иттрий-алюминиевый сложный оксид в качестве кристаллической среды для лазерных кристаллов

Классы МПК:C30B29/22 сложные оксиды
C30B15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского
H01S3/16 из твердых материалов 
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Кузьмичева Галина Михайловна
Приоритеты:
подача заявки:
2000-06-29
публикация патента:

Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники. В частности, данный сложный оксид после активации ионами Сr3+ или Ln3+ (в частности, Nd3+, Yb3+) может использоваться в качестве лазерного материала. Сущность изобретения состоит в создании нового сложного оксида состава Y2(Be0,5B0,5)2A1O7, кристаллизующегося в структуре семейства мелилита, что предопределяет возможность промышленного производства этих кристаллов. Кристаллы размером 15 мм и длиной 30 мм хорошего оптического качества были выращены на ростовой установке "Кристалл-3" (атмосфера выращивания - азот/кислород с относительной объемной концентрацией 98/2; иридиевый тигель 40х2х40 мм; температура на поверхности расплава около 1650oС; затравка - иридиевый стержень; скорость вытягивания 1,5-3 мм/ч; скорость вращения штока 10 об/мин; теплоизоляция ростовой камеры - керамика А12О3, ZrO2).

Формула изобретения

Иттрий-алюминиевый сложный оксид состава Y2(Be0,5B0,5)2AlO7 в качестве кристаллической среды для лазерных кристаллов.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники. В частности, данный сложный оксид после активации ионами Cr3+ или Ln3+ (в частности, Nd3+, Yb3+) может использоваться в качестве лазерного материала.

Сложные оксиды со структурами, например, корунда, граната, активированные ионами хрома (корунд, гранат) и неодима (гранат) уже находят применение в лазерной технике [патент РФ 2038434, б.и. 18, 1995 г., с. 175, МКИ C 30 B 29/28].

Из всех активных сред сегодня наиболее широкое применение в квантовой электронике находят кристаллы иттрий-алюминиевого граната (ИАГ), активированного ионами Nd3+ (Y3Al5O12 : Nd-ИАГ : Nd) [Каминский А.А., Аминов Л.К., Ермолаева В.Л. "Физика и спектроскопия лазерных кристаллов". М.: Наука, 1986 г. ] . Это объясняется удачным сочетанием удовлетворительных спектрально-генерационных свойств с высокой механической прочностью, твердостью, высокой теплопроводностью и прозрачностью в широком спектральном диапазоне.

Однако кристаллу ИАГ: Nd3+ присущ ряд серьезных недостатков. Так, недостаточно высокой является поглощательная способность этой активной среды. Кроме того, вследствие низкого коэффициента распределения ионов Nd3+ (KNd = 0,18) качественные монокристаллы ИАГ: Nd3+ можно получить лишь при низких скоростях вытягивания порядка 1 мм/ч.

Задачей данного изобретения является создание нового сложного оксида состава Y2(Be0,5B0,5)2AlO7, кристаллизующегося в структуре семейства мелилита, который был получен по методу Чохральского, что предопределяет возможность промышленного производства этих кристаллов. Кристаллы диаметром 15 мм и длиной 30 мм хорошего оптического качества были выращены на ростовой установки "Кристалл-3" (атмосфера выращивания азот-кислород - N2/O2 с относительной объемной концентрацией 98/2; иридий тигель 40х2х40 мм; температура на поверхности расплава около 1600oC; затравка - иридиевый стержень; скорость вытягивания 1,5 -3 мм/ч; скорость вращения штока 10 об/мин; теплоизоляция ростовой камеры - керамика Al2O3, ZrO2.

В качестве исходных материалов для приготовления шихты использовались высокочистые порошки оксидов иттрия, алюминия, бериллия, оксид бора. Вещества взвешивались в следующем весовом соотношении: оксид иттрия - 67,08-76,10%, оксид бора - 7,51-10,34%, оксид алюминия - 11,00-15,15%, оксид бериллия - остальное содержание до 100%. Вещества тщательно перемешивали, и смесь прессовали в виде таблеток диаметром 30 мм. Таблетки отжигали в муфельной печи при температуре 1200oС в течение 20 ч, после чего таблетки загружали в тигель, плавили и выращивали кристалл.

