высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития

Классы МПК:C22C29/18 на основе силицидов
H01L39/12 отличающиеся материалом
Патентообладатель(и):Дончак Андрей Александрович (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2004-05-17
публикация патента:

Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости. Может использоваться при создании линий электропередач и энергетических установок. Высокотемпературный сверхпроводник на основе соединения лития Si1-xCxLi 4, где 0высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 хвысокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 0,02. Применение соединения лития в качестве сверхпроводника позволяет повысить критическую температуру сверхпроводящего перехода.

Формула изобретения

Высокотемпературный сверхпроводник из соединения лития, отличающийся тем, что он выполнен на основе соединения Si1-xC xLi4, где 0высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 хвысокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 0,02.

Описание изобретения к патенту

Область техники.

Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости и может быть использовано при создании перспективных линий электропередач и энергетических установок.

Уровень техники.

Параметры известных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) прежде всего на основе сверхпроводящих керамических материалов подошли к предельным значениям, и повышение их качественных характеристик за последние годы замедлилось.

До сих пор в ВТСП-керамике не удалось преодолеть существенную анизотропию свойств, связанную с наиболее типичным характером проводимости в купратных плоскостях, что в свою очередь приводит к значительным затруднениям в создании протяженных линий. Не удается также устойчиво повысить Т c. В этой связи обращают на себя внимание новые направления в физике сверхпроводимости: фулерены и материалы со значительными фазовыми переходами. Среди последних наиболее близким к заявляемому является «Высокотемпературный сверхпроводник» - Патент № 2128383 от 27 марта 1999 г. ([1] прототип).

В прототипе в качестве высокотемпературного сверхпроводника был предложен фосфид лития Li3P повышенной плотности. И действительно, в работе [2] был подтвержден фазовый переход Li3P под воздействием высокого давления Р=50 кБар и температуры Т~700°С в более плотное состояние р~1,7 г/см 3. Дальнейшие исследования показали, что сопротивление образца обращается в 0 при давлении Р~70 кБар, Твысокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 1000°С, сохраняется таковым до комнатных температур, но при снятии давления происходит обратный переход. Кроме того, хотя фосфид лития повышенной плотности обладает большей химической устойчивостью, нежели исходный, все-таки сохраняющееся разложение под воздействием минимальной влажности воздуха, деградация свойств серьезно затрудняют дальнейшие исследования и применение.

Предложенный высокотемпературный сверхпроводник, в котором применяется силицид лития повышенной плотности высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 >1,2 г/см3, устраняет эти недостатки.

Сущность изобретения.

Сущность изобретения заключается в том, что предлагается высокотемпературный сверхпроводник, отличающийся тем, что для повышения критической температуры сверхпроводящего перехода Тc представляет из себя силицид лития SiLi 4 с добавлением карбида лития согласно Si1-x CxLi4 (0высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 хвысокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 1) фазы высокого давления.

Основной сущностью предлагаемого соединения в качестве перспективного сверхпроводника является изменение характера фазового перехода. Если в прототипе [1] ионизация внешнего S-уровня фосфора оказалась устойчивой только под воздействием высокого давления, то в предлагаемом соединении на основе силицида лития фазовый переход связан с S-P гибридизацией:

3S2P2 (Si)+4высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 (Li)высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 3(S-Р)8

А такого рода фазовые переходы, характерные для кремния и углерода, когда все валентные электроны участвуют в образовании гибридных S-P орбиталей, приводят к сильным и устойчивым связям.

В предлагаемом соединении Si1-xCxLi4, с учетом обилия металла (Li), близком к сплаву, при образовании зоны проводимости сохраняется сильная электрон-фононная связь.

Поэтому для соединения на основе силицида лития Si1-xC xLi4 фазы высокого давления, в частности, справедлив блоховский подход и можно рассматривать движение полярона большого радиуса в сплошной слабо поляризуемой (средний дипольный момент молекул Pc=0) диэлектрической среде. Но в этом случае биполярон практически не отличается от куперовской пары. Тогда физический механизм ВТСП можно представить следующим образом: формальная независимость высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 и высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 в уравнениях Элиашберга оказывается оправданной, т.к. достаточно сильное взаимодействие электронов с локализованными фононами не оказывает значительного обратного воздействия на кристаллическую решетку из-за слабой связи электронов с колебаниями решетки и внутримолекулярных колебаний с низкочастотными акустическими колебаниями тяжелых ионов.

