матрица лазерного материала

Классы МПК:H01S3/16 из твердых материалов 
Автор(ы):
Патентообладатель(и):Кузьмин Олег Викторович (RU)
Приоритеты:
подача заявки:
2002-10-15
публикация патента:

Изобретение относится к материалам, применяемым в квантовой электронике, в частности к монокристаллам, используемым в качестве матрицы для твердотельных лазеров с диодной накачкой. Матрица лазерного материала представляет собой смешанный ортоборат лантана и/или церия и скандия с химической формулой R1-xScxBO3, где R-La и/или Се, 0,9>х>0,5. Обеспечено получение матрицы лазерного материала с высокой степенью изоморфной емкости, достаточной для использования ее в качестве лазерного материала с высокой концентрацией ионов активаторов переходных и/или редкоземельных металлов. 1 табл.

Формула изобретения

Матрица лазерного материала на основе ортобората скандия ScBO3, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит катионы лантана La и/или церия Се и имеет химическую формулу R1-xScxBO3, где R-La и/или Се, 0,9>х>0,5.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к материалам, применяемым в квантовой электронике, в частности к монокристаллам, используемым в качестве матрицы лазерного материала для твердотельных лазеров с диодной накачкой.

Твердотельные лазеры с диодной накачкой и излучением в широком спектральном диапазоне нашли широкое применение в приборах различного назначения.

Дальнейшее повышение эффективности твердотельных лазеров с диодной накачкой невозможно без создания новых активных сред, обладающих эффективным поглощением в спектральном диапазоне диодного источника накачки. Высокие коэффициенты поглощения могут быть достигнуты увеличением концентрации активаторов и использованием эффекта сенсибилизации люминесценции. Разработка новых монокристаллических матриц с высокой изоморфной емкостью, способных обеспечить возможность введения в высокой концентрации различных лазерных активаторов, к которым относятся ионы переходных и редкоземельных металлов группы лантана, является актуальной задачей.

Известны ортобораты скандия и редкоземельных элементов лантана и церия SсВО3, LaBO3, СеВО3 (К.И.Портной, Н.И.Тимофеева. Кислородные соединения редкоземельных элементов. - М.: Металлургия, 1986, стр. 118-123) и пример использования кристаллической матрицы SсВО3 в качестве лазерного материала.

Например, известен лазерный материал Sc1-xMxBO3, где 0<хматрица лазерного материала, патент № 22318810,4, а М - активатор (Патент РФ №2084997, кл. Н 01 S 3/16, 1993).

Рассматривать ScBO3 как матрицу для создания лазерного материала с высокой концентрацией активной примеси можно только для группы переходных металлов, например Сr3+ Ti3+ V3+. Введение в SсВО3 редкоземельных ионов активаторов Pr3+ Nd3+ Ho3+ Еr3+ Тm3+ Yb3+ в высокой концентрации не представляется возможным из-за низкой изоморфной емкости, связанной с малым ионным радиусом катиона скандия.

Соединения LаВО3, СеВО3 можно рассматривать как потенциальные лазерные матрицы с высокой изоморфной емкостью для редкоземельных ионов активаторов.

Однако получить ортобораты группы лантана прямым синтезом из оксидов невозможно (Б.Ф.Джуринский, Л.З.Гохман, В.И.Чистова. Способ получения ортоборатов церия, празеодима и тербия. - Неорганические материалы, 1981, т.17, №4, стр. 739-740). Это связано с тем, что для всех редкоземельных ортоборатов характерно большое количество неустойчивых полиморфных форм. В зависимости от температуры ортобораты кристаллизуются в изоструктурные кальциту формы арагонита и фатерита. Это не позволяет получить оптически однородные кристаллы редкоземельных ортоборатов, выращивая их непосредственно из расплава (Справочник “Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов”. - М.: Наука, 1985, т.5, ч.1, стр. 43-51).

Известен способ увеличения изоморфной емкости выращиваемых кристаллов. Увеличение изоморфной емкости кристалла достигается путем частичного замещения входящих в его состав катионов на катионы других элементов с меньшими или большими ионными радиусами, например, в кристаллах со структурой граната (D. Mateika, E. Voelkel, J. Haisma, "Czochralski growth from multicomponent melts of homogeneous mixed-gamet crystals". Journal of Crystal Growth, 1990, V.102, pp. 994-1013). Размеры катионов, участвующих в замещении, и их концентрация активно влияют на кристаллографические параметры матрицы лазерного материала: средние ионные радиусы, размеры узлов кристаллической решетки, длины связей. Это позволяет выращивать смешанные кристаллы с коэффициентом распределения различных катионов равным или почти равным единице.

