полевой транзистор, имеющий канал, содержащий оксидный полупроводниковый материал, включающий в себя индий и цинк
| Классы МПК: | H01L29/786 тонкопленочные транзисторы |
| Автор(ы): | ИВАСАКИ Тацуя (JP), ДЕН Тору (JP), ИТАГАКИ Нахо (JP) |
| Патентообладатель(и): | КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP) |
| Приоритеты: |
подача заявки:
2006-09-05 публикация патента:
27.10.2009 |
Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 атомных %, и не больше, чем 55 атомных %. Когда в материал введен Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 атомных % или меньше. Данный транзистор имеет улучшенную S-величину и дрейфовую подвижность. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 25 ил. 
Формула изобретения
1. Полевой транзистор, содержащий канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, в котором атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 ат.%, и не больше чем 55 ат.%; причем Ga не вводят в упомянутый оксидный полупроводниковый материал или, в случае введения Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 ат.% или меньше.
2. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 15 ат.% или меньше.
3. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 5 ат.% или меньше.
4. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет не меньше чем 5 ат.% и не больше чем 15 ат.%.
5. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет 40 ат.% или больше.
6. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет 50 ат.% или меньше.
7. Полевой транзистор, содержащий канал, сделанный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, где оксидный полупроводник имеет композицию в области, ограниченной Y, h, i и k, показанных в таблице 1.
Таблица 1
8. Полевой транзистор, содержащий канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, где оксидный полупроводник имеет композицию в области, ограниченной a, f, i и k, показанных в таблице 1 относительно In, Zn и Ga, и дополнительно включает в себя добавляемое туда Sn:
Таблица 1
9. Полевой транзистор по п.8, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Sn/(Sn+In+Zn), составляет 0,1 ат.% или больше и 20 ат.% или меньше.
Описание изобретения к патенту
Текст описания приведен в факсимильном виде. 
Класс H01L29/786 тонкопленочные транзисторы
