аппликатор

Формула изобретения

1. Аппликатор, содержащий подложку, отличающийся тем, что на подложке сформирована матрица, состоящая из набора одинаковых элементов, каждый из которых представляет собой шестиугольник, образованный путем вписывания его в окружность с наибольшим радиусом R_max фрактальной структуры с уровнем фрактализации М не менее трех, которая образована следующим образом: модуль первого уровня фрактализации состоит из 1+N окружностей радиуса R₀, где N больше двух, а центры N окружностей расположены на первой окружности через равные расстояния по ней, и окружности с радиусом 2R₀, центр которой совпадает с центром первой окружности, а окружность с радиусом 2R₀ является первой окружностью модуля второго уровня, и в точках ее сопряжения с окружностями первого уровня расположены центры модулей первого уровня, а полученную структуру охватывает окружность с радиусом 4R₀, являющаяся первой для модуля третьего уровня, и в точках ее сопряжения с окружностями модуля второго уровня расположены центры модулей второго уровня, а полученную структуру охватывает окружность с радиусом 8R₀, и далее структура сформирована таким же образом, причем по крайней мере один из углов шестиугольника расположен в точке сопряжения Р окружности с радиусом R_max с окружностью с радиусом R_max /2, матрица образована вокруг центрального шестиугольника с соблюдением условия параллельности прямых, проходящих через центр и точку Р каждого шестиугольника, центры которых расположены на прямой, перпендикулярной этим линиям.

2. Аппликатор по п.1, отличающийся тем, что во фрактальной структуре через точки пересечения N окружностей одного радиуса в каждом модуле проходит по крайней мере одна дополнительная окружность.

3. Аппликатор по п.1, отличающийся тем, что во фрактальной структуре через точки пересечения N окружностей первого модуля проходит по крайней мере одна дополнительная окружность и в этих же точках расположены центры окружностей с радиусом, равным радиусу дополнительной окружности, которые охватывает окружность с радиусом, равным двум радиусам дополнительной окружности, и далее сформированы дополнительные модули второго,... n уровня, где n не превышает М.

4. Аппликатор по п.1, отличающийся тем, что во фрактальной структуре через точки пересечения N окружностей модуля последнего уровня проходит по крайней мере одна дополнительная окружность с радиусом R_d, которая охватывает N окружностей с радиусом R_d/2, сопрягаясь с ними в этих же точках, а их центры расположены на окружности с радиусом R_d /2, центр которой совпадает с центром дополнительной окружности, и каждая окружность этого модуля является завершающей для модуля с такой же структурой с окружностями с радиусом R_d /4 и далее структура фрактализуется таким же образом до уровня фрактализации, не превышающего М.

5. Аппликатор по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что во фрактальной структуре число окружностей N равно 4.

6. Аппликатор по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что во фрактальной структуре число окружностей N равно 8.

7. Аппликатор по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что подложка выполнена из кремния, а линии фрактальной структуры сформированы из металла.

8. Аппликатор по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что подложка выполнена из алюминия, а линии фрактальной структуры сформированы из графита.

9. Аппликатор по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что подложка выполнена из поливинила, а линии фрактальной структуры сформированы из графита.

10. Аппликатор по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что подложка выполнена из поливинила, а линии фрактальной структуры сформированы из металла.

11. Аппликатор по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что высота линий, формирующих фрактальную структуру, равна или кратна их ширине.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к устройствам для воздействия на биообъекты и предназначено для применения в биологии, медицине, в частности, может использоваться для воздействия на рефлекторные точки человека.

Известен аппликатор (Л1), предназначенный для восстанавливающего воздействия на биообъекты за счет использования торсионных полей. Но в этом устройстве мал частотный диапазон захватываемых энергий и недостаточна интенсивность воздействия.

Частотный диапазон захватываемых энергий и интенсивность воздействия увеличены в другом устройстве, принятом за прототип. Известный аппликатор (Л2) состоит из диэлектрической подложки, на которой размещены одинаковые, чередующиеся между собой шарики из магнитного и немагнитного материала, а также фигуры различной конфигурации из электропроводящего материала. Фигуры за счет своих электрических и магнитных свойств создают соответствующие градиенты. Часть фигур взаимодействует преимущественно с электрической составляющей окружающего поля, часть фигур - преимущественно с магнитной составляющей окружающего поля, а все вместе, входящие в состав аппликатора фигуры, взаимодействуют с гравитационной составляющей поля. Интенсивная поляризация среды, прилегающей к аппликатору, вызывает изменение состояния молекул биообъекта, их ориентации. Изменяется состояние организма. Таким образом, на биообъект воздействуют внешними полями, которые предварительно определенным образом структурируют.

Задачей, решаемой изобретением, является расширение видов аппликаторов, способных воздействовать на биообъекты.