Технической задачей данного изобретения является получение матрицы лазерного материала с высокой изоморфной емкостью, достаточной для использования ее в качестве лазерного материала с высокой концентрацией ионов активаторов переходных и/или редкоземельных металлов.

Технический результат в предлагаемом изобретении достигают созданием матрицы лазерного материала на основе ортобората скандия SсВО3, которая согласно изобретению дополнительно содержит катионы лантана La и/или церия Се и имеет химическую формулу R1-xxBO3, где R - La и/или Се.

Изобретение характеризуется также тем, что стехиометрический коэффициент в химической формуле выбирают в пределах 0,9>х>0,5.

В предлагаемой матрице лазерного материала изоморфная емкость обеспечивается наличием в ней двух катионов с разными ионными радиусами. Ионные радиусы катионов лантана и/или церия близки по размерам к ионным радиусам большинства редкоземельных металлов, применяемых в качестве активаторов, а ионный радиус катионов скандия близок к размерам ионных радиусов катионов группы переходных металлов.

В процессе экспериментов по выращиванию кристаллов предлагаемой матрицы лазерного материала было установлено, что в кристаллах смешанных ортоборатов скандия, лантана и/или церия, начиная от температуры в точке кристаллизации и при последующем охлаждении выращенных кристаллов до комнатной температуры, не происходит полиморфных изменений.

Сущность предлагаемого лазерного материала раскрыта в нижеследующем описании и проиллюстрирована результатами, представленными в таблице, в которой указаны химический состав выращенных кристаллов матрицы лазерного материала и оценка их оптической однородности.

Монокристаллы предлагаемой матрицы лазерного материала были выращены методом Чохральского из расплава.

В качестве исходных компонентов для приготовления шихты использовались соответствующие оксиды металлов лантана La, церия Се, скандия Sc и бора В высокой степени чистоты, а именно Lа2О3, СеО2, Sс2O3, В2O3.

Компоненты шихты взвешивались и наплавлялись в иридиевый тигель. Тепловой узел был изготовлен из оксидной керамики алюминия и циркония,

В качестве затравки использовалась иридиевая проволока, затем из выращенных на иридиевую проволоку кристаллов изготавливались ориентированные монокристаллические затравки.

Скорость выращивания кристаллов составляла 1,5 мм/час. Диаметр выращенных для исследований кристаллов составлял 20 мм, длина 50 мм.

Выращенные кристаллы бесцветны, со слабо выраженной огранкой.

В предлагаемой матрице лазерного материала оптическая однородность сохранялась при значениях стехиометрического коэффициента 0,5<х<0,9.

Рентгеноструктурные исследования проводились на установке ДРОН-3. Они позволили установить, что предлагаемая матрица лазерного материала кристаллизуется в моноклинную сингонию, предположительная пространственная группа Р2/m.

Как следует из результатов проведенных исследований, предлагаемая матрица лазерного материала является перспективной для создания новых высококонцентрированных лазерных материалов, активированных ионами переходных и/или редкоземельных металлов.

матрица лазерного материала, патент № 2231881

Класс H01S3/16 из твердых материалов 

монокристалл граната, оптический изолятор и оптический процессор -  патент 2528669 (20.09.2014)
лазерная фторидная нанокерамика и способ ее получения -  патент 2484187 (10.06.2013)
полимерные наночастицы, содержащие среду для преобразования фотонов с повышением частоты -  патент 2479616 (20.04.2013)
способ изменения обыкновенного показателя преломления нелинейного кристалла gase -  патент 2472876 (20.01.2013)
твердотельный источник электромагнитного излучения -  патент 2464683 (20.10.2012)
оптический квантовый генератор двухмикронного диапазона длин волн -  патент 2459328 (20.08.2012)
способ получения фторидной нанокерамики -  патент 2436877 (20.12.2011)
поликристаллический лазерный материал -  патент 2431910 (20.10.2011)
лазерная усиливающая среда и лазерный генератор (варианты) с использованием такой среды -  патент 2427061 (20.08.2011)
лазерный материал -  патент 2395883 (27.07.2010)
Наверх