способ бесконтактного определения эффективности центров пиннинга в сверхпроводниках

Классы МПК:H01L39/00 Приборы с использованием сверхпроводимости; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей
H01L39/24 способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в  39/00 приборов или их частей
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Воронежский государственный технический университет
Приоритеты:
подача заявки:
1999-03-10
публикация патента:

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга. Предложен метод, позволяющий определять эффективность центров пиннинга сверхпроводника в широких пределах и бесконтактно. Согласно методу сверхпроводник вывешивают между полюсами магнитной системы, в его объеме формируют пятно магнитного потока, измеряют зависимость уравновешивающей силы от смещения сверхпроводника в пространстве и определяют минимальную и предельную силы пиннинга. В результате повышается точность измерений. 2 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2

Формула изобретения

Способ бесконтактного определения эффективности центров пиннинга в сверхпроводнике в магнитном поле, отличающийся тем, что сверхпроводник вывешивают между полюсами магнитной системы, в его объеме формируют пятно магнитного потока, измеряют зависимость уравновешивающей силы от смещения сверхпроводника в пространстве и определяют минимальную и предельную силы пиннинга.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга.

Известно, что величину силы пиннинга сверхпроводника, обычно, рассчитывают из измеренных значений критического тока Iк, определяемого резистивным методом [1], заключающимся в том, что через сверхпроводник, находящийся в магнитном поле с индукцией B, пропускают возрастающий транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения на нем определяют Iк. Сила пиннинга равна [2]

Fр=IкB (1)

Недостатком метода является то, что рассчитанное в этом случае значение силы пиннинга является минимальным, т.к. появление падения напряжения определяется началом движения слабо запиннингованных вихрей. Также недостатком является наличие омических контактов, когда из-за отличий в работе выхода контактирующих материалов возникает паразитная термо-э.д.с.

Изобретение направлено на создание метода, позволяющего определять эффективность центров пиннинга сверхпроводника в широких пределах и бесконтактно.

Это достигается тем, что сверхпроводник вывешивают между полюсами магнитной системы, в его объеме формируют пятно магнитного потока, измеряют зависимость уравновешивающей силы от смещения сверхпроводника в пространстве и определяют минимальную и предельную силы пиннинга.

Изобретение поясняется чертежами. На фиг.1 показано расположение сверхпроводника в виде пластинки 1 относительно полюсов магнитной системы 2, создающей в его объеме пятно магнитного потока 3. На фиг.2 показаны результаты экспериментальной проверки предлагаемого способа - зависимость уравновешивающей силы Fд от смещения z пластины при T = 78 K, Bе= 0.025 Тл.

Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Сверхпроводящая пластинка 1 размещается между полюсами магнитной системы 2, поле которой величиной Bе>Bк1 создает в объеме тела пятно магнитного потока, которое существует в виде вихрей Абрикосова. Вся конструкция помещается в охлаждающую среду. При смещении пластины в продольном направлении под действием уравновешивающей силы Fд на каждый из вихрей, перемещающийся вместе со сверхпроводником в магнитном поле, будет действовать противодействующая сила. До тех пор пока сила Fд не превысит силу закрепления вихрей (сила пиннинга Fр), будет происходить упругое (обратимое) смещение вихрей (фиг.2, линейный участок АВ). Дальнейшее смещение в неизменном поле Bе приводит к возрастанию этой силы, и как только Fд > Fр, вихри будут срываться с центров закрепления, оставаясь неподвижными относительно магнитной системы, что характерно для участка BC на зависимости Fд(z). В начальный момент происходит срыв слабо закрепленных вихрей, т.е. Fд = Fд min, и т.к. сила пиннинга вихрей в сверхпроводнике различна, то число открепленных вихрей будет увеличиваться по мере смещения пластины, что в конечном итоге приведет к срыву всех вихрей в пятне магнитного потока. На графике зависимость выходит на насыщение (участок CD) и в точке C-Fд= Fд max.

Таким образом, значение Fд в точке B, характеризующее минимальное значение силы пиннинга сверхпроводника, связано с Fр соотношением

Fр min = кFд min (2)

а значение Fд в точке C - предельное значение силы пиннинга сверхпроводника:

Fр max = кFд max (3)

где к - коэффициент пропорциональности, равный 1/Vп, Vп - объем пятна магнитного потока.