Для решения поставленной задачи предлагаемый аппликатор, так же как известный, содержит подложку. В отличие от известного на подложке сформирована матрица, состоящая из набора одинаковых элементов, каждый из которых представляет собой шестиугольник, образованный путем вписывания его в окружность с наибольшим радиусом R_max фрактальной структуры с уровнем фрактализации М не менее трех, которая образована следующим образом: модуль первого уровня фрактализации состоит из 1+N окружностей радиуса R₀, где N больше двух, а центры N окружностей расположены на первой окружности через равные расстояния по ней, и окружности с радиусом 2R₀, центр которой совпадает с центром первой окружности, а окружность с радиусом 2R₀ является первой окружностью модуля второго уровня, и в точках ее сопряжения с окружностями первого уровня расположены центры модулей первого уровня, а полученную структуру охватывает окружность с радиусом 4R₀, являющаяся первой для модуля третьего уровня, и в точках ее сопряжения с окружностями модуля второго уровня расположены центры модулей второго уровня, а полученную структуру охватывает окружность с радиусом 8R₀, и далее структура сформирована таким же образом, причем, по крайней мере, один из углов шестиугольника расположен в точке сопряжения Р окружности с наибольшим радиусом R_max с окружностью с радиусом R_max/2, матрица образована вокруг центрального шестиугольника с соблюдением условия параллельности прямых, проходящих через центр и такую же точку Р каждого шестиугольника, причем фрактальная структура сформирована линиями из материала, имеющего кристаллическую решетку.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 2 формулы изобретения, характеризует аппликатор, в котором во фрактальной структуре через точки пересечения N окружностей одного радиуса в каждом модуле проходит по крайней мере одна дополнительная окружность.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 3 формулы изобретения, характеризует аппликатор, во фрактальной структуре которого через точки пересечения N окружностей первого модуля проходит по крайней мере одна дополнительная окружность, и в этих же точках расположены центры окружностей с радиусом, равным радиусу дополнительной окружности, которые охватывает окружность с радиусом, равным двум радиусам дополнительной окружности, и далее сформированы дополнительные модули второго,...n уровня, где n не превышает М.

Дополнительные окружности имеют радиусы, величины которых отличаются от радиусов остальных окружностей в дробное число раз, и это позволяет увеличить диапазон воздействия на биообъект. Построение дополнительной фрактальной структуры намного увеличивает плотность линий и усиливает воздействие аппликатора, но технология его изготовления усложняется.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 4 формулы изобретения, характеризует аппликатор, во фрактальной структуре которого через точки пересечения N окружностей модуля последнего уровня проходит по крайней мере одна дополнительная окружность с радиусом R_d, которая охватывает N окружностей с радиусами R_d/2, сопрягаясь с ними в этих же точках, а их центры расположены на окружности с радиусом R_d/2, центр которой совпадает с центром дополнительной окружности, и каждая окружность этого модуля является завершающей для модуля с такой же структурой с окружностями с радиусами R_d/4, и далее структура фрактализуется таким же образом до уровня фрактализации, не превышающего М.

Такой способ построения фрактальной структуры используется в тех случаях, когда заранее задан размер внешнего контура модуля, и для получения более плотной структуры.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 5 формулы изобретения, характеризует аппликатор, во фрактальной структуре которого число окружностей N равно 4.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 6 формулы изобретения, характеризует аппликатор во фрактальной структуре которого число окружностей N равно 8.

Фрактальная структура с числом окружностей N, равным 8, обладает очень высокой стабильностью, поэтому велико ее стабилизирующее влияние на биообъект. В том случае, когда N равно 4, стабилизирующее влияние аппликатора несколько меньше, но его легче изготавливать.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 7 формулы изобретения, характеризует аппликатор, в котором подложка выполнена из кремния, а фрактальная структура сформирована из металла.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 8 формулы изобретения, характеризует аппликатор, в котором подложка выполнена из алюминия, а фрактальная структура сформирована из графита.

Воздействие таких аппликаторов очень значительно за счет кристаллических решеток подложки и линий. За их счет возрастает объемность фрактальной структуры, а следовательно, и воздействие.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 9 формулы изобретения. характеризует аппликатор, в котором подложка выполнена из поливинила, а фрактальная структура сформирована из графита.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 10 формулы изобретения, характеризует аппликатор, в котором подложка выполнена из поливинила, а фрактальная структура сформирована из металла.

Такие аппликаторы могут быть недорогими.

Совокупность признаков, изложенных в пункте 11 формулы изобретения, характеризует аппликатор, в котором высота линий, формирующих фрактальную структуру, равна или кратна ее ширине.

Это оптимальное соотношение линий с точки зрения реакции биообъекта на воздействие.

Изобретение основывается на следующих положениях.

Фрактальная структура - структура, в которой все внутренние составляющие являются подобными общей форме, а общая форма - производным аналогом своей базовой основы. Математическое понятие фрактала объединяет структурные формы различных масштабов, отражая иерархический принцип их организации (Л3).

Эксперименты показывают (Л4), что заявляемая фрактальная структура видоизменяет окружающее электромагнитное поле, она его программно структурирует. Воздействие аппликаторов на электромагнитное поле зависит от многих факторов: плотность линий, вид линий (наличие дополнительных окружностей), материал подложки, материал, из которого выполнены линии, их ширина, высота, соотношение ширины и высоты. Программно структурированное электромагнитное поле воздействует на биообъекты, вызывая отклик на это воздействие. Автор предполагает, что благотворное влияние аппликатора на биообъекты основывается на его гипотезе о том, что общая структурная схема реализации генетической базовой основы биологических объектов, в частности человека, представляет собой пространственный фрактальный комплекс, единичный модуль которого близок к единичному модулю аппликатора.

