бесконтактный способ определения диэлектрической проницаемости твердых и жидких диэлектриков

Классы МПК:G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот
G01R27/26 для измерения индуктивности и(или) емкости; для измерения добротности, например резонансным способом; для измерения коэффициента потерь; для измерения диэлектрических постоянных 
Автор(ы):, , , , ,
Патентообладатель(и):Иркутский государственный университет (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2002-03-29
публикация патента:

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано, например, для проверки качества твердых и жидких электроизоляционных материалов. Техническим результатом является создание способа измерения диэлектрической проницаемости без разрушающего воздействия и достижения более высокой точности и достаточно простого в использовании. В способе определения диэлектрической проницаемости путем воздействия электромагнитного поля испытуемый образец помещают в межэлектродное пространство между измерительным плоским электродом и поверхностью вращающегося металлического диска, на котором закреплен полимерный пленочный электрет - источник электрического поля, определяют амплитудное значение индукционного тока измерительного электрода в случае, когда испытуемый образец находится в межэлектродном пространстве, амплитудное значение индукционного тока без помещения диэлектрика, а диэлектрическую проницаемость по приведенной математической формуле. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Рисунок 1

Формула изобретения

1. Бесконтактный способ определения диэлектрической проницаемости твердых и жидких диэлектриков путем воздействия электромагнитного поля, отличающийся тем, что испытуемый образец помещают в межэлектродное пространство между измерительным плоским электродом и поверхностью вращающегося металлического диска, на котором закреплен полимерный пленочный электрет - источник электрического поля, определяют амплитудное значение индукционного тока измерительного электрода в случае, когда испытуемый образец находится в межэлектродном пространстве, амплитудное значение индукционного тока без помещения диэлектрика, а диэлектрическую проницаемость вычисляют по формуле

бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075

где бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075х - диэлектрическая проницаемость исследуемого диэлектрического материала;

бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075возд. - диэлектрическая проницаемость воздуха;

hх - толщина исследуемого диэлектрического материала;

hвозд. -толщина воздушного промежутка;

h - расстояние от поверхности измерительного электрода до поверхности вращающегося диска, на которой закреплен тонкопленочный электрет - источник электрического поля;

Ix - амплитудное значение индукционного тока измерительного электрода, измеренное с помощью осциллографа, для случая, когда исследуемый диэлектрик находится в межэлектродном измерительном промежутке;

1возд. - амплитудное значение индукционного тока для случая, когда межэлектродный измерительный промежуток заполнен только воздухом.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве источника электрического поля используют тонкий пленочный электрет из конденсаторной пленки политетрафторэтилен.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано, например, для проверки качества твердых и жидких электроизоляционных материалов.

Известны мостовой и резонансный способы измерения диэлектрической проницаемости твердых и жидких диэлектриков [1, 2], которые позволяют проводить измерение диэлектрической проницаемости электроизоляционных материалов в измерительной ячейке с накладными или напыленными в вакууме металлическими измерительными электродами.

Недостатком вышеуказанных способов измерения является то, что для их реализации необходимо использование накладных или напыляемых в вакууме металлических электродов.

Известен способ контроля толщины и диэлектрической проницаемости диэлектрика [3], который включает одновременное облучение исследуемого диэлектрика на металлическом основании излучением в СВЧ и ВЧ диапазонах. Частоту ВЧ излучения выбирают из условия, что толщина схемы-слоя меньше толщины металлического основания, измерение изменений величин продетектированных сигналов на ВЧ и СВЧ в отсутствие диэлектрика на металлическом основании и в его присутствии и определение толщины.

Известен способ определения диэлектрической проницаемости материала [4]. Способ включает возбуждение электромагнитных колебаний в микрополосковой линии с известными параметрами комплексной диэлектрической проницаемости, измерение ее импеданса в режимах холостого хода и короткого замыкания при размещении микрополосковой линии на поверхности исследуемого образца материала и при отсутствии исследуемого образца и вычисление диэлектрической проницаемости исследуемого образца материала.

Ближайшим аналогом является способ определения комплексной диэлектрической проницаемости материала [5]. Способ заключается в подаче на исследуемую пробу скачкообразно изменяющегося напряжения чередующейся полярности с периодом циклической частоты измерения, интегрировании поляризационного тока и регистрации величины поляризационного заряда в равноотстоящие моменты времени. При вычислении действительной части комплексной диэлектрической проницаемости выбирают количество отсчетов в течение полупериода не менее четырех, а при вычислении мнимой части - не менее 32. Вычисления компонент комплексной диэлектрической проницаемости производят суммированием величин отсчетов, умноженных на тригонометрические функции фазового угла (синус или косинус для действительной или мнимой части соответственно).

