способ измерения относительной диэлектрической проницаемости жидких сред на свч

Классы МПК:G01R27/26 для измерения индуктивности и(или) емкости; для измерения добротности, например резонансным способом; для измерения коэффициента потерь; для измерения диэлектрических постоянных 
G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):ЗАО "Тантал - Наука"
Приоритеты:
подача заявки:
2001-12-13
публикация патента:

Изобретение относится к области измерительной техники на СВЧ. Предлагаемый способ измерения относительной диэлектрической проницаемости способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 жидких сред на СВЧ основан на измерении положения минимума напряжения стоячей волны в длинной линии. При этом используется зависимость электрической длины линии от способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804. Измеряют изменение электрической длины при заполнении измерительного тракта испытуемой жидкостью или освобождении от нее. При этом определяют число полуволн N, характеризующее изменение электрической длины, и частоту f1, соответствующую минимуму напряжения стоячей волны в заполненном измерительном тракте, ближайшую в сторону уменьшения от частоты, соответствующей минимуму стоячей волны в пустом измерительном тракте. Техническим результатом является повышение разрешающей способности при проведении измерений жидких или сыпучих диэлектрических материалов. 3 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Формула изобретения

Способ измерения относительной диэлектрической проницаемости жидких сред на СВЧ, основанный на измерении положения минимума стоячей волны в измерительном тракте, отличающийся тем, что измеряют изменение электрической длины измерительного тракта непосредственно в процессе его заполнения испытуемой жидкостью или освобождения от нее, при этом определяют число полуволн, характеризующее изменение электрической длины, и частоту, соответствующую минимуму напряжения стоячей волны в заполненном измерительном тракте и ближайшую в сторону уменьшения от частоты, соответствующей минимуму стоячей волны в пустом измерительном тракте.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области измерительной техники изоляционных материалов, в частности к способам измерения диэлектрической проницаемости.

Ближайшими аналогами предлагаемого способа измерения являются резонансные методы измерения диэлектрической проницаемости в соответствии с ГОСТ 27496.2-87, с. 16-21.

Особые преимущества этих методов на СВЧ по сравнению с другими, как указано в ГОСТе, определяются возможностью реализовать высокую добротность Q.

Высокая добротность обеспечивает возможность измерения низких значений тангенса угла диэлектрических потерь и высокую разрешающую способность метода по относительной диэлектрической проницаемости способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804:

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

где способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 - разрешающая способность,

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804fмин - минимальное отклонение частоты,

fспособ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 - резонансная частота с диэлектриком,

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 - отношение резонансного напряжения UP к напряжению U, соответствующему минимальному отклонению от резонанса.

При способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

При способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

Таким образом, разрешающая способность резонансного метода целиком определяется добротностью резонатора, нагруженного измеряемым материалом.

Однако высокая добротность в этом случае может быть реализована лишь для диэлектрических сред, обладающих малым тангенсом угла диэлектрических потерь.

Большинство твердых и жидких диэлектрических материалов этому требованию не удовлетворяет, особенно с учетом наличия в них различных примесей.

Проблема обеспечения высокой разрешающей способности способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 для материалов, не отвечающих требованию малых диэлектрических потерь, решается в фазовом методе измерения диэлектрической проницаемости на СВЧ [2, 3].

Простейший вариант структурной схемы фазового метода изображен на фиг.1.

Измерение комплексной диэлектрической проницаемости в фазовом методе происходит путем сравнения измеряемого материала с эталонным.

Измеряемый материал помещается в измерительный тракт 4; с помощью фазовращателя 2 и аттенюатора 3 устанавливаются фаза и амплитуда сигнала, соответствующие эталонному материалу. По изменению фазы способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 на фазовращателе и величине диэлектрической проницаемости эталонного материала способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804ЭT определяется диэлектрическая проницаемость измеряемого материала способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804.

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

где nспособ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 - электрическая длина измерительного тракта, заполненного измеряемым материалом,

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804nспособ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 - изменение электрической длины по сравнению с эталонным материалом.

Разрешающая способность определяется соотношением

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

то есть разрешающая способность тем выше, чем больше электрическая длина измерительного тракта с измеряемым материалом. Так, например, при минимальном изменении электрической длины

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

Однако существенной проблемой для этого метода является необходимость подбора эталонного материала. Требования к этому подбору тем выше, чем больше электрическая длина измерительного тракта, так как допустимая величина отклонения от эталона не должна превышать

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

Это обусловлено периодическим характером фазовых характеристик.

Таким образом, при больших nспособ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804, требуемых для высокой разрешающей способности, подбор необходимого эталонного материала в большинстве случаев не удается реализовать, в особенности для жидких материалов, например, нефтепродуктов, органических соединений и т.д.

