полупроводниковый газовый датчик

Классы МПК:G01N27/12 твердого тела в зависимости от абсорбции текучей среды, твердого тела; в зависимости от реакции с текучей средой 
Автор(ы):
Патентообладатель(и):Омский государственный технический университет (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2003-01-04
публикация патента:

Изобретение относится к области газового анализа, в частности, к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания кислорода. Технический результат изобретения: повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика, расширение его функциональных возможностей. Сущность изобретения состоит в том, что известный газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание, выполненное из монокристаллической пластины фосфида индия, с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, использован для определения микроконцентраций кислорода. 3 ил.

полупроводниковый газовый датчик, патент № 2241982

полупроводниковый газовый датчик, патент № 2241982 полупроводниковый газовый датчик, патент № 2241982 полупроводниковый газовый датчик, патент № 2241982

Формула изобретения

Применение газового датчика, содержащего полупроводниковое основание, выполненное в виде монокристаллической пластины фосфида индия с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, для определения микропримесей кислорода.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области газового анализа, в частности, к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей кислорода и других газов.

Известен датчик (детектор) по теплопроводности, действие которого основано на различии между теплопроводностью паров вещества и газоносителя [1]. Однако, чувствительность такого датчика (детектора) ограничивается на вещества с теплопроводностью, близкой к теплопроводности газа-носителя. Например, при использовании этого датчика для анализа кислорода, точность определения невысока.

Известен также датчик [2], позволяющий определять содержание кислорода с большей чувствительностью, однако он сложен по конструкции: включает селективную мембрану с необходимым для прохождения кислорода размером пор, полость с иммобилизованным флуоресцирующим красителем и устройство для фиксирования степени гашения красителя, которая пропорциональна парциальному давлению кислорода.

Задачей изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика, расширение его функциональных возможностей, в частности, обеспечение возможности его применения для анализа кислорода.

Поставленная задача решена за счет того, что известный газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание, выполненное из монокристаллической пластины фосфида индия, с нанесенными на поверхность основания металлическими электродами, применен для определения микропримесей кислорода.

Повышение чувствительности заявляемого датчика, принцип его работы демонстрируются чертежами, где представлены на фиг.1 - конструкция заявляемого датчика, на фиг.2 - график изменения электропроводности (полупроводниковый газовый датчик, патент № 2241982) в процессе адсорбции кислорода при различных температурах, включая комнатную (1 - вакуум, 2 – полупроводниковый газовый датчик, патент № 2241982 =0,53 Па) и на фиг.3 – градуировочная кривая - изменение электропроводности с увеличением давления кислорода при комнатной температуре. Последняя наглядно демонстрирует его чувствительность.

Датчик состоит из монокристаллической пластины фосфида индия 1 с нанесенными на его поверхность металлическими электродами 2.

Принцип работы такого датчика основан на связи между адсорбционно-десорбционными процессами, протекающими на полупроводниковой пластине, и вызванным ими изменением электропроводности.

Работа датчика осуществляется следующим образом.

Датчик помещают в исследуемую среду. При адсорбции кислорода, сопровождающейся образованием ионов и ионо-радикалов (О-2, О- и др.), происходит заряжение поверхности полупроводниковой пластины, соответственно изгиб энергетических зон и, как следствие, изменение концентрации свободных носителей зарядов и электропроводности. По величине ее изменения с помощью градуировочных кривых можно определить содержание кислорода в исследуемой среде.

Из анализа приведенной на фиг.3 типичной градуировочной кривой, полученной с помощью заявляемого датчика и выражающей зависимость полупроводниковый газовый датчик, патент № 2241982 от содержания кислорода ( полупроводниковый газовый датчик, патент № 2241982 ), следует: заявляемый датчик при существенном упрощении конструкции позволяет определять содержание кислорода с чувствительностью, в несколько раз превышающую чувствительность известных датчиков [2].

К достоинствам заявляемого прибора следует также отнести его очень малые размеры (не более 3 мм3) и невысокую стоимость.

Источники информации

1. Вяхирев Д.А., Шушукова А.Ф. Руководство по газовой хроматографии. - М.: Высш. школа, 1987.

2. Будников Г.К. Что такое химические сенсоры // Соросовский образовательный журнал, 1998, №3, с.72-76.

Класс G01N27/12 твердого тела в зависимости от абсорбции текучей среды, твердого тела; в зависимости от реакции с текучей средой 

полупроводниковый газовый датчик -  патент 2528118 (10.09.2014)
способ изготовления чувствительного элемента датчиков газов с углеродными нанотрубками -  патент 2528032 (10.09.2014)
полупроводниковый газоанализатор -  патент 2526226 (20.08.2014)
газовый датчик -  патент 2526225 (20.08.2014)
способ калибровки полупроводниковых сенсоров газа и устройство для его осуществления -  патент 2523089 (20.07.2014)
электрический сенсор на пары гидразина -  патент 2522735 (20.07.2014)
способ получения газочувствительного материала на основе оксида цинка к парам ацетона -  патент 2509302 (10.03.2014)
способ измерения полисостава газовых сред -  патент 2504760 (20.01.2014)
электрохимический сенсор и способ его получения -  патент 2502992 (27.12.2013)
способ определения остаточной водонасыщенности и других форм связанной воды в материале керна -  патент 2502991 (27.12.2013)
Наверх