материал, поглощающий электромагнитное излучение

Классы МПК:G12B17/02 от электрических и магнитных полей, например радиоволн 
G01S7/00 Элементы конструкции систем, отнесенных к группам  13/00, 15/00, 17/00
H05K9/00 Экранировка аппаратов или их деталей от электрических или магнитных полей
B82B1/00 Наноструктуры
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2008-03-17
публикация патента:

Изобретение относится к области использования наноматериалов. Предлагается применять углерод луковичной структуры в качестве чувствительного элемента детектора в терагерцовом диапазоне волн, поглощающего электромагнитное излучение (ЭМИ) в диапазоне в области частот 30-230 ТГц. 3 ил. материал, поглощающий электромагнитное излучение, патент № 2363997

материал, поглощающий электромагнитное излучение, патент № 2363997 материал, поглощающий электромагнитное излучение, патент № 2363997 материал, поглощающий электромагнитное излучение, патент № 2363997

Формула изобретения

Применение углерода луковичной структуры в качестве чувствительного элемента детектора в терагерцовом диапазоне волн, поглощающего электромагнитное излучение (ЭМИ) в диапазоне частот 30-230 ТГц.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области получения наноматериалов, которые могут быть использованы в качестве материала, поглощающего электромагнитное излучение (ЭМИ) в диапазоне 30 - 230 ТГц, в качестве чувствительного элемента различных датчиков, регистрирующих ЭМИ в терагерцовом диапазоне волн, а так же как материал, экранирующий от ЭМИ в этом диапазоне.

Аналогом данного материала является углерод луковичной структуры (УЛС) в диапазоне волн 500 МГц - 30 ТГц (US 2006241236, Al, G01S7/00, 26.10/1006) и природный минерал шунгит (US 7239261, Н05К9/00, 17.02.2005), содержащий в качестве одного из компонентов фуллереноподобные полусферы размером от 15 до 100 А

Шунгиты как материалы природного происхождения имеют неконтролируемый размер частиц и морфологию графеновых образований. Кроме того, они содержат большое количество минеральных компонентов, что обуславливает существенное изменение количественных и структурных характеристик от месторождения к месторождению, и, в конечном счете, также влияет на чувствительность конечного изделия, получаемого из них.

Ранее было описано получение углерода луковичной структуры (УЛС) и его использование в качестве материала, ослабляющего электромагнитное излучение в диапазоне частот 500 МГц - 30 ТГц. Углерод луковичной структуры (УЛС) получают отжигом ультрадисперсных алмазов при температуре 1100-2000°C в вакууме при давлении не выше 10-2 Па или в инертной атмосфере. (RU 2094370, С01В 31/00, 27.10.97; Kuznetsov V.L., Chuvilin A.L., Butenko Yu.V. et. al // Chem. Phys. Lett. 1994. V.222. P.343; Kuznetsov V.L., Butenko Yu.V. // Ultrananocrystalline Diamond: Synthesis, Properties and Applications/ Ed. By O. Shenderova, D.Gruen. William Andrew Publishing, 2006. P.405).

Авторами установлено, что описанный выше углерод луковичной структуры (УЛС) способен поглощать электромагнитное излучение (ЭМИ) в диапазоне частот 30-230 ТГц, имеет низкую отражательную способность и способен практически полностью ослаблять ЭМИ в этой области.

Эти впервые обнаруженные свойства известного ранее материала (RU 2094370, С01В 31/00, 27.10.97) делают возможным его применение в качестве чувствительного элемента детектора в терагерцовом диапазоне волн, поглощающего электромагнитное излучение (ЭМИ) в области частот в диапазоне 30-230 ТГц.

Сущность изобретения заключается в том, что углерод луковичной структуры (УЛС) применяют как чувствительный элемент детектора в терагерцовом диапазоне волн.

Высокие поглощающие свойства и малый коэффициент отражения предлагаемого материала делают его одним из возможных материалов чувствительного материала детектора терагерцового излучения - болометра, а также дают предпосылки использования данного материала для экранирования от ЭМИ в терагерцовом диапазоне волн.

Получение УЛС осуществляют путем термического отжига взрывных наноазмазов (НА) в вакууме (RU 2094370, С01В 31/00, 27.10.97).

Поскольку исходные наноалмазы производят в количестве нескольких тонн в год, этот способ позволяет получать УЛС в крупных масштабах. В Институте катализа СО РАН был исследован механизм формирования углерода луковичной структуры (УЛС), разработаны методы получения различных видов УЛС, а также sp2/sp3 композитов и исследованы свойства этих материалов.

