аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Формула изобретения

1. Аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 10 ¹²/см³ до 10¹⁸/см³, причем упомянутый аморфный оксид содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой.

2. Аморфный оксид по п.1, в котором аморфный оксид выбирают из группы, состоящей из: оксида, содержащего In, Zn и Sn; оксида, содержащего In и Zn; оксида, содержащего In и Sn; и оксида, содержащего In.

3. Аморфный оксид по п.1, содержащий In, Ga и Zn.

4. Аморфный оксид по п.1, в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей.

5. Полевой транзистор, содержащий активный слой из аморфного оксида, содержащего по меньшей мере один микрокристалл и электрод затвора, сформированный таким образом, что он обращен к активному слою через изолятор затвора, причем упомянутый аморфный оксид содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой.

6. Полевой транзистор по п.5, причем транзистор представляет собой транзистор нормально выключенного типа.

Описание изобретения к патенту

Текст описания приведен в факсимильном виде.