Состав и строение кристалла Y2(Be0,5В0,5)2АlO7 определены методом рентгеноструктурного анализа:

Тетрагональная сингония

Пространственная группа: Р-421m

Параметры ячейки: а=7,267(8), с=4,708(11)А

Объем ячейки: 248,7(7)А3

Молекулярная масса: 336

Число формульных единиц в ячейке: 2

Плотность: 4,518 г/см3

В структуре данного соединения атомы ирридия находятся в искаженных восьмивершинниках - скрученных (томсоновских) кубах, атомы алюминия занимают центры правильных тетраэдров, а атомы (Ве,В) находятся в диортогруппах (Ве, В)2О7. Присутствие в структуре Y2(Be0,5B0,5)2AlO7 додекаэдрической позиции (аналогичная позиция есть в структуре граната) делает возможным введение Ln-активаторов (в частности, Nd3+, Yb3+) в позицию Y3+, а также одновременно в две кристаллографические позиции: додекаэдрическую (ионов Ln3+) и тетраэдрическую (ионов Сr3+).

Съемка обкатанного в сферу монокристаллического образца проведена на дифрактометре CAD-4 [Enraf-Nonius. CAD-4 Software. Version 5.0. Enraf-Nonius. Delft. The Netherlands. 1989.] при комнатной температуре (MoKиттрий-алюминиевый сложный оксид в качестве кристаллической   среды для лазерных кристаллов, патент № 2181151 излучение, графитовый монохроматор, иттрий-алюминиевый сложный оксид в качестве кристаллической   среды для лазерных кристаллов, патент № 2181151 - сканирование, интервал сканирования 1,1+0,345tgиттрий-алюминиевый сложный оксид в качестве кристаллической   среды для лазерных кристаллов, патент № 2181151иттрий-алюминиевый сложный оксид в качестве кристаллической   среды для лазерных кристаллов, патент № 2181151, скорость сканирования 1-7 град/мин). Параметры ячейки уточнены по 24 отражениям в угловом интервале 21.0<иттрий-алюминиевый сложный оксид в качестве кристаллической   среды для лазерных кристаллов, патент № 2181151<21.5иттрий-алюминиевый сложный оксид в качестве кристаллической   среды для лазерных кристаллов, патент № 2181151. Первичная обработка дифракционных данных проводилась по комплексу программ WinGX-96 [Farrugia L. J. WinGX-96. X-Ray Crystallographic Programs for Windows. Version 1.5a. University of Glasgow. UK. 1996.], причем для кристалла Y2AlBeBO7 вводилась аналитическая поправка на поглощение по сфере [North А.С.T., D.C.Phillips., Mathews F. S. Acta Cryst. 1968. V. A24. P. 351]. Кристаллическая структура соединений уточнена полноматричным МНК в анизотропном приближении для атомов с использованием комплекса программ SHELXL-97 [Sheldrick G.M. SHELXL-97. Program for the Refinement of Crystal Structures. University of Gottingen. Germany. 1997] при учете атомных кривых рассеяния для нейтральных атомов.

Класс C30B29/22 сложные оксиды

способ соединения деталей из тугоплавких оксидов -  патент 2477342 (10.03.2013)
способ выращивания объемных монокристаллов александрита -  патент 2471896 (10.01.2013)
способ получения сложного оксида со структурой силленита -  патент 2463394 (10.10.2012)
способ получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих соединений типа "123" -  патент 2434081 (20.11.2011)
pr-содержащий сцинтилляционный монокристалл, способ его получения, детектор излучения и устройство обследования -  патент 2389835 (20.05.2010)
способ получения совершенных кристаллов трибората цезия из многокомпонентных растворов-расплавов -  патент 2367729 (20.09.2009)
способ получения кристаллов иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука -  патент 2347859 (27.02.2009)
способ получения кристалла на основе бората и генератор лазерного излучения -  патент 2338817 (20.11.2008)
способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе -  патент 2332529 (27.08.2008)
полупроводниковый антиферромагнитный материал -  патент 2318262 (27.02.2008)

Класс C30B15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского

способ получения крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия -  патент 2528995 (20.09.2014)
способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля -  патент 2527790 (10.09.2014)
монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор -  патент 2527082 (27.08.2014)
способ получения слоев карбида кремния -  патент 2520480 (27.06.2014)
устройство и способ выращивания профилированных кристаллов тугоплавких соединений -  патент 2507320 (20.02.2014)
способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы и устройство для его осуществления -  патент 2507319 (20.02.2014)
способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты) -  патент 2507318 (20.02.2014)
сцинтиллятор для детектирования нейтронов и нейтронный детектор -  патент 2494416 (27.09.2013)
способ выращивания кристалла методом киропулоса -  патент 2494176 (27.09.2013)
способ выращивания монокристаллов германия -  патент 2493297 (20.09.2013)

Класс H01S3/16 из твердых материалов 

Наверх