С помощью просвечивающей электронной микроскопии установлено, что графитизация наноалмазов начинается при температурах прогрева выше 1200 K. Образец НА, прогретый при 1170 K, представляет собой частицы алмаза со средним размером первичных частиц 4.2 нм. Расстояние между кристаллографическими плоскостями составляет 2.06 A, что соответствует расстоянию между плоскостями (111) алмаза. Отжиг при температуре 1800 K и выше приводит к полному превращению частиц наноазмазов (НА) в УЛС. Получаемые таким способом частицы УЛС представляют собой квазисферические многослойные графитоподобные частицы, образованные свернутыми высокодефектными графеновыми листами.

Исследование проводимости УЛС и композитов НА-УЛС показали, что для них характерно наличие прыжковой проводимости. Благодаря особенности строения этих систем пространственная размерность движения носителей заряда в них может изменяться от одномерной до двумерной. Фиг.3 обобщает данные по исследованию проводящих свойств УЛС (также с использованием данных по магниторезистивности). Можно видеть иерархическую схему организации материала на основе УЛС: первичные частицы УЛС размером 4-6 нм (в зависимости от размеров исходных наноазмазов (НА)) образуют агрегаты с размером 10-1000 нм, которые в свою очередь формируют макроскопические частицы образца. Так, элементарной частицей является первичная частица НА; агрегаты образованы первичными частицами УЛС, образованными в результате отжига первичных частиц наноазмазов (НА) с когерентными и некогерентными границами; агрегаты связаны между собой ван-дер-ваальсовыми силами и силами электростатического взаимодействия. Отдельные первичные частицы УЛС в пределах одного агрегата могут иметь общие искривленные графеновые оболочки или связываться между собой C-C связями. Число носителей тока n может изменяться в зависимости от условий приготовления образца в достаточно широких пределах: от 8*1021 см-1 (для образца, полученного при температуре 1800 К) до 3*1021 см -1 (для образца полученного, при температуре 2140 К). Длина свободного пробега электронов соответствует расстоянию между дефектами графенового слоя, область локализации носителей тока определяется размерами агрегата УЛС.

Сущность изобретения иллюстрируется следующими примерами и иллюстрациями.

Фиг.1 - устройство (болометр) для регистрации ЭМИ в терагерцовом диапазоне. К подложке прикреплен проводник, изменяющий сопротивление при изменении температуры. На проводник нанесен чувствительный слой, представляющий собой непроводящую суспензию УЛС в полимерной матрице с высокой теплопроводностью. Концентрация УЛС в матрице должна быть ниже порога перколяции, т. к иначе УЛС будет шунтировать проводник и вносить погрешность в измерения.

Фиг.2 - другое возможное устройство болометра. Здесь УЛС сразу преобразует поглощенную энергию в электрический отклик детектора. Представляет собой подложку с нанесенными проводниками. На проводники нанесена суспензия УЛС в полимерной матрице с концентрацией частиц УЛС выше порога перколяции. Удельное сопротивление УЛС сильно зависит от температуры, поэтому этот вариант не требует дополнительного преобразования тепловой энергии в электрическую.

Фиг.3 - спектры пропускания в диапазоне 30-230 ТГц для образцов УЛС (DH1800) и НА в матрице из КВr (толщина 0.25 мм, в скобках указано весовое содержание).

Пример 1.

Поглощение ИК-излучения в диапазоне 30-250 ТГц было исследовано для образцов НА и УЛС, распределенных в матрице из КВr.

На Фиг.3 приведены сравнительные спектры пропускания образцов УЛС и НА с содержанием 0.02-2 мас.%.

Можно видеть, что несмотря на сходный состав поверхностных групп, поглощение ИК-излучения частицами УЛС происходит в существенно большей степени по сравнению с НА аналогичной и даже более высокой концентрации.

По всей видимости поглощение падающего ЭМ-излучения происходит не только за счет его взаимодействия с поверхностными группами углеродного образца, но и вследствие диссипации энергии во внутренней структуре, например, за счет активации прыжковой проводимости в агрегатах УЛС.

На Фиг.1-2 изображены устройства (болометры) для регистрации электромагнитного излучения (ЭМИ) в терагерцовом диапазоне с применением описанного выше углерода луковичной структуры.

