способ захвата полупроводниковых пластин для загрузки и выгрузки

Формула изобретения

Способ захвата полупроводниковых пластин для загрузки и выгрузки, включающий захват полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что захват производится следующим образом: вакуум поступает во фторопластовую трубку 3, далее он поступает на лопатообразный фторопластовый наконечник 1, нажатием клапана 4 вакуум подается через отверстия 2 на пластину, подача вакуума регулируется с помощью клапана 4, вакуум подается при давлении 0,8 кг/см ², количество отверстий на наконечнике - 5, диаметр отверстий - 3 мм.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности для захвата полупроводниковых пластин в процессах загрузки и выгрузки в пропиленовые, фторопластовые и транспортные кассеты, а также для контроля под микроскопом и лучом сфокусированного света.

Известны различные способы захвата пластин для загрузки и выгрузки, а также для контроля полупроводниковых пластин в технологии кремниевых транзисторных структур: металлические пинцеты, металлические пинцеты с фторопластовыми наконечниками и др. [1].

Недостатками этих способов является образование царапин и сколов на поверхности полупроводниковых пластин; пинцет не полностью охватывает поверхность пластин, что приводит к образованию микротрещин и разламыванию пластин.

Целью данного изобретения является устранение касания металла поверхности полупроводниковых пластин, снижение царапин и сколов при загрузке-выгрузке, а также обеспечение полного схватывания поверхности полупроводниковых пластин и увеличение процента выхода годных транзисторов.

Поставленная цель достигается тем, что предлагается фторопластовый вакуумный пинцет для захвата полупроводниковых пластин, конструкция которого представлена на чертеже.

Сущность способа заключается в том, что для захвата полупроводниковых пластин используется фторопластовый вакуумный пинцет, состоящий из фторопластового лопатообразного наконечника 1, в центре которого имеется пять отверстий 2 для подачи вакуума через фторопластовую трубку 3 с регулируемым клапаном 4. С помощью фторопластового вакуумного захвата удобно проводить загрузку-выгрузку пластин, осуществлять контроль под микроскопом и лучом сфокусированного света пластин на наличие пылинок.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что захват полупроводниковых пластин производится с помощью фторопластового вакуумного пинцета, наконечник которого имеет пять отверстий. Использование фторопластового пинцета позволяет полностью охватить поверхность полупроводниковых пластин, устранить касание металла с пластиной, снижение царапин и сколов на полупроводниковой пластине при загрузке-выгрузке.

Захват полупроводниковых пластин производится следующим образом: вакуум поступает во фторопластовую трубку 3, далее он поступает на лопатообразный фторопластовый наконечник 1, нажатием клапана 4 вакуум подается через отверстия 2 на пластину. Подача вакуума регулируется с помощью клапана 4. Вакуум подается при давлении 0,8 кг/см². Количество отверстий на наконечнике - 5, диаметр отверстий - 3 мм.

Контроль качества определяется по выходу годных транзисторов. Процент выхода годных транзисторов составил 98%.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Захват полупроводниковых пластин производится следующим образом: вакуум поступает во фторопластовую трубку 3, далее он поступает на лопатообразный фторопластовый наконечник 1, нажатием клапана 4 вакуум подается через отверстия 2 на пластину. Подача вакуума регулируется с помощью клапана 4. Вакуум подается при давлении 0,5 кг/см². Количество отверстий на наконечнике - 1, диаметр отверстий - 5 мм.

Процент выхода годных транзисторов составил 95%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Вакуум подается при давлении 0,6 кг/см². Количество отверстий на наконечнике - 3, диаметр отверстий - 4 мм.

Процент выхода годных транзисторов составил 97%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Вакуум подается при давлении 0,7 кг/см ². Количество отверстий на наконечнике - 4, диаметр отверстий - 3 мм.

Процент выхода годных транзисторов составил 97%.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Вакуум подается при давлении 0,8 кг/см² . Количество отверстий на наконечнике - 5, диаметр отверстий - 3 мм.

Процент выхода годных транзисторов составил 98%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет осуществлять захват полупроводниковых пластин фторопластовым вакуумным пинцетом без образования царапин и сколов для загрузки и выгрузки пластин.

Литература

1. Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. - М.: Радио и связь, 1988, стр.144-156.