способ создания широкополосных квазишумовых сверхвысокочастотных сигналов большой мощности и устройство для его осуществления
Классы МПК: | H01J25/00 Приборы пролетного типа, например клистроны, лампы бегущей волны (ЛБВ), магнетроны H01J25/50 магнетроны, те приборы с магнитной системой, создающей магнитное поле, пересекающее электрическое поле |
Автор(ы): | Воскресенский С.В., Соминский Г.Г. |
Патентообладатель(и): | Санкт-Петербургский государственный технический университет |
Приоритеты: |
подача заявки:
1999-04-07 публикация патента:
10.06.2000 |
Изобретение относится к электровакуумным приборам, конкретнее к приборам магнетронного типа с вторично-эмиссионными катодами в пространстве взаимодействия, которые используются в качестве мощных и эффективных источников СВЧ излучения. В пространстве взаимодействия прибора, созданного на основе амплитрона с вторично-эмиссионным катодом, создают управляющее ВЧ поле на частотах автоколебаний электронного облака, причем его амплитуду устанавливают таким образом, что в выходном такте формируется широкополосный квазишумовой СВЧ сигнал. Техническим результатом является получение большей, чем у существующих нерелятивистских аналогов, мощности, и обеспечение большей эффективности преобразования энергии постоянного тока в энергию широкополосных квазишумовых СВЧ сигналов, чем у существующих релятивистских аналогов. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2
Формула изобретения
1. Способ создания широкополосных квазишумовых сверхвысокочастотных сигналов большой мощности, включающий создание в пространстве взаимодействия амплитрона с вторично-эмиссионным катодом направленного вдоль его оси магнитного поля B, подключение анодного напряжения Uа, подачу входного сверхвысокочастотного сигнала на частоте f0 мощностью Pi и формирование путем варьирования значений B, Uа и Pi электронного облака у катода амплитрона, отличающийся тем, что в пространстве взаимодействия амплитрона создают управляющее высокочастотное поле на частотах автоколебаний электронного облака, причем амплитуду Em управляющего высокочастотного поля на уровне поверхности катода устанавливают удовлетворяющей неравенству E1 < Em < E2, где E1 - граничное значение амплитуды, при превышении которого формируется широкополосный квазишумовой сверхвысокочастотный сигнал в выходном тракте амплитрона, а Е2 - значение амплитуды, при котором происходит срыв протекания тока на анод в амплитроне. 2. Устройство для создания широкополосного квазишумового сверхвысокочастотного сигнала большой мощности, включающее коаксиальные вторично-эмиссионный катод и анод с широкополосной замедляющей системой, устройства ввода и вывода сверхвысокочастотных сигналов, соединенные с замедляющей системой, магнитную систему, формирующую направленное вдоль оси магнитное поле, а также торцевые катодные экраны, отличающееся тем, что в катоде выполнена кольцевая щель шириной



Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к электровакуумным приборам, конкретнее к приборам магнетронного типа с вторично-эмиссионными катодами в пространстве взаимодействия, которые используются в качестве мощных и эффективных источников СВЧ излучения. В радиолокации, как правило, используют гармонические сигналы. Однако в ряде приложений, например для СВЧ нагрева плазмы и в технологических установках, в некоторых типах систем передачи информации необходимы мощные широкополосные источники СВЧ излучения. Известен способ создания такого типа излучений с помощью ламп бегущей волны (ЛБВ) [1], состоящий в том, что в ЛБВ создают запаздывающую обратную связь со стороны выхода, меняют амплитудные и фазовые характеристики сигнала, поступающего с выхода, и устанавливают их такими, чтобы в лампе с созданной обратной связью формировался на выходе квазишумовой сигнал. Характеристики формируемых такой системой сигналов определяются характеристиками используемой ЛБВ. Максимальная их широкополосность (порядка октавы) обеспечивается при использовании ЛБВ со спиральной замедляющей системой. Но мощности, получаемые с помощью спиральных ЛБВ, сравнительно невелики и обычно не превышают десятка киловатт, так