термоэлектрогенератор

Формула изобретения

Термоэлектрогенератор, содержащий гетероструктуру n-InSb-SiO₂-р-Si, отличающийся тем, что гетероструктура приготовлена путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-In-Sb при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Имеющиеся термоэлектрогенераторы на основе тонкопленочных структур n-InSb дают значение удельной термоЭДС ~800 мкВ/К [1].

Сущность изобретения

Термоэлектрогенератор на основе гетероструктуры n-InSb-SiO₂-p-Si, полученной путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией пленки n-InSb, позволяет получать значения удельной термоЭДС 40-50 мВ/К как в области температуры жидкого азота, так и при комнатной температуре за счет барьерной термоЭДС, обусловленной дислокациями несоответствия и значительной разностью работ выхода контактирующих материалов.

Сведения, подтверждающие возможность изобретения

Гетероструктуру n-InSb-SiO₂-p-Si приготавливают путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-InSb при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией. К p-Si и перекристаллизованной пленке n-InSb эвтектическим сплавом In-Sn припаивают тонкие медные проволочки для измерения ЭДС при создании разности температур на гетероструктуре. При разности температур около 10 К значения ЭДС достигают 0,4-0,5 В, что соответствует удельной термоЭДС ~40-50 мВ/К.

Источник изобретения

1. Патент SU 2130216, опубл. 10.05.1999, Бюл. 13.