В этой области

высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 ~1, ne~1, высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677

- условия полярона большого радиуса, где высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 - параметр связи, nе - концентрация электронов на сложный ион, Е - ширина исходной зоны. ЕВ - энергия локализации полярона на узле поляронной сверхпроводимости [3] и сильной электрон-фононной связи [4] близки, и для оценки Т c, при незначительном изменении частоты молекулярных колебаний в твердом теле можно записать:

высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 ,

Где высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 e~высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 m,

высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 , высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677 , высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития, патент № 2351677

где U - энергия связи ионов фосфора и лития;

m1, m2 - массы ионов;

Ro - длина химической связи, коэффициент С~1/2.

Эта оценка дает Тс~500°С при одновременном достижении однородного характера сверхпроводимости, что значительно повышает параметры известных сверхпроводников. Следует обратить внимание, что здесь, как и в других случаях использования разных фазовых состояний вещества, само вещество, его химический состав не изменяются.

Плотность силицида лития фазы высокого давления должна превышать р>1,2 г/см3.

Литература.

1. А.А.Дончак. Высокотемпературный сверхпроводник. Патент на изобретение № 2128383 от 27 марта 1999 г.

2. В.П.Калинин, А.А.Дончак и др. Фаза высокого давления Li3Р. Материаловедение, № 2, стр.40-42, 1999 г.

3. А.С.Александров, А.Б.Кребс // УФН. 1992. Т.162. № 5. С.1.

4. Г.М.Элиашберг. Взаимодействие электронов с колебаниями решетки в сверхпроводниках. - ЖЭТФ. 1960. - 38 - С.976.

5. Pell E.M. J. phys. chem. solids, 1957, v3, № 1-2, p.77.

Класс C22C29/18 на основе силицидов

способ получения композиционного материала на основе силицида ниобия nb5si3 (варианты) -  патент 2511206 (10.04.2014)
композиционный материал на основе карбосилицида титана -  патент 2421534 (20.06.2011)
шихта для получения в режиме горения литого композиционного материала дисилицида молибдена и вольфрама -  патент 2419664 (27.05.2011)
способ получения композиционного материала на основе карбосилицида титана -  патент 2410197 (27.01.2011)
способ получения литого дисилицида молибдена в режиме горения -  патент 2367702 (20.09.2009)
способ изготовления порошковых нагревателей на основе дисилицида молибдена, например, из отходов литых нагревателей из дисилицида молибдена -  патент 2262545 (20.10.2005)
способ изготовления высокотемпературных нагревателей на основе дисилицида молибдена -  патент 2184169 (27.06.2002)
композиционный жаропрочный и жаростойкий материал -  патент 2160790 (20.12.2000)
композиционный жаростойкий и жаропрочный материал -  патент 2154122 (10.08.2000)

Класс H01L39/12 отличающиеся материалом

керамический материал -  патент 2515757 (20.05.2014)
способ получения материалов на основе y(вахве1-x)2cu3o7- -  патент 2486161 (27.06.2013)
способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия -  патент 2471269 (27.12.2012)
способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе магний-оксид магния -  патент 2471268 (27.12.2012)
композитная сверхпроводящая лента на основе соединения nb3sn -  патент 2436198 (10.12.2011)
композитная сверхпроводящая лента на основе соединения nb3sn -  патент 2436197 (10.12.2011)
составной комбинированный магнитный экран -  патент 2306635 (20.09.2007)
высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития и способ его изготовления -  патент 2267190 (27.12.2005)
способ формирования пленочного покрытия и устройство для его осуществления -  патент 2211881 (10.09.2003)
способ формирования пленочного покрытия и магнетронное устройство для его осуществления -  патент 2210619 (20.08.2003)
Наверх