способ обработки кварцевой оснастки

Классы МПК:H01L21/306 обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2008-01-22
публикация патента:

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Сущность изобретения: в способе обработки кварцевой оснастки, включающем обработку кварцевой трубы после высокотемпературных операций в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, обработку кварцевой трубы проводят при комнатной температуре в течение 30±10 минут в растворе при следующем соотношении компонентов HF:H2O=1:4, после обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут. Техническим результатом изобретения является полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры и качества обработки кварцевых труб.

Формула изобретения

Способ обработки кварцевой оснастки, включающий обработку кварцевой трубы после высокотемпературных операций в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, отличающийся тем, что обработку кварцевой трубы проводят при комнатной температуре в течение 30±10 мин в растворе при следующем соотношении компонентов HF:H2O=1:4, после обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 мин.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Известны способы обработки изделий из кварца. Обработку кварца проводят при более высоких температурах, чем обработку стекла (см. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа. 1980. Стр. 272-273; Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. М.: Радио и связь. - 1988. Стр.48-50).

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей с кварцевой трубы после ряда диффузионных операций - диффузия бора, диффузия фосфора.

Техническим результатом изобретения является полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры и качества обработки кварцевых труб.

Технический результат достигается тем, что удаление загрязнений с кварцевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фтористоводородная кислота - HF и деионизованная вода - H2O в соотношении 1:4. Длительность обработки составляет 30±10 минут. После обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.

Сущность способа заключается в том, что кварцевая труба подвергается обработке в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при определенном соотношении, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Обработку проводят при длительности процесса 30±10 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

HF:H2O=1:4

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 35 минут.

После обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 35 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов: HF:H 2O=1:4.

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30 минут.

После обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов: HF:H2O=1:4.

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 25 минут.

После обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 25 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры и качества обработки кварцевых труб.

Класс H01L21/306 обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление

устройство химико-динамического травления германиевых подложек -  патент 2520955 (27.06.2014)
способ и устройство отмывки и сушки подложек -  патент 2510098 (20.03.2014)
способ очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин -  патент 2507630 (20.02.2014)
способ очистки поверхности полупроводниковых пластин -  патент 2495512 (10.10.2013)
способ консервации поверхности подложек из арсенида галлия -  патент 2494493 (27.09.2013)
способ формирования полости в подложке из арсенида галлия -  патент 2488189 (20.07.2013)
способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель -  патент 2485628 (20.06.2013)
способ изготовления универсальных датчиков состава газа -  патент 2449412 (27.04.2012)
кассета для жидкостной обработки полупроводниковых пластин -  патент 2432638 (27.10.2011)
способ травления материала на основе кремния с образованием кремниевых столбиков и перезаряжаемый литиевый аккумулятор с анодом, выполненным из материала, травленного этим способом -  патент 2429553 (20.09.2011)
Наверх