Недостатком известных способов и прототипа является то, что они достаточно сложны в применении.

Задачей предлагаемого изобретения является создание способа измерения диэлектрической проницаемости без разрушающего воздействия и достижения более высокой точности и достаточно простого в использовании.

Поставленная задача достигается тем, что в известном способе определения диэлектрической проницаемости путем воздействия электромагнитного поля испытуемый образец помещают в межэлектродное пространство между плоским измерительным электродом и поверхностью вращающегося металлического диска, на котором закреплен полимерный пленочный электрет - источник электрического поля, определяют амплитудное значение индукционного тока измерительного электрода в случае, когда испытуемый образец находится в межэлектродном пространстве Ix, амплитудное значение индукционного тока без помещения диэлектрика Iвозд, а диэлектрическую проницаемость вычисляют по формуле

бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075

где бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075x - диэлектрическая проницаемость исследуемого диэлектрического материала;

бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075возд - диэлектрическая проницаемость воздуха;

hx - толщина исследуемого диэлектрического материала;

hвозд - толщина воздушного промежутка;

h - расстояние от поверхности измерительного электрода до поверхности вращающегося диска, на которой закреплен тонкопленочный электрет - источник электрического поля;

Ix - амплитудное значение индукционного тока измерительного электрода, измеренное с помощью осциллографа, для случая, когда исследуемый диэлектрик находится в межэлектродном измерительном промежутке;

Iвозд - амплитудное значение индукционного тока для случая, когда межэлектродный измерительный промежуток заполнен только воздухом.

В качестве источника электрического поля используют тонкий пленочный электрет из конденсаторной пленки политетрафторэтилен (ПТФЭ).

Способ осуществляется следующим образом.

На чертеже представлена схема устройства для определения диэлектрической проницаемости.

На поверхности вращающегося диска 1 закрепляют предварительно заполяризованный электрет 2 круглой формы, диаметром - d. Исследуемый твердый диэлектрик 3 в виде цилиндра диаметром - D и высотой - H, где D>>d, помещают в промежутке между измерительным электродом 4 и поверхностью заземленного вращающегося диска 1 с закрепленным пленочным электретом 2.

Если необходимо выполнить измерения диэлектрической проницаемости - жидкого диэлектрика (например, трансформаторного масла), то в межэлектродный промежуток устанавливают тонкостенный полиэтиленовый сосуд цилиндрической формы с толщиной стенки - h, где h<<Н. Толщина стенки полиэтиленового сосуда h значительно меньше толщины слоя жидкости Н.

На клеммы электродвигателя подают постоянное напряжение питания от 0 до 30 В. В зависимости от подаваемого напряжения скорость вращения электродвигателя и соответственно скорость вращения диска 1 может меняться в пределах от 0 до 3000 об/мин.

Амплитуду сигнала от электрета 2 измеряют с помощью электронно-лучевого осциллографа. Для определения диэлектрической проницаемости твердых и жидких диэлектриков необходимо выполнить два измерения величины Ii.

Первое Iвозд - измеряют при удалении испытуемого диэлектрика из измерительного межэлектродного промежутка (в межэлектродном промежутке находится только воздух). Второе Ix - измеряют, когда в измерительный межэлектродный промежуток помещают исследуемый диэлектрик.

Расчет величины диэлектрической проницаемости исследуемого диэлектрика производят по формуле

бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075

где h - расстояние от поверхности измерительного электрода до поверхности вращающегося диска; hx - толщина исследуемого диэлектрика - толщина воздушного промежутка.

Н=hвозд+hx

При полном заполнении межэлектродного промежутка исследуемым диэлектриком (например, проведение измерений в трансформаторном масле) величина диэлектрической проницаемости диэлектрического материала измеряется по формуле

бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075

где hвозд=0 и hx=h.

Пример 1

Измерение диэлектрической проницаемости трансформаторного масла.

В тонкостенный стакан из полиэтилена с толщиной стенки 0,05 мм заливают трансформаторное масло (толщина слоя 10 мм). Устанавливают межэлектродное расстояние в измерительном конденсаторе 15 мм. Проверяют, что в этой области межэлектродных промежутков зависимость амплитуды измеряемого сигнала от величины обратного расстояния 1/h I=f(1/h) практически линейна и вклад краевой емкости минимален. В измерениях используют электрет пленки ПТЭФ - h=10 мкм, заполяризованный до величины электретной разности потенциалов V=1000 В. Производят два измерения амплитуды сигнала осциллографа Iвозд - для пустого (заполненного воздухом) измерительного конденсатора и Ix - для измерительного конденсатора с исследуемым образцом - трансформаторным маслом.