Изобретение поясняется чертежами, где:

фиг.1 - общий вид аппликатора;

фиг.2-6 - схемы образования фрактальной структуры.

Аппликатор (фиг.1) состоит из подложки, на которой сформирована матрица, состоящая из набора одинаковых элементов, каждый из которых представляет собой шестиугольник, образованный путем вписывания его в окружность с наибольшим радиусом R_max фрактальной структуры с уровнем фрактализации М, равным 3. Она образована следующим образом: модуль первого уровня фрактализации (фиг.2) состоит из 1+N окружностей радиуса R_o, где N больше двух (на фиг.2 показан модуль с N=4), а центры (1, 2, 3, 4) N окружностей расположены на первой окружности с центром в точке О через равные расстояния по ней, и окружности с радиусом 2R_o, центр которой совпадает с центром первой окружности в точке О. Построение модуля первого уровня фрактализации закончено, но окружность с радиусом 2R₀ является первой окружностью модуля второго уровня фрактализации (фиг.3). На этой окружности в точках ее сопряжения с окружностями радиуса R₀ расположены центры модулей первого уровня. Построение модуля второго уровня фрактализации завершается проведением окружности с радиусом 4R₀ с центром в точке О, которая в свою очередь является первой окружностью модуля третьего уровня (фиг.6). Далее построение идет аналогичным образом, т.е. в точках сопряжения окружности с радиусом 4R₀ с окружностями с радиусом 2R₀ помещаются центры модулей второго уровня и затем проводится окружность с центром в точке О с радиусом 8R₀ и т.д. На фиг.4 показано выполнение модуля первого уровня с фрактализацией дополнительной окружности, которая проходит через точки пересечения N окружностей друг с другом (1₁ , 2₁, 3₁, 4₁), a центры ее фрактализации расположены в этих точках. При N=4 каждая окружность пересекается с двумя соседними и через точки их пересечения проходит 1 дополнительная окружность. При N=8 каждая окружность пересекается с шестью соседними и через точки их пересечения можно провести три дополнительные окружности.

В том случае, когда заранее задан размер внешнего контура модуля последнего уровня, дополнительная фрактальная структура имеет несколько иной вид: через точки пересечения N окружностей модуля последнего уровня проходит по крайней мере одна дополнительная окружность с радиусом R_d, которая охватывает N окружностей с радиусом R_d/2, сопрягаясь с ними в этих же точках, а их центры расположены на окружности с радиусом R_d/2, центр которой совпадает с центром дополнительной окружности, и каждая окружность этого модуля является завершающей для модуля с такой же структурой с окружностями с радиусом R_d/4, и далее структура фрактализуется таким же образом до уровня фрактализации, не превышающего М. В этом случае минимальная дополнительная окружность может быть расположена внутри окружности с радиусом R₀. Такой способ фрактализации дополнительной окружности иллюстрируется фиг.5. Для наглядности показан модуль первого уровня фрактализации, где N равно 8. Через точки пересечения окружностей с радиусом R₀ проходит дополнительная окружность с радиусом R_d, и в этих же точках она сопрягается с окружностями с радиусом R_d /2.

Каждый элемент матрицы (фиг.6) образован путем вписывания шестиугольника в окружность с радиусом 8R₀, причем один из углов шестиугольника расположен в точке сопряжения Р окружности с радиусом 8R_o с окружностью с радиусом 4R₀. При формировании матрицы (фиг.1) соблюдается условие параллельности прямых ОР, т.е. прямых, проходящих через центр О шестиугольника и точку сопряжения Р.

В примере рассмотрен вариант конструкции аппликатора, на базе фрактальной структуры с числом окружностей N, равным 4. При увеличении числа N, при использовании фрактальной структуры с дополнительными окружностями можно получить очень высокую плотность линий в аппликаторе.

Линии, формирующие матрицу, а соответственно и фрактальную структуру, на основе которой получают шестиугольник матрицы, выполняются из материала с кристаллической решеткой, например металла.

Воздействие аппликаторов подтверждается тестами, проведенными с практически здоровыми людьми. Тесты проводились до наложения аппликаторов на испытуемых и после. Аппликаторы прикладывали к голове испытуемого. Тесты позволили заключить, что использование аппликаторов в состоянии психоэмоционального напряжения существенно способствует мобилизации функциональных резервов организма и поддержанию наиболее значимых при выполнении деятельности психофизических параметров на необходимом уровне.

Источники информации

1. Патент РФ №2140796.

2. Патент РФ №2173188.

3. Пайтген Х.О., Рихтер П.Х. "Красота фракталов", М., Мир. 1993.

4. Применение фрактально-матричных резонаторов для активации процессов самокоррекции в тонкопленочных структурах; Серов И.Н, Алексейцев А.В. и др. Вестник Воронежского государственного технического университета, серия Материаловедение, выпуск 1.12, Воронеж, 2002, стр. 48-52.