способ разделения полупроводниковых приборов по надежности

Классы МПК:G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи" (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2004-06-30
публикация патента:

Проводят измерение интенсивности шума полупроводникового прибора при нормальных условиях. Затем воздействуют 5-10 импульсами электростатического разряда обоих полярностей. Величину потенциала электростатического разряда выбирают равной допустимой по техническим условиям величине. Производят изотермический отжиг при максимально допустимой по техническим условиям температуре кристалла в течение 4-6 часов. Вновь измеряют значение интенсивности шума. По разности значений интенсивности шума определяют более надежные приборы. Изобретение направлено на повышение достоверности контроля надежности полупроводниковых приборов. 1 табл.

Формула изобретения

Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности путем измерения интенсивности шумов до и после внешнего электрического воздействия, отличающийся тем, что воздействуют 5-10 электростатическими разрядами обеих полярностей с величиной потенциала, допустимой по техническим условиям, производят изотермический отжиг при максимально допустимой температуре кристалла в течение 4-6 ч, по разности значений интенсивности шумов начального значения и после отжига определяют потенциально более надежные приборы.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.

Известен способ разбраковки полупроводниковых приборов с использованием различных внешних воздействий (повышенной и пониженной температур, электрических нагрузок и т.п.), основанных на нагреве, охлаждении объекта испытаний с пропусканием электрического тока, с последующим измерением параметров [1].

Недостатком этого способа является невысокая достоверность полученных результатов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов [2], принятый за прототип.

Способ-прототип заключается в том, что после измерения интенсивности шумов пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1,5-5 раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение, затем измеряют интенсивность шумов и по отношению результатов двух измерений судят о потенциальной надежности приборов.

Недостатком метода является подача импульса, в 1,5-5 раз превышающего по амплитуде допустимое по техническим условиям (ТУ) значение на прибор, что может вызвать необратимые процессы в структуре приборов, которые могут привести к недостаточной достоверности результатов и к критическим отказам приборов в эксплуатации.

Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей.

Для устранения указанных недостатков в способе разделения полупроводниковых приборов по надежности путем измерения интенсивности шумов до и после внешнего электрического воздействия, согласно изобретению воздействуют 5-10 электростатическими разрядами (ЭСР) обеих полярностей с величиной потенциала, допустимой по ТУ, производят изотермический отжиг при максимально допустимой температуре кристалла в течение 4-6 часов, по разности значений интенсивности шумов начального значения и после отжига определяют потенциально более надежные приборы.

Предлагаемый способ заключается в том, что на партии полупроводниковых приборов, в которых необходимо определить менее и более надежные приборы, проводят измерение интенсивности шума при нормальных условиях, затем воздействуют 5-10 импульсами ЭСР обоих знаков допустимой по ТУ величины, проводят температурный отжиг при максимально допустимой по ТУ температуре кристалла прибора в течение 4-6 часов и вновь измеряют интенсивность шума при нормальной температуре. Определяют разность интенсивности шумов при начальном замере и после отжига для каждого полупроводникового прибора, то есть определяют способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 2258234 . Полупроводниковый прибор считается более надежным при выполнении критерия: способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 2258234способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 2258234А. Величина А устанавливается по набору статистики для каждого типа приборов.

Пример осуществления способа.

На 23 полупроводниковых резисторах интегральной схемы типа КА1034НР3 были измерены низкочастотные шумы типа 1/f. Распределение интенсивности до и после воздействия ЭСР пятью импульсами величиной ±800 В и после изотермического отжига при температуре 100°С в течение четырех часов представлены в таблице.

Таблица

Значения интенсивности шумов полупроводниковых резисторов интегральных схем типа КА1034НР3.
№ прибораЗначение способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 2258234 , мВ2способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 2258234, мВ2
Начальное После ЭСРПосле отжига
11,9 2,81,9 0
21,8 2,61,9 0,1
31,95 2,72,0 0,05
42,05 3,82,05 0
53,00 4,82,8 0,2
61,98 2,71,98 0
72,15 3,92,25 0,1
81,20 4,02,40 0,2
92,58 4,02,68 0,1
102,35 4,22,45 0,2
111,98 2,81,98 0
122,5 3,92,7 0,2
132,32 3,52,4 0,08
142,4 3,72,6 0,2
153,2 5,03,6 0,4
162,6 4,22,7 0,1
172,9 4,73,1 0,2
182,8 4,83,0 0,2
192,0 3,02,0 0
202,1 3,42,2 0,1
211,95 2,61,95 0
222,35 3,72,55 0,2
232,19 2,92,22 0,03

При этом получены следующие данные по разности величины способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 2258234 :

6 приборов имели разность интенсивности шумов до и после воздействия, равную 0;

8 приборов - способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 22582340,1 мВ2;

8 приборов - способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 22582340,2 мВ2;

1 прибор - способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 22582340,4 мВ2.

Если принять для данного типа приборов критерий для более надежных приборов способ разделения полупроводниковых приборов по надежности, патент № 22582340,1 мВ2, то приборы №1, 2, 3, 4, 6, 7, 9, 11, 13, 16, 19, 20, 21, 23 будут более надежными, чем приборы №5, 8, 10, 12, 14, 15, 17, 18, 22.

Источники информации

1 Авторское свидетельство СССР №438947, G 01 R 31/26, 1972.

2. Авторское свидетельство СССР №490047, G 01 R 31/26, 1976.

Класс G01R31/26 испытание отдельных полупроводниковых приборов

способ разделения интегральных схем "по надежности" -  патент 2529675 (27.09.2014)
способ измерения шума узлов мфпу -  патент 2521150 (27.06.2014)
способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением -  патент 2516609 (20.05.2014)
способ разделения полупроводниковых изделий по надежности -  патент 2515372 (10.05.2014)
способ отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня качества из партий изделий повышенной надежности -  патент 2511633 (10.04.2014)
способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий -  патент 2511617 (10.04.2014)
устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч -  патент 2510035 (20.03.2014)
способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности -  патент 2507526 (20.02.2014)
способ разделения транзисторов по надежности -  патент 2507525 (20.02.2014)
способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе gan -  патент 2503024 (27.12.2013)
Наверх