комплементарный каскодный дифференциальный усилитель

Формула изобретения

1. Комплементарный каскодный дифференциальный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы одного типа проводимости, эмиттеры (истоки) которых соединены с эмиттерами (истоками) первого (3) и второго (4) выходных транзисторов другого типа проводимости, причем базы (затворы) первого (3) и второго (4) выходных транзисторов объединены, первый (5) и второй (6) токостабилизирующие двухполюсники нагрузки, подключенные к коллекторам (стокам) соответствующих первого (3) и второго (4) выходных транзисторов, входной транзистор (7) выходного эмиттерного (истокового) повторителя напряжения, база (затвор) которого соединена с коллектором (стоком) второго (4) выходного транзистора, а эмиттер (исток) связан с источником опорного тока (8) и выходом (9) комплементарного каскодного дифференциального усилителя, отличающийся тем, что эмиттер (исток) входного (7) транзистора выходного эмиттерного (истокового) повторителя связан с источником опорного тока (8) через первую (10) цепь смещения, объединенные базы (затворы) первого (3) и второго (4) выходных транзисторов соединены с коллектором (стоком) первого (11) дополнительного транзистора, эмиттер (исток) которого связан с эмиттером (истоком) второго (12) дополнительного транзистора, причем база (затвор) второго (12) дополнительного транзистора соединена с коллектором (стоком) первого (3) выходного транзистора, а база первого (11) дополнительного транзистора связана с цепью смещения.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что цепь смещения содержит прямосмещенный р-n-переход (13).

3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что эмиттер (исток) входного транзистора (7) выходного эмиттерного (истокового) повторителя напряжения связан с источником опорного тока (8) и выходом комплементарного каскодного дифференциального усилителя (9) через последовательно включенные первую (10) и вторую (14) цепи смещения, общий узел которых соединен с базой (затвором) первого (11) дополнительного транзистора.

4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что объединенные базы (затворы) первого (3) и второго (4) выходных транзисторов связаны со вспомогательным источником тока (15).

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов с широким динамическим диапазоном, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, операционных усилителях (ОУ), непрерывных стабилизаторах напряжения и т.п.).

Известны схемы дифференциальных усилителей (ДУ) на n-р-n и р-n-р транзисторах с так называемой «архитектурой входного каскада операционного усилителя µA741» [1-30] или комплементарных каскодных дифференциальные усилители (ККДУ). На их модификации выдано более 50 патентов для ведущих микроэлектронных фирм мира. Дифференциальные усилители данного класса, наряду с типовым параллельно-балансным каскадом [29-30], стали основным усилительным элементом многих аналоговых интерфейсов. Предлагаемое изобретение относится к данному подклассу устройств.

Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является комплементарный каскодный дифференциальный усилитель, описанный в патентной заявке фирмы Texas Instruments США № 2006/0091952, содержащий первый 1 и второй 2 входные транзисторы одного типа проводимости, эмиттеры (истоки) которых соединены с эмиттерами (истоками) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов другого типа проводимости, причем базы (затворы) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов объединены, первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники нагрузки, подключенные к коллекторам (стокам) соответствующих первого 3 и второго 4 выходных транзисторов, входной транзистор (7) выходного эмиттерного (истокового) повторителя напряжения, база которого соединена с коллектором второго 4 выходного транзистора, а эмиттер связан с источником опорного тока 8 и выходом 9 комплементарного каскодного дифференциального усилителя.

По аналогичной структуре выполнен также комплементарный дифференциальный усилитель в патенте фирмы Analog Devices № 5406222 (фиг.2).

Существенный недостаток известного ККДУ состоит в том, что он имеет сравнительно большое напряжение смещения нуля (U_cм), а также невысокий коэффициент усиления по напряжению K_у=u_вых /u_вх.

Основная цель предполагаемого изобретения состоит в повышении статической точности ККДУ. Дополнительная цель - повышение коэффициента усиления дифференциального сигнала.

Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы одного типа проводимости, эмиттеры (истоки) которых соединены с эмиттерами (истоками) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов другого типа проводимости, причем базы (затворы) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов объединены, первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники нагрузки, подключенные к коллекторам (стокам) соответствующих первого 3 и второго 4 выходных транзисторов, входной транзистор 7 выходного эмиттерного (истокового) повторителя напряжения, база (затвор) которого соединена с коллектором (стоком) второго 4 выходного транзистора, а эмиттер (исток) - связан с источником опорного тока 8 и выходом 9 комплементарного каскодного дифференциального усилителя, предусмотрены новые элементы и связи (фиг.3) - эмиттер (исток) входного 7 транзистора выходного эмиттерного (истокового) повторителя связан с источником опорного тока 8 через цепь смещения, объединенные базы (затворы) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов соединены с коллектором (стоком) первого 11 дополнительного транзистора, эмиттер (исток) которого связан с эмиттером (истоком) второго 12 дополнительного транзистора, причем база (затвор) второго 12 дополнительного транзистора соединена с коллектором (стоком) первого 3 выходного транзистора, а база первого 11 дополнительного транзистора связана с цепью смещения.

Схема усилителя-прототипа представлена на фиг.1 (фиг.2). На фиг.3 показано заявляемое устройство в соответствии с п.1, п.2 формулы изобретения.

На фиг.4 показана схема ККДУ, соответствующего п.3 и п.4 формулы изобретения.

На фиг.5 показана схема заявляемого устройства фиг.4 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.6 - ККДУ - прототипа.

