способ получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната

Классы МПК:C30B15/04 с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов
C30B33/02 термообработка
C30B29/28 с формулой A3Me5O12, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Закрытое акционерное общество "НИИ материаловедения" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2006-09-15
публикация патента:

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов гранатов и может быть использовано в лазерной технике, магнитной микроэлектронике (полупроводники, сегнетоэлектрики) и для ювелирных целей. Монокристаллы тербий-галлиевого граната получают методом Чохральского путем расплавления исходной шихты, включающей просветляющую кальцийсодержащую добавку, и последующего выращивания монокристалла из расплава на затравку. В качестве исходной шихты используют смесь оксидов тербия и галлия, в качестве кальцийсодержащей добавки - оксид или карбонат кальция, а после выращивания осуществляют отжиг кристалла в атмосфере водорода при 850-950°С в течение около 5 часов до исчезновения оранжевой окраски. Изобретение позволяет получать оптически прозрачные однородные кристаллы с коэффициентом поглощения 0,5·10-3 см -1.

Формула изобретения

Способ получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната методом Чохральского путем расплавления исходной шихты, включающей просветляющую кальцийсодержащую добавку и выращивание монокристалла из расплава на затравку, отличающийся тем, что в качестве исходной шихты используют смесь оксидов тербия и галлия, в качестве кальцийсодержащей добавки - оксид или карбонат кальция, а после выращивания осуществляют его отжиг в атмосфере водорода при 850-950°С в течение около 5 ч до исчезновения оранжевой окраски.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может быть использовано при выращивании монокристаллов гранатов, более конкретно монокристаллов тербий-галлиевого граната, применяющихся, например, в лазерной технике, магнитной микроэлектронике, для ювелирных целей.

Из заявки Российской Федерации №94008750, приоритет 27.04.1996, известны окрашенные монокристаллы, в частности, окрашенные монокристаллы тербий-галлиевого граната. Окрашенные монокристаллы со структурой граната выращивали по методу Чохральского в иридиевом или платиновом тигле (если в составе граната доминируют ниобий и кальций). Для монокристаллов на основе кальций-ниобий-галлиевого граната оптимальными являются следующие условия роста: скорость вытягивания 2-5 мм/ч, скорость вращения 60-80 об/мин, скорость потока кислорода через реакционный объем 0,5-2 л/мин, отношение диаметра кристалла к диаметру тигля не более 0,6. Выращенные кристаллы имели диаметр до 80 мм, причем из расплава переходило в кристалл до 75 вещества.

Выращенные монокристаллы подвергали одному из типов обработки: облучали рентгеновскими лучами; отжигали в вакууме при температуре до 800-2000К в течение 0,5-10 час с последующим снижением температуры со скоростью 500 К/час; отжигали в инертной атмосфере в течение 0,5-40 час при температуре не выше 1900К, отжигали на воздухе при температуре до 1600К.

Известные монокристаллы получены с использованием введения в окрашенный монокристалл дополнительной примеси Me, валентность ионов которой отличается от валентности ионов окрашивающей примеси М и/или матрицы монокристалла А, что приводит к ряду физических эффектов, влияющих на окраску монокристалла.

Окрашенные монокристаллы получали различными известными методами, например методом Багдасарова, методом Чохральского. Получение монокристаллов тербий-галлиевого граната в опубликованной заявке не описано.

Из заявки Российской Федерации № 94008773, приоритет 27.04.1996, известен бесцветный синтетический монокристалл, в том числе и со структурой граната, в частности, матрица монокристалла может быть выполнена на основе тербий-галлиевого граната (матрица) и при этом дополнительно содержать в качестве просветляющей примеси неодим, никели и/или кобальт, причем содержание просветляющей примеси составляет от 10-8 до 10 -2 мас.% и может плюс к этому дополнительно содержать дополнительные просветляющие примеси (кальций, стронций и/или магний), причем содержание дополнительной просветляющей примеси составляет от 10-8 до 10-2 мас.%.

Бесцветные монокристаллы получали различными известными методами, в частности методом Багдасарова, а также методом Чохральского.

Так, в частности, бесцветные монокристаллы со структурой граната выращивали по методу Чохральского в иридиевом или платиновом тигле (если в составе граната доминируют ниобий и кальций). Для монокристаллов на основе кальций-ниобий-галлиевого граната оптимальным являются следующие условия роста: скорость вытягивания 2-5 мм/ч, скорость вращения 60-80 об/мин, скорость потока кислорода через реакционный объем 0,5-2 л/мин, отношение диаметра кристалла к диаметру тигля не более 0,6. Выращенные кристаллы имели диаметр до 80 мм, причем из расплава переходило в кристалл до 75 вещества.

Так был получен прозрачный бесцветный монокристалл на основе кальций-ниобий-галлиевого граната со следующим содержанием компонентов (в вес.): неодим 0,002; никель 0,0002; кобальт 0,0007.

Примеры на получение монокристаллов на основе тербий-галлиевого граната в известной заявке на предлагаемое изобретение отсутствуют.

Технической задачей заявленного изобретения является получение оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната (ТГГ) с бесцветной окраской и повышенной оптической прозрачностью с коэффициентом поглощения 0,5×10-3 см-1 для применения в лазерной технике.

Поставленная техническая задача достигается способом получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната методом Чохральского путем расплавления исходной шихты, включающей просветляющую кальцийсодержащую добавку и выращивание монокристалла из расплава на затравку, причем, согласно изобретению, в качестве исходной шихты используют смесь оксидов тербия и галлия, в качестве кальцийсодержащей добавки - оксид или карбонат кальция, а после выращивания осуществляют его отжиг в атмосфере водорода при 850-950°С в течение около 5 часов до исчезновения оранжевой окраски.