Класс G12B17/02 от электрических и магнитных полей, например радиоволн 

многослойный композиционный материал для защиты от электромагнитного излучения -  патент 2529494 (27.09.2014)
изделие для электромагнитного экранирования -  патент 2490732 (20.08.2013)
многослойный электромагнитный экран для защиты фотоэлектронных умножителей и способ его нанесения -  патент 2474890 (10.02.2013)
электромагнитный экран -  патент 2442233 (10.02.2012)

магнитоэлектрический экран -  патент 2442174 (10.02.2012)

защитный экран от воздействия электромагнитных излучений -  патент 2439722 (10.01.2012)
композиционный материал для защиты от электромагнитного излучения -  патент 2430434 (27.09.2011)
устройство для надежного экранирования излучения от электронной аппаратуры и способ его изготовления -  патент 2423741 (10.07.2011)
металлическая сеточная структура и способ ее изготовления -  патент 2421833 (20.06.2011)
устройство защиты технического средства обработки информации от утечки информации по каналу побочных электромагнитных излучений и наводок в линии передачи данных локальных вычислительных сетей -  патент 2408173 (27.12.2010)

Класс G01S7/00 Элементы конструкции систем, отнесенных к группам  13/00, 15/00, 17/00

способ юстировки радиолокационных станций -  патент 2527939 (10.09.2014)
эталонное рабочее место абсолютной прецизионной калибровки запаздывания огибающих литерных частот в приемнике сигналов глонасс -  патент 2525853 (20.08.2014)
способ теплорадиотехнических испытаний радиопрозрачных обтекателей летательных аппаратов -  патент 2525844 (20.08.2014)
детектор радаров, взаимодействующий с мобильным устройством связи -  патент 2525835 (20.08.2014)
согласование шума в связанных антенных решетках -  патент 2525747 (20.08.2014)
способ определения моментов выдачи команд на пуск и подрыв защитного боеприпаса. радиовзрыватель -  патент 2525303 (10.08.2014)
способ автоматизированной калибровки следящих антенных систем -  патент 2524788 (10.08.2014)
адаптивный двухпороговый обнаружитель сигналов цифрового панорамного приемника модульного типа -  патент 2524551 (27.07.2014)
имитатор сигнала радиолокатора с синтезированной апертурой -  патент 2522502 (20.07.2014)
способ калибровки радиолокационной станции по величине эффективной поверхности рассеяния при динамических измерениях эффективной поверхности рассеяния баллистических и космических объектов -  патент 2519820 (20.06.2014)

Класс H05K9/00 Экранировка аппаратов или их деталей от электрических или магнитных полей

многослойный композиционный материал для защиты от электромагнитного излучения -  патент 2529494 (27.09.2014)
термостойкое радиопоглощающее покрытие на минеральных волокнах -  патент 2526838 (27.08.2014)
композитная пленка из линейно-процарапанной, тонкой металлической пленки и пластиковой пленки, а также установка для ее производства -  патент 2519942 (20.06.2014)
композит для электромагнитного экранирования -  патент 2511717 (10.04.2014)
уплотнение, содержащая его система и способ изготовления уплотнения -  патент 2504933 (20.01.2014)
остекление кабины экипажа летательного аппарата, снабженное электромагнитным экраном, и летательный аппарат -  патент 2502632 (27.12.2013)
изделие для электромагнитного экранирования -  патент 2490732 (20.08.2013)
модуль приемника сигналов глобальных навигационных спутниковых систем -  патент 2489728 (10.08.2013)
способ повышения теплоотдачи и радиационной защиты электронных блоков -  патент 2488244 (20.07.2013)
способ получения магнитной композиции -  патент 2485729 (20.06.2013)

Класс B82B1/00 Наноструктуры

многослойный нетканый материал с полиамидными нановолокнами -  патент 2529829 (27.09.2014)
материал заменителя костной ткани -  патент 2529802 (27.09.2014)
нанокомпозитный материал с сегнетоэлектрическими характеристиками -  патент 2529682 (27.09.2014)
катализатор циклизации нормальных углеводородов и способ его получения (варианты) -  патент 2529680 (27.09.2014)
способ определения направления перемещения движущихся объектов от взаимодействия поверхностно-активного вещества со слоем жидкости над дисперсным материалом -  патент 2529657 (27.09.2014)
способ формирования наноразмерных структур -  патент 2529458 (27.09.2014)
способ бесконтактного определения усиления локального электростатического поля и работы выхода в нано или микроструктурных эмиттерах -  патент 2529452 (27.09.2014)
способ изготовления стекловидной композиции -  патент 2529443 (27.09.2014)
комбинированный регенеративный теплообменник -  патент 2529285 (27.09.2014)
способ изготовления тонкопленочного органического покрытия -  патент 2529216 (27.09.2014)
Наверх