способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем

Классы МПК:G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2004-10-06
публикация патента:

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Сущность: измеряют динамический ток потребления до, после воздействия электростатическим разрядом (ЭСР) и после температурного отжига. Воздействие 5-10 импульсами ЭСР обоих знаков проводят предельно допустимым по техническим условиям (ТУ) напряжением. Температурный отжиг проводят при максимально допустимой по ТУ температуре в течение 1-8 часов. Отбраковываются ИС одновременно по двум критериям:

I Днач, способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, патент № 2276378 IДэср>А,

способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, патент № 2276378

где IДнач, IДэср и I Дотж - динамические токи потребления соответственно начальные, после ЭСР и после отжига. Значения величин динамического тока потребления (А) и разности динамических токов потребления (способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, патент № 2276378 ) устанавливаются на представительной выборке для каждого типа схем. Технический результат: расширение функциональных возможностей, повышение достоверности. 1 табл., 2 ил.

способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, патент № 2276378 способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, патент № 2276378

Формула изобретения

Способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, включающий измерение динамического тока потребления до, после воздействия электростатическим разрядом (ЭСР) и после температурного отжига, отличающийся тем, что проводят воздействие 5-10 импульсами ЭСР обоих знаков предельно допустимым по техническим условиям (ТУ) напряжением, а температурный отжиг при максимально допустимой по ТУ температуре в течение 1-8 ч, после чего ИС отбраковываются одновременно по двум критериям:

IДнач, I Дэср>А,

способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, патент № 2276378

где IДнач, IДэср и I Дотж - динамические токи потребления соответственно начальные, после ЭСР и после отжига,

а значения величин динамического тока потребления (А) и разности динамических токов потребления (способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, патент № 2276378 ) устанавливаются на представительной выборке для каждого типа схем.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.

Известно [1], что способом анализа форм (параметров) динамического тока потребления могут отбраковываться дефектные и потенциально ненадежные, как правило, цифровые ИС малой, средней и большой степени интеграции, изготовленные по различным технологиям. Наличие аномалий в форме динамического тока потребления или его величины при обращении к заданному логическому элементу (или группе элементов) указывает на наличие дефектов ИС, что снижает потенциальную надежность данной схемы.

Наиболее близким по технической сущности является способ отбраковки ненадежных КМОП ИС [2], по которому ИС устанавливают в термокамеру и измеряют токи потребления при двух фиксированных значениях повышенной температуры, а отбраковывают схемы с наибольшим отношением второго тока к первому.

Недостатком данного способа является сложность измерения тока потребления при повышенных температурах, отсюда появляется большая погрешность в измерениях.

Изобретение направлено на расширение функциональных возможностей диагностических способов и повышение достоверности.

Это достигается тем, что на представительной выборке конкретного типа ИС набирается статистика значений измеряемого динамического тока потребления до и после воздействия электростатическим разрядом, напряжением, равным предельно допустимому потенциалу, указанному в технических условиях (ТУ), и после термического отжига при предельно допустимой температуре, указанной в ТУ, в течение 1-8 часов. По полученным данным строятся поля корреляции по динамическому току потребления: первоначальное значение IДнач - значение после воздействия ЭСР IДэср и первоначальное значение IДнач - значение после температурного отжига IДотж, по которым определяют два критерия для отбраковки потенциально ненадежных ИС:

первый критерий: IДнач , IДэср>А;

второй критерий: |IДотж -IДнач|>способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем, патент № 2276378 .

ИС считается потенциально ненадежной, если она удовлетворяет обоим критериям одновременно.

Пример осуществления способа. На произвольно выбранных десяти ИС типа К561ЛН2 (шесть логических элементов "НЕ") измерили амплитуду динамических токов потребления с помощью стробоскопического осциллографа С7-8 для каждого из шести инверторов каждой схемы в момент его выключения. Результаты измерения для каждого инвертора каждой ИС представлены в таблице.

Таблица
№ схемыВремя измерения Динамические токи потребления IД, мА по инверторам
1 234 56
  начальное60 636360 6558
1 после ЭСР69 717062 7368
  после отжига63 656560 6765
  начальное63 596063 6060
2 после ЭСР68 636169 6670
  после отжига66 606064 6162
  начальное67 636060 5763
3 после ЭСР80 686963 6168
  после отжига70 656361 6060
  начальное58 686259 5857
4 после ЭСР68 887362 6970
  после отжига62 756360 6064
  начальное54 766358 6156
5 после ЭСР60 786963 6265
  после отжига61 706663 6360
  начальное57 596058 6263
6 после ЭСР63 707268 7373
  после отжига60 646462 6367
  начальное61 566862 5856
7 после ЭСР67 657370 6867
  после отжига62 597369 6260
  начальное65 586058 5661
8 после ЭСР65 686865 6466
  после отжига65 636359 5962
  начальное66 706969 6880
9 после ЭСР75 887386 7991
  после отжига70 837377 7084'
  начальное60 546065 5958
10 после ЭСР63 646973 6965
  после отжига61 596267 6262

Затем подаем по 5 электростатических разрядов амплитудой 500 В на каждый вход и соответствующий вывод каждого инвертора, меняя полярность, после чего измеряем динамический ток потребления. Отжиг ИС проводили при температуре 100°С в течение 1 часа. Затем строим графики - поля корреляции для значений динамических токов потребления: IДнач-IДэср (фиг.1) и IДнач-I Дотж (фиг.2). По данным полям корреляции установим критерии для потенциально ненадежных ИС:

IДнач, I Дэср>80 мА;

|IДотж-IДнач |>7 мА.

По первому критерию потенциально ненадежными будут ИС №4, 9, по второму критерию №9. Таким образом схема №9 будет потенциально ненадежной.

Источники информации

1. РД 11 0682-89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля динамических параметров.

2. А.С. СССР 1239658. МПК 4 G 01 R 31/26. Опубл. 1986 г.

Класс G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов

способ разделения интегральных схем "по надежности" -  патент 2529675 (27.09.2014)
способ измерения шума узлов мфпу -  патент 2521150 (27.06.2014)
способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением -  патент 2516609 (20.05.2014)
способ разделения полупроводниковых изделий по надежности -  патент 2515372 (10.05.2014)
способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности -  патент 2511633 (10.04.2014)
способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий -  патент 2511617 (10.04.2014)
устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч -  патент 2510035 (20.03.2014)
способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности -  патент 2507526 (20.02.2014)
способ разделения транзисторов по надежности -  патент 2507525 (20.02.2014)
способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе gan -  патент 2503024 (27.12.2013)
Наверх