способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной надежности

Классы МПК:G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2005-12-05
публикация патента:

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности варикапов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения. Сущность: измерение максимальной емкости варикапов проводится до воздействия электростатического заряда (ЭСР), после воздействия ЭСР и после температурного отжига. Воздействию ЭСР подвергаются приборы напряжением допустимым потенциалом, указанным в технических условиях на данный прибор. По отношению максимальной емкости варикапов после температурного отжига к начальному значению судят об их потенциальной надежности. Технический результат: повышение достоверности. 1 табл.

Формула изобретения

Способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной надежности путем измерения максимальной емкости р-n-перехода, отличающийся тем, что измерение емкости осуществляют до, после воздействия ЭСР и последующего температурного отжига, а выделение приборов с повышенной надежностью проводят по критерию М=1, где

способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной   надежности, патент № 2303790

Смакс.нач, С макс.отж - емкость р-n-перехода варикапа начальная и после термического отжига.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения.

Известен способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов [1], состоящий в том, что после измерения интенсивности шумов пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1.5-5 раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение, затем измеряют интенсивность шумов и по отношению результатов двух измерений судят о потенциальной ненадежности приборов.

Недостатком метода является подача импульса тока, в 1.5-5 раз превышающего по амплитуде предельно допустимое значение по техническим условиям (ТУ) на прибор, что может вызвать необратимые процессы в структуре приборов, которые могут привести в эксплуатации к преждевременным отказам, например, по дефекту "прокол базы".

Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей. Это достигается тем, что измерения максимальной емкости p-n-перехода осуществляют до, после воздействия ЭСР и после температурного отжига, а выделение приборов с повышенной надежностью проводят по критерию М=1, где

способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной   надежности, патент № 2303790

где Смакс.нач, С макс.отж - емкость p-n-перехода варикапа начальная и после термического отжига.

Способ осуществляется следующим образом. Измеряются емкости полупроводниковых приборов: до воздействия электростатического заряда (ЭСР), после воздействия ЭСР и после температурного отжига. Воздействию ЭСР подвергаются приборы напряжением, соответствующим допустимому значению, указанному в ТУ на данный прибор. Воздействие ЭСР может привести к некоторому изменению электрических параметров приборов, в том числе емкости, которые в зависимости от идеальности структуры прибора в той или иной степени отжигаются при температурном воздействии.

Измерение емкости варикапов проводилось с помощью установки для измерения параметров полупроводниковых приборов. Воздействие ЭСР осуществлялось по модели "тела человека".

Разделение приборов по надежности проводят по критерию М:

способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной   надежности, патент № 2303790

где Смакс.нач, С макс.отж - емкость p-n-перехода начальная и после температурного отжига соответственно.

При этом для приборов повышенно-надежных значение М=1.

Пример осуществления способа:

Варикапы типа KB107 имеют значение емкости Смакс =40 пФ при U=0 В. Варикапы подвергались воздействию ЭСР величиной 1000 В, после чего проводился температурный отжиг в течение 6 ч при температуре 100°С. Значения Смакс до, после ЭСР и после отжига приведены в таблице.

Анализируя таблицу, можно сказать, что ЭСР снижает значение С макс на величину от 6 до 25%, а значение коэффициента М показывает, что отжиг в течение 6 ч восстанавливает С макс в пределах от 0.955 до 1.

Полное восстановление параметра Смакс после отжига говорит о повышенной надежности варикапа, поэтому для повышенно-надежных варикапов М=1, т.е. варикап №2 будет иметь повышенную надежность.

Таблица

Значение емкости С макс варикапов KB107
N п/пЗначение С макс, пФМ
начальноепосле ЭСР после отжига
1 3326 320.970
2 3634 361
3 4433 430.977
4 4538 430.955
5 4336 420.976

Источники информации

1. Авторское свидетельство СССР № 490047, G01R 31/26.

Класс G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов

способ разделения интегральных схем "по надежности" -  патент 2529675 (27.09.2014)
способ измерения шума узлов мфпу -  патент 2521150 (27.06.2014)
способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением -  патент 2516609 (20.05.2014)
способ разделения полупроводниковых изделий по надежности -  патент 2515372 (10.05.2014)
способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности -  патент 2511633 (10.04.2014)
способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий -  патент 2511617 (10.04.2014)
устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч -  патент 2510035 (20.03.2014)
способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности -  патент 2507526 (20.02.2014)
способ разделения транзисторов по надежности -  патент 2507525 (20.02.2014)
способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе gan -  патент 2503024 (27.12.2013)
Наверх