способ определения потенциально нестабильных транзистров

Формула изобретения

Способ определения потенциально нестабильных транзисторов, заключающийся в измерении коэффициента усиления по току, отличающийся тем, что после предварительных результатов испытаний для каждого типа транзисторов проводят испытания на стабильность в постоянном режиме измерения коэффициента усиления по току в течение 20-30 мин, по результатам которых судят о стабильности транзисторов.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов. Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.

Наиболее близким аналогом являются способ [1], применяемый для разделения партии транзисторов, состоящий в том, что на транзисторы в процессе испытаний воздействуют импульсом тока высокой плотности и проводят отбраковку транзисторов по величине токов утечки. Недостатки данного способа: необходимость испытания приборов током стрессовой плотности, приводящая к снижению надежности испытуемых транзисторов, и продолжительное время испытаний.

Изобретение направлено на устранение указанных недостатков, а именно: в предлагаемом способе отсутствует воздействие током стрессовой плотности, а время испытаний значительно сокращено.

Это достигается тем, что в предлагаемом способе определения потенциально нестабильных транзисторов измерения токов утечки до и после испытаний заменены неоднократным измерением коэффициента усиления по току h_21э в процессе испытаний.

Способ осуществляют следующим образом. В процессе испытаний транзисторов проводятся десятикратные измерения коэффициента усиления по току через 2 мин для маломощных и средней мощности транзисторов и через 5 мин для мощных транзисторов. Если коэффициент усиления h_21э при этих измерениях стабилен с точностью до ±2 единиц, то проводятся испытания в режиме контроля h_21э в течение 20-30 мин с регулярной фиксацией значения h_21э , по которым судят о стабильности транзисторов. Для каждого типа транзисторов предварительно устанавливают критерий стабильности по параметру h_21э при испытаниях.

В качестве примера приведем реализацию данного способа на партиях транзисторов типа КТ209Е (маломощный), КТ814Г (средней мощности) и КТ819Г (мощный). На первом этапе все транзисторы при десятикратном последовательном измерении параметра h_21э имеют стабильные значения (в пределах ±2 единиц). На втором этапе транзисторы испытывались в течение 20 мин и данные представлены в табл.1-3. Коэффициент стабильности значений параметра h_21э, определенный из формулы , представлен в табл.4.

Таблица 1
№ тр-ра	Значение h21э у транзисторов типа КТ209Е при постоянном режиме измерений через
	0		5 мин		10 мин		15 мин		20 мин
1	210		175		210		210		175
2	175		175		175		175		175
3	170		170		170		170		170
4	200		200		200		200		200
5	145		145		145		145		145
6	220		220		220		220		220
7	165		165		200		200		200
8	185		185		188		185		185
Таблица 2
№ тр-ра		Значение h21э У транзисторов типа КТ814Г при постоянном режиме измерений через
		0		5 мин		10 мин		15 мин		20 мин
1		250		Отказ
2		350		350		430		466		466
3		460		460		560		620		620
4		560		466		620		700		620
5		350		Отказ
6		466		466		466		466		466
7		450		400		450		560		560
8		440		440		545		545		545
Таблица 3
№ тр-ра		Значение h21э транзисторов типа КТ819Г при постоянном режима измерений через
		0	5 мин		10 мин		15 мин			20 мин
1		138	140		138		138			138
2		104	105		104		104			104
3		130	130		130		130			130
4		135	135		135		135			135
5		137	137		137		137			137
6		114	114		114		110			110
7		117	117		117		117			117
8		108	108		108		106			108

Таблица 4
№ тр-ра	Коэффициент нестабильности k для транзисторов типа
	КТ209Е	КТ814Г	КТ819Г
1	0,83	Отказ	1
2	1	1,33	1
3	1	1,34	1
4	1	1,25-1,1	1
5	1	Отказ	1
6	1	1	0,96
7	1,2	1,2	1
8	1	1,23	1

Из табл. 4 видно, что для транзисторов КТ209Е можно установить величину k=1,0; для транзисторов КТ814Г - k=1,25; для транзисторов типа KT819r - k=1,0.

Видно, что наименьшую стабильность имеют транзисторы типа КТ814Г и при испытаниях имеются катастрофические отказы. По-видимому, партия транзисторов, из которой взята выборка, не прошла ЭТТ в процессе серийного производства.

ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ

1. Патент РФ №2098839 С2, G 01 R 31/26, 31/28, 1997.

2. Горлов М.И., Ануфриев Л.Н., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства - Минск: Интеграл, 1997, 390 с.