способ изготовления газоразрядной индикаторной панели

Формула изобретения

Способ изготовления газоразрядной индикаторной панели, включающий формирование на первой диэлектрической пластине первых электродов, первых диэлектрических барьеров и люминофорных элементов, формирование вторых электродов ортогональных первым электродам, сборку первой и второй диэлектрических пластин, герметизацию и наполнение, отличающийся тем, что первоначально формируют на первой диэлектрической пластине первые диэлектрические барьеры, вторые диэлектрические барьеры, ортогональные первым диэлектрическим барьерам, и дополнительные диэлектрические барьеры, расположенные между первыми диэлектрическими барьерами, затем формируют на дополнительных диэлектрических барьерах первые электроды, после чего наносят на внутреннюю поверхность первой диэлектрической пластины люминофорные элементы, а затем формируют на первых и вторых диэлектрических барьерах диэлектрическую матрицу, на которой формируют вторые электроды, после чего проводят сборку первой и второй диэлектрических пластин.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП).

Известен способ изготовления люминесцентной панели, в котором на диэлектрическую пластину наносят методом трафаретной печати электроды, многослойное диэлектрическое покрытие, а на электроды - люминофорное покрытие, проводят сборку нижней и верхней диэлектрических пластин и герметизацию [патент США 4023876, кл. 316-9, 1977 г.].

К недостаткам указанного способа следует отнести многослойность покрытий, обуславливающую высокую трудоемкость и техническую сложность изготовления.

Известен способ изготовления ГИП, заключающийся в изготовлении нижней диэлектрической пластины с катодами, верхней диэлектрической пластины с анодами, сформированными методом трафаретной печати, сборке верхней, нижней диэлектрических пластин и центральной пластины с отверстиями, герметизации и наполнении ГИП [патент США 4108521, кл. 316-17, 1978 г.].

Недостатком данного способа изготовления ГИП является большая трудоемкость процесса сборки, вызванная сложностью юстировки элементов конструкции.

Наиболее близким к предлагаемому способу является способ изготовления ГИП, включающий формирование на первой диэлектрической пластине первых электродов, первых диэлектрических барьеров и люминофорных элементов, формирование вторых электродов, ортогональных первым электродам, сборку первой и второй диэлектрических пластин, герметизацию и наполнение [заявка Франции 2211744, кл. H 01 J 17/49, 1985 г. - прототип].

Недостатком данного способа изготовления ГИП является то, что он не позволяет формировать элементы ГИП с высокой точностью, не позволяет наносить люминофорное покрытие толщиной, обеспечивающей высокую яркость свечения.

Задачей данного изобретения является создание способа изготовления ГИП с высокой однородностью свечения ячеек индикации за счет одновременного формирования первых, вторых и дополнительных диэлектрических барьеров, на последние из которых наносят электроды.

Указанный технический эффект при осуществлении изобретения достигается тем, что в известном способе изготовления газоразрядной индикаторной панели, включающем формирование на первой диэлектрической пластине первых электродов, первых диэлектрических барьеров и люминофорных элементов, формирование вторых электродов, ортогональных первым электродам, сборку первой и второй диэлектрических пластин, герметизацию и наполнение, первоначально формируют на первой диэлектрической пластине первые диэлектрические барьеры, вторые диэлектрические барьеры, ортогональные первым диэлектрическим барьерам и дополнительные диэлектрические барьеры, расположенные между первыми диэлектрическими барьерами, затем формируют на дополнительных диэлектрических барьерах первые электроды, после чего наносят на внутреннюю поверхность первой диэлектрической пластины люминофорные элементы, а затем формируют на первых и вторых диэлектрических барьерах диэлектрическую матрицу, на которой формируют вторые электроды, после чего проводят сборку первой и второй диэлектрических пластин.

Нанесение первых электродов на дополнительные диэлектрические барьеры, которые формируют одновременно с первыми и вторыми диэлектрическими барьерами, позволяет обеспечить высокую точность их нанесения относительно других элементов ячеек индикации, уменьшая разброс напряжения поддержания разряда, повышая, таким образом, однородность свечения ячеек индикации.

