стеклокристаллический материал

Классы МПК:C03C10/08 алюмосиликат магния, например кордиэрит
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2008-04-22
публикация патента:

Изобретение относится к производству радиопрозрачных стеклокристаллических материалов. Технический результат изобретения заключается в уменьшении термического коэффициента линейного расширения, термостабилизации диэлектрической проницаемости и снижении температуры варки. Стеклокристаллический материал содержит следующие компоненты, мас.%: SiO2 - 43,8-52,5; Аl 2О3 - 24,6-30,2; MgO - 9,3-11,9; TiO2 - 8,8-12,9; Аs2О3 - 0,1-1,9; ZnO - 0-1,5; CeO2 - 0-2,5; фторопол - 0,1-7,5. 2 табл.

Формула изобретения

Стеклокристаллический материал, включающий SiO2 , Аl2O3, MgO, TiO2, As2 O3, отличающийся тем, что он дополнительно содержит ZnO, CeO2 и фторопол в следующем соотношении, мас.%: SiO2 43,8-52,5; Аl2О3 24,6-30,2; MgO 9,3-11,9; TiO2 8,8-12,9; Аs2О3 0,1-1,9; ZnO 0-1,5; CeO2 0-2,5; фторопол 0,1-7,5.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к производству радиопрозрачных стеклокристаллических материалов (ситаллов) в бесщелочной магнийалюмосиликатной системе с низким термическим расширением и высокой термостабильностью диэлектрической проницаемости вплоть до 1200°С для авиакосмической техники и ракетостроения. В настоящее время производство таких материалов в России отсутствует.

Наиболее известным стеклокристаллическим материалом, используемым в США для аналогичных целей, является пирокерам 9606 (З.Стрнад «Стеклокристаллические материалы», М. «Стройиздат», 1988, стр.108, 197-198), включающий следующие компоненты, мас.%:

SiО 2 - 56,0; Аl2О3 - 20,0; MgO - 15,0; TiO2 - 9,0

Недостатком этого материала является высокое значение температурного коэффициента линейного расширения (ТКЛР) стеклокристаллический материал, патент № 2374190 57·10-7, К-1 в интервале температур от 20 до 320°С.

Наиболее близким к изобретению по химическому составу является стеклокристаллический материал (патент США № 4304603 от 8 декабря 1981 г), содержащий следующие компоненты, мас.%:

SiО2 - 48,0-53,0;

Аl2О3 - 21,0-25,0;

MgO - 15,0-18,0;

TiO2 - 9,5-11,5;

As2О3 - 0-1,0

Данный стеклокристаллический материал характеризуется хорошими диэлектрическими свойствами (диэлектрической проницаемостью 8 и тангенсом угла диэлектрических потерь tgстеклокристаллический материал, патент № 2374190 ) и пониженным по сравнению с пирокерамом 9606 ТКЛР. Однако температура варки этих стекол составляет стеклокристаллический материал, патент № 2374190 1600°С. Высокое содержание оксида магния ведет к разъеданию огнеупоров, так как с ростом концентрации оксида магния повышается агрессивность расплава стекломассы по отношению к материалам варочных сосудов. Все это затрудняет получение качественного стекла в существующих стекловаренных печах. Кроме того присутствие кристобалита в качестве сопутствующей кристаллической фазы вызывает опасность растрескивания заготовок в процессе термообработки из-за значительной разности ТКЛР у кордиерита (основная кристаллическая фаза) и кристобалита. Высокие показатели свойств достигаются путем введения дополнительных технологических операций - химической обработки в растворах щелочи и кислоты.

Целью изобретения является уменьшение термического коэффициента линейного расширения, термостабилизация диэлектрической проницаемости в области рабочих температур и снижение температуры варки стекла.

