+H2)6		200	190	-
		(Ar+H2 )6		225	190	-
АПР09-04	Растрав	(Ar)2+(Ar+H2)2	715	225	50 150	20 40
1 АППд(50)Ni10)		(Ar+H2 )6		225	150	40
2 АППп(50)Ni(5)		(Ar+H2 )6		225	50	20
АПР09-03	Растрав	-	710	225	85 130	20
1 АППд(50)Ni(10)		(Ar)2+(Ar+H 2)4		225	95	-
2 АППп(50)Ni(5)		(Ar+H2 )6		225	120	-
		(Ar+H2 )6		220	85	-
				220	110	-
				220	130	-
АПР09-02	Наноконусы d=0,5 h=1	-	705	-	190	40
1 АППд(50)Ni(10)		(Ar)6		-	190	-
2 АППп(50)Ni(5)		(Ar)6		220	190	-
		(Ar)6		190	190	-
АПР09-01	Наноконусы d=0,5 h=1	(Ar+H2)6	705	215	180	40
1 АППд(50)Ni(10)		(Ar)2+(Ar+H 2)4		215	180	40
2 АППп(50)Ni(5)		(Ar+H2 )6		215	180	40
		(Ar+H2 )6		190	180	40
Обозначения:
VDC - напряжение на электродах плазменного активатора;
tмин - продолжительность выдержки (процедуры формирования) образца;
d - диаметр конуса (мкм), h - высота конуса (мкм);
(Ar)2+(Ar+H2)4 - состав и расход рабочих газов (аргона 2 литра/час+смесь аргона водородом в количестве 4 литров/час).

При этом диапазон температур отжига, позволяющий получать анизотропные объекты, составляет 430 680°C. Характерные времена процесса ~20 40 минут.

Как следует из фиг.1, полученные нанообъекты имеют форму полых наноразмерных конусов с аспектным отношением 3 4. Примечательно, что дисперсии аспектного отношения в плоскости пластины для наноконусов практически не наблюдается. Характерная высота наноконусов составляет ~1 2 µm, а диаметр их основания соответствует латеральным размерам «капель» и составляет ~0,3 0,6 µm.

Полученные структуры обладают существенно большей жесткостью, чем родственные нанотрубчатые углеродные конструкции, что обуславливает возможность их диагностирования методами сканирующей зондовой микроскопии (фиг.1б и 1в). Характерный размер острия УНС составляет ~25 нм. Вариацию плотности расположения нанообъектов можно осуществлять изменением температуры отжига. Это демонстрируется графиками температурных зависимостей плотности объектов от температуры отжига, представленными на фиг.1а и 1б.

Детальное изучение автоэмиссионных характеристик УНС, результаты которого также представлены на фиг.3, с последующей их обработкой по механизму Фауллера-Нордгейма, позволило оценить величину активационного барьера (~3,5 эВ).

Для ряда задач возможно использование непосредственно углеродосодержащих подложек, например подложек из высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ). В этом случае отсутствует необходимость дополнительного осаждения на подложку углеродосодержащего слоя.

Предложенный способ получения УНС непосредственно из углеродосодержащих подложек и наноразмерных углеродных слоев открывает широкие возможности для изготовления автоэмиссионных интегральных схем, например матриц автоэмиссионных катодов для плоских экранов.

Литература

1. Yacaman MJ et al. Appl. Phys. Lett. 62 202 (1993).

2. A.Huczko. Synthes of aligned carbon nanotube // Apple. Phys. A, 2002, v.74, p.617-638 (прототип).