Предлагаемый способ измерения диэлектрической проницаемости распространяется на жидкие материалы и, в какой-то мере, может быть использован для сыпучих материалов.

Предлагаемый способ измерения относительной диэлектрической проницаемости способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 жидких сред на СВЧ основан на измерении положения минимума напряжения стоячей волны в длинной линии. При этом используется зависимость электрической длины линии от способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804, которая выводится из известных соотношений, связывающих способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 с постоянными распространения электромагнитных волн в диэлектрическом материале [1].

Существенное отличие предлагаемого способа состоит в том, что измеряют изменение электрической длины при заполнении измерительного тракта испытуемой жидкостью или освобождении от нее. При этом определяют число полуволн N, характеризующее изменение электрической длины, и частоту f1, соответствующую минимуму напряжения стоячей волны в заполненном измерительном тракте, ближайшую (в сторону уменьшения) от частоты, соответствующей минимуму стоячей волны в пустом измерительном тракте. На фиг.2 представлен простейший вариант структурной схемы, в которой реализуется предлагаемый способ измерения способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804.

В качестве источника сигнала используется перестраиваемый по частоте СВЧ генератор 1 с измерителем частоты 2.

Сигнал через циркулятор 3 поступает в измерительный тракт 5, который представляет собой длинную линию, закороченную с одного конца.

Во входной части измерительного тракта расположен зонд, через который с помощью детекторной головки 6 снимается сигнал, пропорциональный квадрату напряжения стоячей волны, и фиксируется на индикаторе 7.

Число импульсов, соответствующих прохождению сигнала через минимум стоячей волны, фиксируется визуально или с помощью счетчика импульсов 8.

Предлагаемый способ реализуется следующим образом.

С помощью генератора и измерителя частоты устанавливается частота f0, соответствующая минимуму напряжения стоячей волны в пустом измерительном тракте. Затем измерительный тракт заполняют испытуемой жидкостью. Заполнение производится вдоль оси распространения электромагнитных волн. После заполнения измерительного тракта испытуемой жидкостью частота f уменьшается относительно f0 и устанавливается частота f1, ближайшая к f0, соответствующая минимальному напряжению стоячей волны.

В процессе заполнения или освобождения измерительного тракта от испытуемой жидкости происходит изменение электрической длины тракта, что приводит к периодическому прохождению через зонд минимального напряжения стоячей волны.

Количество прошедших минимумов N характеризует изменение электрической длины и измеряется визуально или с помощью цифрового индикатора.

Скорость заполнения определяется инерционностью счетчика. Поэтому при использовании электронных счетчиков скорость заполнения тракта жидким диэлектриком практически не ограничена.

Второй вариант реализации предложенного способа представлен в структурной схеме на фиг.3.

В отличие от первого варианта здесь добавляются второй генератор 2, смеситель 3 и измеритель разности частот 4.

Вместо частоты f1, соответствующей минимуму напряжения стоячей волны в заполненном волноводе, измеряется разность частот способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804f=f0-f1, соответствующих минимуму напряжения стоячих волн в пустом и заполненном волноводе.

Величина способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 определяется из соотношений, учитывающих тип используемого измерительного тракта, и варианта предлагаемого способа.

Для коаксиального тракта: в первом варианте

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

во втором варианте

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

для волновода: в первом варианте

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

во втором варианте

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

где f0 - частота, соответствующая минимуму напряжения стоячей волны в пустом измерительном тракте;

n0 - число полуволн на частоте f0 в свободном пространстве с геометрической длиной, равной длине измерительного тракта l0, соответствующей расстоянию от зонда до короткозамкнутого конца тракта;

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 22028040 - длина волны в свободном пространстве на частоте f0;

а - размер поперечного сечения волновода.

Все указанные параметры при выбранной конструкции измерительного тракта и фиксированном диапазоне частот являются постоянными величинами, не зависящими от свойств измеряемых материалов.

Указанные соотношения выводятся из фундаментального уравнения для относительной диэлектрической проницаемости способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 [1]:

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

где способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 и способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 - постоянные распространения;

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804c - критическая длина волны используемого тракта.

Второй вариант предлагаемого способа обладает более высокой разрешающей способностью за счет большей точности отсчета разности частот.

Однако он в связи с усложнением структурной схемы является более дорогим.

Поэтому вопрос о выборе варианта решается в зависимости от конкретных требований.

При проверке предлагаемого способа в качестве испытуемой жидкости использовался толуол. Поверка проводилась по первому варианту в соответствии со структурной схемой фиг.2. Функции генератора и измерителя частоты выполнял стандартный генератор типа Г4-83. Использовался волноводный циркулятор сечением 23 х 10 с согласованной коаксиальной нагрузкой (КСВНспособ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 22028041,4), подключенной к выходу циркулятора через стандартный волноводно-коаксиальный переход.