Это достигается тем, что стеклокристаллический материал, включающий SiО2, Аl2О3, MgO, TiO2, As2О3 дополнительно содержит ZnO, СеО2 и фторопол в следующем соотношении, мас.%:

SiО2 - 43,8-52,5;

Аl 2О3 - 24,6- 30,2;

MgO - 9,3-11,9;

TiO2 - 8,8-12,9;

As 2О3 - 0,1-1,9;

ZnO - 0-1,5;

СеО2 - 0-2,5;

Фторопол - 0,1-7,5

Авторы установили, что сочетание компонентов в заявляемом количественном соотношении позволяет получить стеклокристаллический материал с низким значением ТКЛР, добиться термостабилизации диэлектрической проницаемости вплоть до 1200°С и снизить температуру варки до (1550±10)°С. Кроме того, уменьшение концентрации оксида магния снижает агрессивность расплава стекломассы по отношению к огнеупору, что позволяет получать качественную стекломассу в существующих стекловаренных печах.

В таблице 1 приведены примеры конкретного выполнения составов стеклокристаллического материала, мас.%.

Таблица 1
Наименование компонента Номер стекла
12 34 5
SiО 243,8 47,5 51,549,7 47,7
Аl 2О3 29,827,9 25,324,6 28,0
MgO 11,8 9,79,5 10,59,4
TiO2 12,7 11,911,0 8,811,0
As2О 31,8 0,5 0,20,1 0,4
ZnO - -1,4 -1,0
СеО2 - 2,41,0 --
Фторопол 0,10,1 0,16,3 2,5

Сочетание приведенного состава и выбранного режима термообработки с максимальной температурой кристаллизации (1270-1320)°С позволило снизить температурный коэффициент линейного расширения. В качестве основных кристаллических фаз в полученном стеклокристаллическом материале присутствуют кордиерит и рутил, что способствует стабилизации диэлектрических свойств.

В таблице 2 приведены свойства синтезированных стеклокристаллических материалов.

Таблица 2
№ п/п Наименование свойств Един. измер. Номера стекол
12 34 5Прототип
1 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 при частоте 1010 гц стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190
при: 20°Сстеклокристаллический материал, патент № 2374190 7,62 7,12 6,526,29 7,536
700°С стеклокристаллический материал, патент № 2374190 7,65 7,18 6,556,32 7,59стеклокристаллический материал, патент № 2374190
1200°Сстеклокристаллический материал, патент № 2374190 7,67 7,19 6,596,35 7,60стеклокристаллический материал, патент № 2374190
стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 % 0,660,98 1,070,95 0,92стеклокристаллический материал, патент № 2374190
2tgстеклокристаллический материал, патент № 2374190 при частоте 1010 гц стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190 стеклокристаллический материал, патент № 2374190
при: 20°Сtgстеклокристаллический материал, патент № 2374190 ·104 1913 913 133,5
700°С стеклокристаллический материал, патент № 2374190 55 195179 246251 стеклокристаллический материал, патент № 2374190
1200°Сстеклокристаллический материал, патент № 2374190 211 390368 470370 стеклокристаллический материал, патент № 2374190
3ТКЛР(20-300)°С стеклокристаллический материал, патент № 2374190 ·107, 159 2612 1230-44,4
(20-900)°С К-1 2520 3026 20стеклокристаллический материал, патент № 2374190
4Температура варки °С 15501550 15401530 15401600
5 Температура крист. °С1320 1260 12701230 12301000-1300
6 Кристаллические фазы стеклокристаллический материал, патент № 2374190 Корд. Рутил Сил.Корд. Рутил Сил.Корд. Рутил Корд. Рутил Сил. Корд. Рутил Кордиерит Рутил кристобалит алюмотитанат Mg
Примечание. Корд. - кордиерит; Сил. - силлиманит.

Из приведенных данных видно, что предлагаемый состав стеклокристаллического материала позволяет снизить температуру варки до 1550±10°С, уменьшить температурный коэффициент линейного расширения в рабочем диапазоне температур и стабилизировать диэлектрическую проницаемость до температуры 1200°С. Все приведенные составы соответствуют цели изобретения.

Используемая литература:

1. З.Стрнад «Стеклокристаллические материалы», М. «Стройиздат», 1988, стр.108, 197-198).

2. Патент США № 4304603 от 8 декабря 1981 г.

Наверх