как такие ЛБВ эксплуатируются при ускоряющих электроны напряжениях менее 15 кВ и токах не более нескольких ампер. При этом КПД такого типа устройств не превышают 20-30%. ЛБВ другого типа, например с замедляющими системами в виде цепочки связанных резонаторов, хотя и могут дать большие мощности, но имеют существенно более узкую полосу частот. Поэтому в данной заявке мы их рассматривать не будем. Другой способ получения широкополосных квазишумовых СВЧ сигналов с помощью нерелятивистских электронно-пучковых устройств отличается тем, что на пути пучка создают "столб" плазмы и таким образом оптимизируют распределение СВЧ полей в канале транспортировки электронного пучка [2]. Кроме того, вводя плазму, снижают влияние поля пространственного заряда пучка и в связи с этим увеличивают по сравнению с вакуумным прибором достижимые токи в пучке. Мощные квазишумовые сигналы получают в устройстве, где реализуется взаимодействие электронного пучка с плазменно-волноводной структурой, ограниченной цепочкой индуктивно связанных резонаторов. В такого типа пучково-плазменных системах удается получать широкополосные, почти до октавы, СВЧ сигналы большей, чем в ЛБВ [1] мощности, но не более 100 кВт. КПД такого типа пучково-плазменных систем, как правило, имеет величину 20-30%, а рекордные его значения в специально оптимизированных приборах достигают приблизительно 50%. Однако такие приборы достаточно сложны и, видимо, не могут иметь большой долговечности. Основным недостатком описанных нерелятивистских систем [1, 2] и реализованных в них способов является то, что не удается получать мощности широкополосных квазишумовых СВЧ сигналов больше ~100 кВт, даже в газонаполненных устройствах. Существенно большие мощности широкополосных квазишумовых СВЧ сигналов удается получать с помощью релятивистcких пучково-плазменных СВЧ устройств [3] . Однако эффективность преобразования энергии постоянного тока в энергию широкополосных квазишумовых сверхвысокочастотных сигналов в данном случае низка (не превышает приблизительно 10%). Кроме того, существуют большие трудности в создании и эксплуатации релятивистcких СВЧ устройств. Привлекательны с точки зрения своей простоты и экономичности, а также с точки зрения возможности получения больших мощностей нерелятивистские устройства магнетронного типа. Способом-прототипом настоящего изобретения является способ создания гармонического СВЧ сигнала большой мощности с помощью типичного прибора магнетронного типа - амплитрона с вторично-эмиссионным катодом (устройство-прототип) [4]. Устройство-прототип содержит коаксиальные вторично-эмиссионый катод и анод с широкополосной замедляющей системой, устройства ввода и вывода СВЧ сигналов, соединенные с замедляющей системой, магнитную систему, формирующую направленное вдоль оси магнитное поле, а также торцевые катодные экраны. Способ-прототип [4] включает следующие операции: создание в пространстве взаимодействия амплитрона с вторично-эмиссионным катодом направленного вдоль его оси магнитного поля B, подключение анодного напряжение Uа, подачу входного сверхвысокочастотного сигнала на частоте f0 мощностью Pi и формирование путем варьирования значений B, Uа и Pi электронного облака у катода амплитрона. С помощью амплитронов удается получать импульсные мощности существенно больше 100 кВт. Амплитрон способен усиливать сигналы в полосе частот приблизительно до 10% от некоторой средней рабочей частоты f0. В этом смысле он является довольно широкополосным СВЧ прибором. Однако не известны случаи использования амплитронов для создания широкополосных квазишумовых СВЧ сигналов большой мощности. Задача данного изобретения - реализация нового способа получения с помощью амплитронов с вторично-эмиссионными катодами широкополосных квазишумовых сверхвысокочастотных сигналов большей, чем у существующих нерелятивистских аналогов, мощности и обеспечение большей эффективности преобразовании энергии постоянного тока в энергию широкополосных квазишумовых сверхвысокочастотных сигналов, чем у существующих релятивистских аналогов. Предлагаемый способ включает: создание в пространстве взаимодействия амплитрона с