сверхвысокочастотный плазмотрон

Классы МПК:H05H7/00 Конструктивные элементы устройств, отнесенных к группам  9/00
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное унитарное предприятие "НПП "Контакт" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2004-05-24
публикация патента:

Изобретение относится к устройствам генерации низкотемпературной плазмы, в частности к сверхвысокочастотным источникам плазмы, и предназначено для плазменной обработки различных материалов и изделий. Сверхвысокочастотный плазмотрон содержит сочлененные между собой прямоугольный и круглый волноводы, диэлектрическую камеру, поглотитель СВЧ мощности, СВЧ генератор. Между СВЧ генератором и сочленением круглого и прямоугольного волноводов вводят щелевой мост. Сочленение круглого и прямоугольного волноводов выполняют в виде волноводно-щелевого перехода. В место сочленения круглого и прямоугольного волноводов устанавливают Е-фильтр в виде регулируемого по глубине погружения вдоль оси круглого волновода полого металлического штыря. Изобретение обеспечивает равномерное горение разряда по сечению разрядной камеры и защищает генератор от отраженной волны. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. сверхвысокочастотный плазмотрон, патент № 2274963

сверхвысокочастотный плазмотрон, патент № 2274963 сверхвысокочастотный плазмотрон, патент № 2274963

Формула изобретения

1. Сверхвысокочастотный плазмотрон, содержащий сочлененные между собой прямоугольный и круглый волноводы, диэлектрическую разрядную камеру, поглотитель СВЧ мощности, СВЧ генератор, отличающийся тем, что между СВЧ генератором и сочленением круглого и прямоугольного волноводов вводят щелевой мост, а сочленение круглого и прямоугольного волноводов выполняют в виде волноводно-щелевого перехода.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в место сочленения круглого и прямоугольного волноводов устанавливают Е-фильтр в виде регулируемого по глубине погружения вдоль оси круглого волновода полого металлического штыря.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к устройствам генерации низкотемпературной плазмы, а точнее к сверхвысокочастотным источникам плазмы, и может быть использовано для плазменной обработки различных материалов и изделий.

Известен СВЧ плазмотрон (см. авт. св. СССР №. 868845 за 1981 г., Н 05 Н 1/26, Н 05 В 7/18), состоящий из резонатора с установленной в нем коаксиально диэлектрической разрядной камерой, поглотителя СВЧ мощности и волноводного тракта для подсоединения к СВЧ генератору.

Недостатком такого плазмотрона является неравномерность горения разряда по сечению диэлектрической камеры и незащищенность генератора СВЧ от отраженной волны.

Наиболее близким по технической сущности является СВЧ плазмотрон (см. патент США №4.101.411 по классу 204-298 за 1978 г.), состоящий из сочлененных между собой прямоугольного и круглого волноводов, диэлектрической разрядной камеры.

Недостатком такой конструкции является отсутствие защиты СВЧ генератора от отраженной волны и неравномерное горение разряда по сечению разрядной камеры.

Целью изобретения является обеспечение равномерного горения разряда но сечению разрядной камеры и защита генератора от отраженной волны.

Поставленная цель достигается тем, что известный СВЧ плазмотрон между генератором СВЧ и сочленением круглого и прямоугольного волноводов вводят щелевой мост, а сочленение круглого и прямоугольного волноводов выполняют в виде волноводно-щелевого перехода. Для подавления колебаний Е-типа служит Е-фильтр.

На фиг.1 и 2 изображен общий вид предложенного СВЧ плазмотрона.

Сверхвысокочастотный плазмотрон состоит из щелевого моста 1, поглотителя СВЧ мощности 2, волноводно-щелевого перехода 3, Е-фильтра 4, круглого волновода 5 с диэлектрической разрядной камерой 6, вакуумно-плотного фланца 7, электромагнита постоянного тока 8 и штуцера для подачи газа 9.

Плазмотрон работает следующим образом. Щелевой мост 1, который имеет связь по узкой стенке прямоугольного волновода, преобразует волну типа Н 10 от СВЧ генератора, присоединенного к входному плечу щелевого моста, в две волны типа Н10 с одинаковыми амплитудами, но сдвинутыми по фазе друг относительно друга на 90°. Эти две волны поступают в плечи сдвоенного по узкой стенке волноводно-щелевого перехода 3, где посредством щелей 10 и 11, прорезанных в широких стенках прямоугольных волноводов, возбуждают в круглом волноводе электромагнитные волны одинаковой амплитуды, но сдвинутые по фазе на 90°, что дает круговую поляризованную волну Н11. Таким образом, щелевой мост 1 совместно с волноводно-щелевым переходом 3 преобразуют линейно-поляризованные входные волны в волны двух ортогональных круговых поляризаций. Круговая поляризация волны Н11 обеспечивает равномерное по сечению диэлектрической разрядной камеры горение СВЧ газового разряда.

Электромагнит постоянного тока 8 создает на оси круглого волновода 5 однородную индукцию магнитного поля, намагничивая плазму в продольном направлении.

Газ вводится в диэлектрическую разрядную камеру 6 (после ее вакуумирования до давления порядка 5·10-4 Па) через штуцер 9.

Генерация и стабильное поддержание СВЧ-газового разряда осуществляется в условиях ЭЦР (электронно-циклотронного резонанса).

Для подавления сопутствующей E01-волны низшего типа служит Е-фильтр 4, выполненный в виде регулируемого по глубине погружения вдоль оси круглого волновода полого штыря. Отраженная от плазменного разряда, горящего в диэлектрической разрядной камере 6, и от щелей 10 и 11, электромагнитная волна ответвляется через одно из плеч щелевого моста 1 в поглотитель СВЧ мощности 2.

Применение волноводного щелевого моста позволяет осуществить деление СВЧ мощности и квадратурный фазовый сдвиг для последующего возбуждения в круглом волноводе электромагнитной волны круговой поляризации.

Волноводно-щелевой мост с Е-фильтром служит развязывающим устройством и защищают СВЧ генератор от отраженной волны.

Сверхвысокочастотный плазмотрон является составной частью полуавтоматической установки прецизионного СВЧ-плазмохимического травления многослойных пленочных структур на диэлектрических подложках.

В качестве источника СВЧ энергии применяется магнетрон типа М-105 с выходной мощностью до 630 Вт и рабочей частотой в диапазоне от 2400 до 2500 МГц.

Класс H05H7/00 Конструктивные элементы устройств, отнесенных к группам  9/00

средство для перемещения в космическом пространстве -  патент 2520856 (27.06.2014)
источники излучения с множеством чередующихся уровней энергии -  патент 2508617 (27.02.2014)
способ проведения облучения злокачественных опухолей поджелудочной железы пучком адронов -  патент 2491107 (27.08.2013)
ускоряющая структура с параллельной связью -  патент 2472244 (10.01.2013)
источник тормозного излучения -  патент 2468545 (27.11.2012)
устройство для поворота ахроматических пучков заряженных частиц -  патент 2463749 (10.10.2012)
источник тормозного излучения с фокусным пятном малых размеров -  патент 2462844 (27.09.2012)
способ уменьшения энергетического разброса пучка частиц в циклотроне -  патент 2455801 (10.07.2012)
бетатрон с простым возбуждением -  патент 2439865 (10.01.2012)
способ возбуждения ускоряющей структуры -  патент 2427112 (20.08.2011)
Наверх