Формирование дополнительных диэлектрических барьеров позволяет увеличить толщину нанесения люминофорного покрытия в ячейках индикации за счет повышения сцепления частиц люминофора с первой диэлектрической пластиной, исключающего осыпание люминофора. Увеличение толщины люминофорного покрытия приводит к увеличению яркости свечения люминофора в ячейках индикации.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяют установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа как наиболее близкого по совокупности признаков аналога позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию "новизна".

Для проверки соответствия заявленного изобретения требованию изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, позволяющие изготавливать ГИП с высокой яркостью, однородным свечением ячеек индикации за счет нанесения между основными диэлектрическими барьерами дополнительных диэлектрических барьеров, формируемых одновременно с основными.

Таким образом, заявленное техническое решение отвечает требованию "изобретательский уровень".

Предлагаемый способ изготовления ГИП поясняется чертежом, где представлена последовательность выполнения технологических операций согласно предложенному способу изготовления ГИП.

На первую диэлектрическую пластину 1 одновременно наносят первые 2, вторые 3 и дополнительные 4 диэлектрические барьеры (см. чертеж, а). Затем на дополнительные диэлектрические барьеры 4 наносят первые электроды 5 (см. чертеж, б). После чего на первой диэлектрической пластине в промежутках между первыми и вторыми диэлектрическими барьерами и дополнительными диэлектрическими барьерами наносят люминофорное покрытие 6 (см. чертеж, в). Затем на первых 2 и вторых 3 диэлектрических барьерах формируют диэлектрическую матрицу 7, определяющую межэлектродное расстояние, на которой формируют вторые электроды 8 (см. чертеж, г). Проводят сборку первой 1 и второй 2 диэлектрических пластин (см. чертеж, д), герметизацию и наполнение ГИП.

Пример конкретного выполнения. Для изготовления ГИП постоянного тока на первой стеклопластине 400 х 400 х 5 мм методом трафаретной печати пастой, состоящей из легкоплавкого стекла и алунда в соотношении 3:2 и органического связующего, наносят одновременно первые, вторые и дополнительные диэлектрические барьеры. Первые и вторые диэлектрические барьеры наносят с шагом 6 мм, высотой 0,06 мм и шириной 0,15 мм. Затем из токопроводящей пасты, состоящей из порошка алюминия и органического связующего на дополнительных диэлектрических барьерах, формируют первые электроды (аноды) толщиной 0,02 мм, шириной 0,15 мм. После чего на внутренней поверхности первой стеклопластины в промежутках, ограниченных первыми, вторыми и дополнительными диэлектрическими барьерами, формируют люминофорное покрытие толщиной 0,08 мм из пасты, включающей порошок люминофора и органическое связующее, взятых в соотношении 3:1. Затем на первых и вторых диэлектрических барьерах формируют диэлектрическую матрицу из пасты, включающей стеклоприпой, тугоплавкий наполнитель и органическое связующее, определяющую расстояние между первыми и вторыми электродами, равное 0,3 мм. Проводят вжигание паст при температуре 530^oС. Затем ортогонально первым электродам наматывают вторые электроды (катоды) из проволоки 47 НД диаметром 0,12 мм. Собирают пакет из первой и второй диэлектрических пластин, наносят внешний шов герметизации, проводят термообработку при температуре плавления материала шва герметизации. ГИП наполняют смесью Ne+15% Хе при давлении 100 мм рт.ст.

ГИП постоянного тока, изготовленная согласно заявленному способу, имеет яркость свечения 162-181 кд/м², что на 29% больше чем у серийно выпускаемых ГИП постоянного тока. Разброс яркости свечения снижен в 1,7 раза, а разброс напряжения поддержания разряда уменьшен на 19%.

Таким образом, предложенный способ изготовления позволяет создать ГИП со стабильным напряжением поддержания разряда и высокой равномерностью свечения ячеек индикации.