имитационное устройство

Формула изобретения

1. Имитационное устройство, содержащее уголковый отражатель и поляризационную решетку, отличающееся тем, что поляризационная решетка установлена на каждой грани уголкового отражателя, а упомянутые грани выполнены пятислойными, при этом два слоя, один из которых является проводящим, а другой - поляризационной решеткой, размещены между другими слоями, выполненными из пористого диэлектрика.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что грани уголкового отражателя скреплены между собой клеевым способом.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области маскировки, в частности к средствам имитации.

Известна конструкция уголкового отражателя (УО), состоящего из трех взаимно перпендикулярных металлических граней, обладающих способностью переотражать падающую электромагнитную волну (ЭМВ) в направлении к РЛС (см. учебник Маскировка. - Ч. 1, изд. ВИА им. Куйбышева, 1971, с. 253 -аналог).

Его недостатками являются:

1) низкая вероятность обнаружения УО РЛС в режиме ортогональной и круговой поляризации;

2) сравнительно большая масса.

Известна также конструкция устройства, состоящего из УО, на раскрыве которого помещается поляризационная решетка, работающая на одной фиксированной длине волны ₁ (см. патент США 2786198 от 1957, НКИ 343-18 - прототип). Недостатками такого устройства являются узкодиапазонность и большая масса.

Задачей изобретения является устранение указанных недостатков, в частности снижение массы и расширение диапазона длин волн.

Решение указанной задачи достигается тем, что в УО вместо одной поляризационной решетки последняя установлена на каждой его грани, а грани выполнены пятислойными с проводящим слоем и поляризационной решеткой, размещенными между слоями пористого диэлектрика.

Сущность изобретения поясняется чертежами, где на фиг.1 показан общий вид отражателя и обозначены грани 1; на фиг.2 показан вырез А грани 1, где 2 - пористый диэлектрик, 2 - металлизированная пленка, 4 - поляризационная решетка.

Решетки выполняются в виде проводников с диаметром d<₁/30 и шагом b ₁/3, i=1, 2, 3 и размещаются на расстояниях от соответствующих граней, кратных ₁/8 или ₁/4. Расстояния выбираются из соотношений:







где n=1, 2, 3... - целое число,

при ₁ =0,8 см; ₂ =3,2 см; ₃ =6 см, n=2, получаем h₁=2 мм; h₂=6 мм; h₃= 5 мм. Снижение массы ИУ решается тем, что каждая грань выполнена из трех слоев пористого диэлектрика 2, между слоями которого располагаются проводящий слой из металлизированной пленки (ткани) 3 с коэффициентом отражения Rm95-98% и поляризационная решетка 4.

Принцип действия каждой из решеток состоит в том, что при облучении имитационного устройства (ИУ) ЭМВ каждая решетка обеспечивает смещение фазового центра рассеяния на расстояние ₁/8 или ₁/4 одной из расщепленных компонент падающей волны в каждом из диапазонов ₁,₂,₃. Шаг решетки выбирается таким, чтобы компоненты поля, поляризованные параллельно решеткам, отражались без ослабления.

Конструкция устройства ввиду своей малой массы предлагается неразборной, все элементы соединяются между собой клеевым способом.

Установка на местности может осуществляться с помощью подручных материалов, а именно: деревянной стойки-подпорки с оголовьем из двух пересекающихся реек с отверстиями для закрепления, капронового шнура, к которому подвешивается или закрепляется неподвижно отражатель.

Для уменьшения заметности в оптическом диапазоне его окрашивают в защитный цвет и маскируют срезанной растительностью.

Исследования показали, что при проведении инженерных мероприятий по созданию ложных районов (позиций) или имитации отдельных единиц техники предлагаемое ИУ позволяет увеличить эффективность этих мероприятий, а следовательно, и живучесть военной техники за счет способности формировать на приоритетных длинах волн переотраженный имитационный сигнал в требуемом поляризационном базисе.