Оксид кальция (СаО) или карбонат кальция (СаСО 3) вводят в расплав в количестве от 0,1 до 1,0 г один - два раза перед выращиванием кристаллов на количество шихты, равное 4-8 кг.

Ниже приводится конкретный пример осуществления способа, иллюстрирующий изобретение, но не ограничивающий его.

Пример 1. Оптически прозрачные монокристаллы тербий-галлиевого граната (ТГГ) выращивают по методу Чохральского, например, на установке «Скиф-3» или установке «Скиф-4». Гранатообразующие компоненты (матрица) предварительно просушенные (при температуре 800-1000°С, например) взвешивают на аналитических весах, перемешивают до образования гомогенной смеси.

Типичный примерный состав шихты может быть такой (в мас.%):

Оксид галлия - 45,523

Оксид тербия - 54,477

Из смеси могут прессовать таблетки. Смесь (шихту) помещают в тигель (иридиевый или платиновый), плавят, добавляют кальцийсодержащую добавку (Оксид кальция (СаО) или карбонат кальция (СаСО 3) в расплавленную шихту.

Если добавляют оксид кальция (СаО), то его добавляют в количестве 0,1 г в состав оксид галлия 45,523 мас.%, оксид тербия 54,477 мас.%. Если добавляют карбонат кальция (СаСО3), то его добавляют в количестве до 1 г в состав оксид галлия 45,523 мас.%; оксид тербия 54,477 мас%.

Далее вытягивают ориентированные кристаллы из расплава (вытягивание кристаллов на ориентированную затравку). Выращенный монокристалл с добавкой оксида кальция (СаО) или карбоната кальция (СаСО3) имел оранжевую окраску и полосу поглощения в диапазоне длин волн 400-659 нм. Далее осуществляют отжиг кристаллов в течение 5 часов в атмосфере водорода при 900°С. После отжига кристалл становится бесцветным и полоса поглощения исчезает. Получают оптически прозрачные монокристаллы.

Введение добавок (оксид кальция (СаО) или карбонат кальция (СаСО 3) препятствуют винтовому расту кристаллов. Их влияние на технический результат (который, как указано выше, состоит в получении оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната (ТГТ) с бесцветной окраской и повышенной оптической прозрачностью с коэффициентом поглощения 0,5×10-3 см-1 и для применения в лазерной технике) заключается в стабилизации процесса выращивания и препятствовании винтовому росту кристаллов.

Изделия из полученных монокристаллов - это, например, цилиндрические элементы, в частности, диаметром 20 мм и длиной 20-40 мм, или элементы, имеющие форму параллелепипеда, например 3×10×20 мм, используемые для изготовления Фарадеевских вращателей.

Основное требование по качеству для Фарадеевских вращателей - это оптическая однородность кристаллов и величина коэффициента поглощения, которые должны составлять 30-40 дБ и 0,5×10-3 см -1 соответственно.

Пример 2. Получают ювелирный материал на основе оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната, полученных методом Чохральского аналогично примеру 1, только отжигу подвергают получаемые ювелирные изделия (в виде камней, например) при 850°С в атмосфере водорода в течение 4,8 часов.

При получении монокристаллов тербий-галлиевого граната заявленным способом используют следующие оптимальные условия роста их:

- скорость вытягивания - 2-7 мм/час;

- скорость вращении тигеля - 2-10 об/мин;

- диаметр затравки - от 2 мм до 8 мм.

Выращивание кристаллов осуществляют в инертной атмосфере (например, в атмосфере азота) с добавкой кислорода.

Выращенные кристаллы имеют диаметр до 80 мм, вес (масса) их - 4-8 кг, время роста кристаллов- 20-40 часов, плотность кристаллов способ получения оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого   граната, патент № 2328561 7,2 г/см3.

Класс C30B15/04 с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов

способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия -  патент 2528995 (20.09.2014)
монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор -  патент 2527082 (27.08.2014)
способ получения кристаллов кремния -  патент 2473719 (27.01.2013)
способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, и устройство для его реализации -  патент 2367730 (20.09.2009)
серийный способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов -  патент 2324018 (10.05.2008)
способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов -  патент 2321689 (10.04.2008)
способ получения легированных монокристаллов или поликристаллов кремния -  патент 2250275 (20.04.2005)
способ выращивания кристаллов -  патент 2248418 (20.03.2005)
способ получения сцинтилляционного монокристалла лютеций- иттриевого алюмината -  патент 2233916 (10.08.2004)
способ получения кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой -  патент 2208068 (10.07.2003)

Класс C30B33/02 термообработка

способ формирования высококачественных моп структур с поликремниевым затвором -  патент 2524941 (10.08.2014)
способ изготовления фантазийно окрашенного оранжевого монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт -  патент 2497981 (10.11.2013)
способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов -  патент 2492283 (10.09.2013)
способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов -  патент 2486297 (27.06.2013)
лазерная фторидная нанокерамика и способ ее получения -  патент 2484187 (10.06.2013)
способ термической обработки алмазов -  патент 2471542 (10.01.2013)
способ термообработки полуфабрикатов абразивных инструментов на органических термореактивных связках -  патент 2467100 (20.11.2012)
способ обработки алмаза -  патент 2451774 (27.05.2012)
способ получения фторидной нанокерамики -  патент 2436877 (20.12.2011)
способ получения шероховатости на поверхности алмазных зерен -  патент 2429195 (20.09.2011)

Класс C30B29/28 с формулой A3Me5O12, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты

Наверх