Измерительный тракт представлял собой волновод сечением 23 х 10, закороченный с одного конца. Вблизи другого конца расположен зонд, с которого с помощью детекторной головки снимается сигнал, пропорциональный напряжению стоячей волны. В детекторной головке используется диод типа Д405. В качестве индикатора используется вольтметр типа В7-27А/1. Расстояние между зондом и короткозамкнутым концом волновода соответствует l0= 18,38 см. На таком расстоянии на частоте f0=9792 МГц, соответствующей длине волны в свободном пространстве способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 22028040= 3,0637 см, укладывается n0=12 полуволн. Число полуволн N, соответствующее изменению электрической длины при заполнении или освобождении измерительного тракта от толуола, определялось визуально и соответствовало N=8.

Ближайшая от f0 частота, соответствующая минимуму напряжения стоячей волны, после заполнения измерительного тракта толуолом составляла f1=9401 МГц.

Подставляя данные, обуславливаемые конструкцией измерительного тракта, f0= 9792 МГц, способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 22028040=3,0637 см, n0=12, 2а=4,6 см и измеренные N=8, f1=9401 МГц в соотношении (6) получим

способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804

Измерения проводились при температуре t=25oC. При указанной температуре согласно справочным данным [4] значение способ измерения относительной диэлектрической   проницаемости жидких сред на свч, патент № 2202804 для толуола составляет 2,379.

Основными преимуществами предлагаемого способа являются измерение относительной диэлектрической проницаемости с высокой разрешающей способностью и устранение необходимости использования эталонных материалов.

Литература

1. Материалы электроизоляционные. Методы определения диэлектрических свойств на частотах свыше 300 МГц. ГОСТ 27496.1-87, с.4-5, ГОСТ 27496.2-87, с.16-21.

2. Валитов Г.А., Сретенский В.Н. Радиоизмерения на сверхвысоких частотах. - ВИ МО СССР, Москва, 1958.

3. Гвоздев В. Н. , Новдальский В.А., Линев А.А. Измерительная техника, 1996, 4.

4. Гороновский И.Т. и др. Краткий справочник по химии. - Киев: "Наукова Думка", 1974.

Класс G01R27/26 для измерения индуктивности и(или) емкости; для измерения добротности, например резонансным способом; для измерения коэффициента потерь; для измерения диэлектрических постоянных 

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
микроконтроллерный измерительный преобразователь с уравновешиванием резистивного моста уитстона методом широтно-импульсной модуляции -  патент 2515309 (10.05.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
микроконтроллерный измерительный преобразователь сопротивления в двоичный код с генератором, управляемым напряжением -  патент 2502076 (20.12.2013)
способ определения коэффициента потерь tg диэлектриков -  патент 2501028 (10.12.2013)
микроконтроллерное устройство диагностики межвитковой изоляции обмотки электродвигателя по эдс самоиндукции -  патент 2498327 (10.11.2013)
способ определения сопротивления и индуктивности рассеяния первичной обмотки трансформатора напряжения -  патент 2491559 (27.08.2013)
сканирующий измеритель параметров cg-двухполюсников -  патент 2488130 (20.07.2013)
способ и устройство для емкостного обнаружения объектов -  патент 2486530 (27.06.2013)

Класс G01N22/00 Исследование или анализ материалов с использованием сверхвысоких частот

резонансное устройство для ближнеполевого свч-контроля параметров материалов -  патент 2529417 (27.09.2014)
устройство для измерения свойства диэлектрического материала -  патент 2528130 (10.09.2014)
контрольное устройство миллиметрового диапазона -  патент 2521781 (10.07.2014)
система и способ досмотра субъекта -  патент 2517779 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и толщины полупроводниковых пластин или нанометровых полупроводниковых слоев в структурах "полупроводниковый слой - полупроводниковая подложка" -  патент 2517200 (27.05.2014)
способ определения электропроводности и энергии активации примесных центров полупроводниковых слоев -  патент 2516238 (20.05.2014)
антенна-аппликатор и устройство для определения температурных изменений внутренних тканей биологического объекта путем одновременного неинвазивного измерения яркостной температуры внутренних тканей на разных глубинах -  патент 2510236 (27.03.2014)
способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости жидких и сыпучих веществ -  патент 2509315 (10.03.2014)
свч способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле -  патент 2507506 (20.02.2014)
способ обнаружения и идентификации взрывчатых и наркотических веществ и устройство для его осуществления -  патент 2507505 (20.02.2014)
Наверх