На фиг.7 показаны результаты компьютерного моделирования сравниваемых схем фиг.5, фиг.6 - зависимости их коэффициента усиления по напряжению от частоты. На фиг.8 представлены графики, характеризующие зависимость коэффициента по напряжению от частоты сравниваемых схем для случая, когда двухполюсники 5 и 6 (фиг.3, фиг.4) идеальны, т.е. имеют нулевую выходную проводимость. Сопоставление графиков фиг.7 и фиг.8 позволяет оценить интервал изменения коэффициента усиления по напряжению в зависимости от схемотехнических особенностей двухполюсников 5 и 6 заявляемого устройства и ДУ-прототипа.

Дифференциальный усилитель фиг.3 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы одного типа проводимости, эмиттеры (истоки) которых соединены с эмиттерами (истоками) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов другого типа проводимости, причем базы (затворы) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов объединены, первый 5 и второй 6 токостабилизирующие двухполюсники нагрузки, подключенные к коллекторам (стокам) соответствующих первого 3 и второго 4 выходных транзисторов, входной транзистор 7 выходного эмиттерного (истокового) повторителя напряжения, база которого соединена с коллектором второго 4 выходного транзистора, а эмиттер связан с источником опорного тока 8 и выходом 9 комплементарного каскодного дифференциального усилителя. Эмиттер (исток) входного 7 транзистора выходного эмиттерного (истокового) повторителя связан с источником опорного тока 8 через первую 10 цепь смещения, объединенные базы (затворы) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов соединены с коллектором (стоком) первого 11 дополнительного транзистора, эмиттер (исток) которого связан с эмиттером (истоком) второго 12 дополнительного транзистора, причем база (затвор) второго 12 дополнительного транзистора соединена с коллектором (стоком) первого 3 выходного транзистора, а база первого 11 дополнительного транзистора связана с первой цепью смещения 10.

В соответствии с п.2 формулы изобретения (фиг.3) первая цепь смещения 10 комплементарного каскодного дифференциального усилителя содержит прямосмещенный р-n переход 13.

В устройстве фиг.4, в соответствии с п.3 и п.4 формулы изобретения, эмиттер (исток) входного транзистора 7 выходного эмиттерного (истокового) повторителя напряжения связан с источником опорного тока 8 и выходом комплементарного каскодного дифференциального усилителя 9 через последовательно включенные первую 10 и вторую 14 цепи смещения, общий узел которых соединен с базой (затвором) первого 11 дополнительного транзистора. При этом объединенные базы (затворы) первого 3 и второго 4 выходных транзисторов могут быть связаны со вспомогательным источником тока 15.

Рассмотрим работу заявляемого ДУ фиг.4.

В статическом режиме в схеме фиг.4 устанавливаются следующие токи и напряжения:

I_э1=I_э2, I_к3+I _б12=I₅, I_к11 I₁₅,

I_к4+I_б7 =I₆=I₅, I_э2=I_э4 I_к4,

U_кб3 U_кб5, U_б5 U_б6, I_б12 I_б7,

где I_э, I _к, I_б - ток эмиттера, ток коллектора и ток базы транзисторов;

U_кб - напряжение коллектор-база;

I₅=I₆ - токи двухполюсников 5 и 6.

За счет соответствующего построения цепи смещения 14 можно обеспечить нулевой потенциал на выходе 9 при введении 100% общей отрицательной обратной связи на вход Вх. ^(-)1.

Благодаря предлагаемой схемотехнике в заявляемом устройстве при несимметричном выходе реализуется симметричный статический режим по напряжению коллектор-база транзисторов 3 и 4, а также транзисторов 12 и 7. Данное обстоятельство является необходимым условием минимизации статических погрешностей в схеме фиг.4, зависящих от токов базы транзисторов 12 и 7, а также эффекта Эрли в транзисторах 3 и 4. В результате более чем на порядок уменьшается напряжение смещения нуля (U_см), повышается коэффициент ослабления входных синфазных сигналов.

Замечательная особенность ККДУ фиг.4 состоит также в том, что его коэффициент усиления по напряжению К_у повышается более чем на 10-20 дБ (фиг.7, фиг.8) с одновременным увеличением площади усиления. Это связано с эффектом взаимной компенсации влияния на коэффициент усиления паразитных выходных проводимостей в цепи базы транзистора 7.

Таким образом, заявляемое устройство характеризуется существенными преимуществами в сравнении с прототипом. Полученные выше выводы подтверждаются результатами моделирования предлагаемой схемы в среде PSpice.

Литература

1. Патент США № 3.786.362.

2. Патент США № 4.030.044.

3. Патент США № 4.059.808, фиг.5.

4. Патент США № 4.286.227.

5. Авт. свид. СССР № 375754, H03f 3/38.

6. Авт. свид. СССР № 843164, H03f 3/30.

7. Патент США № 3.660.773.

8. Патент США № 4.560.948.

9. Патент РФ № 2930041, H03f 1/32.

10. Патент Японии № 57-5364, H03f 3/343.

11. Патент ЧССР № 134845, кл. 21а² 18/08.

12. Патент ЧССР № 134849, кл. 21а² 18/08.

13. Патент ЧССР № 135326, кл. 21а² 18/08.

14. Патент США № 4.389.579.

15. Патент Англии № 1543361, Н3Т.

16. Патент США № 5.521.552 (фиг.3а).

17. Патент США № 4.059.808.

18. Патент США № 5.789.949.

19. Патент США № 4.453.134.

20. Патент США № 4.760.286.

21. Авт. свид. СССР № 1283946.

22. Патент РФ № 2019019.

23. Патент США № 4.389.579.

24. Патент США № 4.453.092.

25. Патент США № 3.566.289.

26. Патент США № 4.059.808 (фиг.2).

27. Патент США № 3.649.926.

28. Патент США № 4.714.894 (фиг.1).

29. Матавкин В.В. Быстродействующие операционные усилители. - М.: Радио и связь, 1989.

30. М.Херпи. Аналоговые интегральные схемы. - М.: Радио и связь, 1983, стр.174, рис.5.52.