вторично-эмиссионным катодом направленного вдоль его оси магнитного поля B, подключение анодного напряжения Uа, подачу входного сверхвысокочастотного сигнала на частоте f0 мощностью Pi и формирование путем варьирования значений B, Uа и Pi электронного облака у катода амплитрона. Он отличается тем, что в пространстве взаимодействия амплитрона создают управляющее высокочастотное поле на частотах автоколебаний электронного облака, причем амплитуду Em управляющего поля на уровне поверхности катода устанавливают удовлетворяющей неравенству E1 < Em < E2, где E1 - граничное значение амплитуды, при превышении которого формируется широкополосный квазишумовой сверхвысокочастотный сигнал в выходном тракте амплитрона, а E2 - значение амплитуды, при котором происходит срыв протекания тока на анод в амплитроне. Данный способ реализуется в новом устройстве, включающем, как и устройство-прототип (амплитрон), коаксиальные вторично-эмиссионный катод и анод с широкополосной замедляющей системой, устройства ввода и вывода сверхвысокочастотных сигналов, соединенные с замедляющей системой, магнитную систему, формирующую направленное вдоль оси магнитное поле, а также торцевые катодные экраны. Новое устройство отличается от прототипа-амплитрона тем, что в катоде выполнена кольцевая щель шириной












1. В. И. Калинин, Н.Н. Залогин, В.Я. Кислов. Нелинейные резонанс и стохастичность в автоколебательной системе с запаздыванием//Радиотехника и электроника.- 1983, т. 28, N 10, c. 2001. 2. А. Н. Антонов, Ю.П. Блиох, Ю.А. Дегтярь и др. Пучково-плазменный генератор, основанный на взаимодействии электронного пучка с плазменно-волноводной структурой, ограниченной цепочкой индуктивно-связанных резонаторов//Физика плазмы.- 1994, т. 20, N 9, c. 777. 3. А.Г. Шкварунец, А.А. Рухадзе, П.С. Стрелков. Широкополосный релятивистский плазменный СВЧ-генератор//Физика плазмы.- 1994, т. 20, N 7,8, c. 682. 4. Э. А. Гельвич, Г. Г. Соминский. Процессы в пространственном заряде приборов M-типа с вторично-эмиссионными катодами//Электронная промышленность.- 1981, N 7-8, c. 20-25. 5. Г. Г. Соминский//Лекции по электронике СВЧ (4-я зимняя школа-семинар инженеров). Кн. 3.- Саратов: СГУ, 1978, c. 119-138. 6. С. А. Левчук, Г.Г. Соминский, С.В. Воскресенский. Экспериментальное определение дисперсионных характеристик электронного облака в неоднородных скрещенных полях//Письма в ЖТФ.- 1988, т. 14, N 13, c. 1194-1197.
Класс H01J25/00 Приборы пролетного типа, например клистроны, лампы бегущей волны (ЛБВ), магнетроны
магнетрон с запускающими эмиттерами на концевых экранах катодных узлов - патент 2528982 (20.09.2014) | ![]() |
электровакуумный свч прибор гибридного типа, истрон - патент 2518512 (10.06.2014) | ![]() |
лампа бегущей волны - патент 2516874 (20.05.2014) | ![]() |
лампа бегущей волны - патент 2514850 (10.05.2014) | ![]() |
многолучевой свч прибор о-типа - патент 2507626 (20.02.2014) | ![]() |
клистрон - патент 2507625 (20.02.2014) | ![]() |
магнетрон - патент 2504041 (10.01.2014) | ![]() |
источник питания замедляющей системы для усилителей свч на лбв - патент 2499353 (20.11.2013) | ![]() |
лампа бегущей волны - патент 2494490 (27.09.2013) | ![]() |
магнетрон с безнакальным запуском со специальным активированием автоэлектронных катодов - патент 2494489 (27.09.2013) | ![]() |
Класс H01J25/50 магнетроны, те приборы с магнитной системой, создающей магнитное поле, пересекающее электрическое поле
магнетрон с запускающими эмиттерами на концевых экранах катодных узлов - патент 2528982 (20.09.2014) | ![]() |
магнетрон - патент 2504041 (10.01.2014) | ![]() |
магнетрон с регулируемой мощностью - патент 2357318 (27.05.2009) | ![]() |
релятивистский магнетрон с внешними каналами связи резонаторов - патент 2337426 (27.10.2008) | ![]() |
магнетрон - патент 2334301 (20.09.2008) | ![]() |
генератор свч-колебаний - патент 2284608 (27.09.2006) | |
способ получения из гравитационного поля экологически чистой энергии - патент 2252335 (20.05.2005) | ![]() |
релятивистский магнетрон - патент 2228560 (10.05.2004) | |
магнетрон - патент 2218450 (10.12.2003) | |
релятивистский магнетрон - патент 2216066 (10.11.2003) |