По шкале электронно-лучевого осциллографа измерены два значения амплитуды сигнала Iвозд=10,0 мм и Ix=16,6 мм. Считаем, что диэлектрическая проницаемость воздуха бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075возд=1.

По формуле производим расчет диэлектрической проницаемости трансформаторного масла

бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075

Расчетное значение диэлектрической проницаемости для трансформаторного масла равно 2,5, что находится в соответствии со справочными данными.

Пример 2

В измерениях используют пластинку из слюды мусковит, толщиной 10 мм. Устанавливают межэлектродное расстояние в измерительном конденсаторе 15 мм. Проверяют, что в этой области межэлектродных промежутков зависимость амплитуды измеряемого сигнала от величины обратного расстояния 1/h Ix=t(1/h) практически линейна и вклад краевой емкости минимален. В измерениях используют электрет пленки ПТЭФ - h=10 мкм, заполяризованный до величины электретной разности потенциалов V=1000 В. Производят два измерения амплитуды сигнала осциллографа Iвозд - для пустого (заполненного воздухом) измерительного конденсатора и Ix - для измерительного конденсатора с исследуемым электроизоляционным материалом (слюда мусковит).

По шкале электронно-лучевого осциллографа измерены два значения амплитуды сигнала Iвозд=10,0 мм и Ix=23,1 мм. Считаем, что диэлектрическая проницаемость воздуха бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075возд=1.

По формуле производим расчет диэлектрической проницаемости слюды мусковит

бесконтактный способ определения диэлектрической   проницаемости твердых и жидких диэлектриков, патент № 2234075

Расчетное значение диэлектрической проницаемости для слюды мусковит равно 6,7, что находится в соответствии со справочными данными.

Предлагаемый способ позволяет значительно упростить измерения диэлектрической проницаемости без разрушающего воздействия.

Источники информации

1. Казарновкий Д.М., Тареев Б.М. Испытания электроизоляционных материалов. - М.-Л.: Госэнергоиздат, 1963.

2. Эме Ф. Диэлектрические измерения. Для количественного анализа и для определения химической структуры. Пер. с немец. Штиллера Б.Н. Под ред. Заславского И.И. - М.: Химия, 1967.

3. Патент РФ №2012871, G 01 N 22/00, 1994.

4. Патент РФ №2103673, G 01 N 22/00, G 01 R 27/26, 1998.

5. Заявка РФ №94012374, G 01 R 27/26, 1996 (прототип).

Класс G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
контрольное устройство миллиметрового диапазона -  патент 2521781 (10.07.2014)
система и способ досмотра субъекта -  патент 2517779 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка" -  патент 2517200 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и энергии активации примесных центров полупроводниковых слоев -  патент 2516238 (20.05.2014)
антенна-аппликатор и устройство для определения температурных изменений внутренних тканей биологического объекта путем одновременного неинвазивного измерения яркостной температуры внутренних тканей на разных глубинах -  патент 2510236 (27.03.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
свч способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле -  патент 2507506 (20.02.2014)
способ обнаружения и идентификации взрывчатых и наркотических веществ и устройство для его осуществления -  патент 2507505 (20.02.2014)

Класс G01R27/26 для измерения индуктивности и(или) емкости; для измерения добротности, например резонансным способом; для измерения коэффициента потерь; для измерения диэлектрических постоянных 

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
микроконтроллерный измерительный преобразователь с уравновешиванием резистивного моста уитстона методом широтно-импульсной модуляции -  патент 2515309 (10.05.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
микроконтроллерный измерительный преобразователь сопротивления в двоичный код с генератором, управляемым напряжением -  патент 2502076 (20.12.2013)
способ определения коэффициента потерь tg диэлектриков -  патент 2501028 (10.12.2013)
микроконтроллерное устройство диагностики межвитковой изоляции обмотки электродвигателя по эдс самоиндукции -  патент 2498327 (10.11.2013)
способ определения сопротивления и индуктивности рассеяния первичной обмотки трансформатора напряжения -  патент 2491559 (27.08.2013)
сканирующий измеритель параметров cg-двухполюсников -  патент 2488130 (20.07.2013)
способ и устройство для емкостного обнаружения объектов -  патент 2486530 (27.06.2013)
Наверх