Предлагаемый способ существенно расширяет возможности, так как позволяет определять как минимальное, так и максимальное значение силы пиннинга вихрей, что более полно характеризует сверхпроводник, из-за различий в дефектности структуры его объема по сравнению с токовым методом. Отсутствие же омических контактов повышает точность измеряемых величин.

Для проверки предлагаемого способа на установке, описанной в [3], проводились измерения эффективности центров пиннинга в сверхпроводнике Y1Ba2Cu3O7-способ бесконтактного определения эффективности центров   пиннинга в сверхпроводниках, патент № 2160485, имеющем следующие параметры: начало и конец сверхпроводящего перехода соответственно 93 и 82К, плотность 5.2 г/см3. Измерения проводились на пластинке с размерами (20х5х1,5)мм3, в газообразном азоте при температуре 78 K.

Из зависимости Fд(z) (см. фиг.2) по величине измеренной силы Fд, соответствующей точке B, находим минимальную силу пиннинга (формула 2), равную 1450 Н/м3, а значение предельной силы пиннинга, рассчитанное по формуле (3), для этого сверхпроводника составляет 4282 Н/м3.

Для сравнения измерений критического тока резистивным методом в аналогичной экспериментальной ситуации получены по формуле (1) значения силы пиннинга, которые оказались равными 1480 Н/м3, что сравнимо с наименьшим значением Fд, полученным предлагаемым методом, и естественно меньше предельного значения силы пиннинга сверхпроводника в 2.9 раза.

Источники информации

1. Волков П.В., Именитов А.Б. и др. Метрологические проблемы измерения токовых характеристик высокотемпературных сверхпроводников. СФХТ. - 1994, т. 7, N 3, с. 397-411.

2. Кемпбелл А. , Иветс Дж. Критические токи в сверхпроводниках. - М.: Мир, 1975. - 332.

3. Голев И.М., Милошенко В.Е., Андреева Н.А. Установка для исследования динамики пятна магнитного потока в сверхпроводниках механическим методом. Приборы и техника физического эксперимента. - 1998, - N 5, - с. 161-163.

Класс H01L39/00 Приборы с использованием сверхпроводимости; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей

сверхпроводящий элемент и способ его изготовления -  патент 2529446 (27.09.2014)
способ активации высокотемпературных сверхпроводников в области криогенных температур ниже критического значения и устройство для его осуществления -  патент 2528407 (20.09.2014)
перестраиваемый криогенный генератор гетеродина субтерагерцового диапазона на основе распределенного туннельного перехода для интегральных приемных систем -  патент 2522711 (20.07.2014)
керамический материал -  патент 2515757 (20.05.2014)
сверхпроводящий переключатель, охлаждаемый посредством внутренней полости, заполненной жидким или газообразным хладагентом -  патент 2511643 (10.04.2014)
способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона -  патент 2510056 (20.03.2014)
способ электроискрового формирования тонкопленочной втсп схемы -  патент 2508576 (27.02.2014)
металлическая сборка, заготовка для сверхпроводника, сверхпроводник и способ, пригодный для получения сверхпроводника -  патент 2507636 (20.02.2014)
способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора -  патент 2506664 (10.02.2014)
сверхпроводящий прибор джозефсона и способ его изготовления -  патент 2504049 (10.01.2014)

Класс H01L39/24 способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в  39/00 приборов или их частей

способ электроискрового формирования тонкопленочной втсп схемы -  патент 2508576 (27.02.2014)
металлическая сборка, заготовка для сверхпроводника, сверхпроводник и способ, пригодный для получения сверхпроводника -  патент 2507636 (20.02.2014)
устройство и способ для нанесения сверхпроводящих слоев -  патент 2503096 (27.12.2013)
способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности -  патент 2497236 (27.10.2013)
способ изготовления подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников и подложка -  патент 2481674 (10.05.2013)
способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводящего материала -  патент 2481673 (10.05.2013)
способ обработки высокотемпературного сверхпроводника -  патент 2477900 (20.03.2013)
способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов -  патент 2476373 (27.02.2013)
способ формирования гладких ультратонких ybco пленок повышенной проводимости -  патент 2450389 (10.05.2012)
устройство для высокотемпературного осаждения сверхпроводящих слоев -  патент 2443038 (20.02.2012)
Наверх