способ получения особо чистого кремния

Классы МПК:C01B33/02 кремний
C25B1/00 Электролитические способы получения неорганических соединений или неметаллов
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2008-03-24
публикация патента:

Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Кремний получают электролитическим восстановлением из водного раствора кремнефторида аммония. Электролиз проводят в интервале рН 3-7,5. Предложенное изобретение позволяет упростить технологическую схему, снизить энергоемкость переработки и себестоимость продукта.

Формула изобретения

Способ получения особо чистого кремния, включающий восстановление кремния электролизом, отличающийся тем, что в качестве электролита используют водный раствор кремнефторида аммония, электролиз ведут в интервале рН 3-7,5.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к химической технологии получения особо чистого кремния и может быть использовано для изготовления полупроводников и фотогальванических элементов.

Известен способ получения полупроводникового кремния [RU 2035397], включающий взаимодействие кремнефторсодержащего соединения с восстановителем. В качестве кремнефторсодержащего соединения используют кремнефтористоводородную кислоту, полученную при обработке деионизированной водой предварительно очищенного вымораживанием или контактированием с активированным углем тетрафторида кремния, образующегося при взаимодействии песка с раствором фтористоводородной кислоты в присутствии концентрированной серной кислоты, в качестве восстановителя используют атомарный водород.

Недостатки способа: дорогостоящая стадия очистки кремнефтористоводородной кислоты с помощью вымораживания; низкий выход кремния, связанный с быстрой потерей атоматизации.

Известен способ [RU 2272785], выбранный в качестве прототипа, включающий фторирование диоксида кремния элементным фтором, очистку тетрафторида кремния от примесей, насыщение им расплава солей, электролитическое восстановление кремния с попутным получением оборотного фтора, отделение кремния от расплава солей.

Недостатком способа является многостадийность технологии, низкая степень насыщения тетрафторидом кремния расплава солей, сложность аппаратурного оформления и дороговизна процессов фторирования диоксида кремния и очистки кремния от электролита.

Задачей изобретения является упрощение технологической схемы, снижение энергозатрат и себестоимости конечной продукции.

Действием фторида аммония на диоксид кремния или силикаты получают гексафторосиликат аммония ((NH4)2SiF6), который является легкорастворимым в воде, неагрессивным веществом с температурой сублимации 320°С, что позволяет проводить очистку от легколетучих примесей, в том числе от соединений фосфора и бора (температуры кипения PF3, PF5, BF3 менее -85°С). К кремнию как к полупроводнику предъявляются высокие требования по содержанию фосфора и бора, очистка от которых легко осуществима при фтороаммонийной переработке исходного сырья, в отличие от использования других фторирующих агентов (F 2, HF, HFaq), с которыми образуется тетрафторид кремния с температурой кипения -80°С. Таким образом, при переработке кварцевого сырья фторидами аммония возможно полное отделение от примесей.

Сущность изобретения заключается в электролитическом восстановлении кремния из водного раствора кремнефторида аммония. Исходный кварцевый песок смешивают с фторсодержащей солью аммония, смесь нагревают с образованием кремнефторида аммония, который отделяют от примесей возгонкой с последующим растворением возгона.

Фторсодержащую соль аммония берут в количестве 50-125% от стехимометрического соотношения, с учетом протекания реакций:

SiO2+6NH4F=(NH 4)2SiF6+4NH3+2H2 О,

SiO2+3NH4HF2 =(NH4)2SiF6+NH3+2H 2О.

В результате электролиза кремнефторида аммония получают кремний чистотой не менее 99,9%. Основной примесью является фтор, который отделяется при перекристаллизации. Электролиз с наибольшей скоростью ведут при рН раствора 3-7,5. При рН больше 7,5 в электролите образуется осадок кремнегеля (SiO2 ·nH2O), что снижает концентрацию диссоциированных ионов. При рН менее 3 скорость осаждения кремния на катоде снижается из-за частичного взаимодействия с фтор-ионами.

Пример 1

Кварцевый песок смешивают с гидродифторидом аммония в массовом соотношении 1:3, смесь нагревают до 150°С, выдерживают при этой температуре 0,5 часа для более полного взаимодействия, затем гексафторосиликат отгоняют при температуре 350°С в течение часа. Возгон растворяют в воде, полученный раствор объемом 1 л с концентрацией гексафторосиликата аммония 100 г/л (или 0,56 моль/л) помещают в ванну электролизера. В качестве катода берут пластину из стали, анод - графитовый. Электролиз ведут при плотности катодного тока 50 мА/см2 , напряжение на электродах 9 В, рН раствора 6. Время ведения процесса 3 часа, после чего отделяют слой кремния от электрода, промывают водой и сушат. Масса полученного кремния 4,7 г (30% извлечения из раствора). Кремний получают в аморфном виде с чистотой не менее 99,9%.

Пример 2

Отличается от Примера 1 тем, что в качестве электролита используют раствор гексафторосиликата аммония с концентрацией 178 г/л (или 1 моль/л). Электролиз ведут при рН раствора 6,5 в течение 1 часа. Масса полученного кремния 3,64 г (13% извлечения кремния из раствора).

Пример 3

Отличается от Примера 2 тем, что электролиз ведут при катодной плотности тока менее 20 мА/см 2, с получением в конечном итоге на катоде слоя поликристаллического кремния.

Пример 4

Отличается от Примеров 1, 2, 3 тем, что анод используют из благородного металла или из другого металла с нанесенным покрытием благородного металла.

Класс C01B33/02 кремний

способ получения полупроводниковых наночастиц, заканчивающихся стабильным кислородом -  патент 2513179 (20.04.2014)
способ получения материала, содержащего фуллерен и кремний -  патент 2509721 (20.03.2014)
способ получения гранул кремния высокой чистоты -  патент 2477684 (20.03.2013)
способ получения нанокристаллического кремния -  патент 2471709 (10.01.2013)
способ десорбции кремния с анионитов -  патент 2456237 (20.07.2012)
способ и устройство для получения энергии -  патент 2451057 (20.05.2012)
способ десорбции кремния с анионитов -  патент 2448042 (20.04.2012)
способ получения кремния -  патент 2441838 (10.02.2012)
способ увеличения светостойкости лакокрасочных покрытий и защитных составов -  патент 2441046 (27.01.2012)
способ сплавления порошка кремния -  патент 2429196 (20.09.2011)

Класс C25B1/00 Электролитические способы получения неорганических соединений или неметаллов

способ получения йодирующего агента -  патент 2528402 (20.09.2014)
способ получения жидкого средства для очистки воды -  патент 2528381 (20.09.2014)
способ получения нановискерных структур оксидных вольфрамовых бронз на угольном материале -  патент 2525543 (20.08.2014)
бортовая электролизная установка космического аппарата -  патент 2525350 (10.08.2014)
способ получения магнетита -  патент 2524609 (27.07.2014)
способ электролиза водных растворов хлористого водорода или хлорида щелочного металла в электролизере и установка для реализации данного способа -  патент 2521971 (10.07.2014)
способы получения водорода из воды и преобразования частоты, устройство для осуществления первого способа (водородная ячейка) -  патент 2521868 (10.07.2014)
способ и устройство для получения водорода из воды -  патент 2520490 (27.06.2014)
способ преобразования солнечной энергии в химическую и аккумулирование ее в водородсодержащих продуктах -  патент 2520475 (27.06.2014)
активация катода -  патент 2518899 (10.06.2014)
Наверх