коллимирующая оптическая система для полупроводниковых лазеров

Классы МПК:G02B27/30 коллиматоры 
G02B27/09 формирование луча, например изменением площади поперечного сечения, не отнесенное к другим рубрикам
Автор(ы):, , , , ,
Патентообладатель(и):Государственное унитарное предприятие Конструкторское бюро приборостроения
Приоритеты:
подача заявки:
1998-07-28
публикация патента:

Коллимирующая оптическая система содержит последовательно расположенные по ходу лучей полупроводниковые лазеры, объективы и группу призм. Ребра преломляющих двугранных углов призм ориентированы параллельно плоскостям полупроводниковых переходов. Ребра преломляющих двугранных углов первой и второй призм расположены по разные стороны лазерного пучка. При этом параметры, характеризующие свойства оптической системы и материала призм, связаны математическим соотношением. Обеспечивается постоянство пространственного положения выходного коллимированного пучка при воздействии пониженной и повышенной температур окружающей среды. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

Коллимирующая оптическая система для полупроводниковых лазеров, содержащая последовательно расположенные по ходу лучей объективы, установленные напротив полупроводниковых лазеров, и группу призм, ребра преломляющих двугранных углов которых ориентированы параллельно плоскостям полупроводниковых переходов, отличающаяся тем, что ребра преломляющих двугранных углов первой и второй призм расположены по разные стороны лазерного пучка, при этом выполняется следующее соотношение:

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850i/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850ni - коэффициент зависимости углового отклонения лучей от показателя преломления материала i-й призмы;

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850ni/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - дисперсия материала i-й призмы;

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t - температурный коэффициент длины волны излучения полупроводникового лазера;

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850ni/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t температурный коэффициент показателя преломления материала i-й призмы;

Gi - угловое увеличение i-й призмы;

m - количество призм;

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - длина волны излучения полупроводникового лазера;

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - угловая расходимость излучения полупроводникового лазера по уровню 0,5 в плоскости, перпендикулярной полупроводниковому переходу;

f - фокусное расстояние объектива.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к коллимирующим оптическим системам с преломляющими элементами и может быть использовано в системах оптической локации, оптической связи, управления и наблюдательных приборах.

Известна коллимирующая оптическая система, содержащая последовательно расположенные по ходу лучей первый отрицательный оптический компонент, первую группу призм, положительный оптический компонент, вторую группу призм и второй отрицательный оптический компонент, в которой апертурный угол оптических компонентов выбирается в пределах 20-40o, преломляющий угол призм выбирается в пределах 10-40o, а угол коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 ориентации призм по отношению к оптической оси связан с преломляющим углом коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 соотношением коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 = (2-3)коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 [1].

Как следует из описания, наиболее эффективным является применение указанной оптической системы для коллимирования излучения полупроводниковых лазеров. При этом отпадает необходимость в первом оптическом компоненте.

Недостатком указанной оптической системы в случае ее применения для полупроводниковых лазеров является угловое смещение выходного коллимированного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры, что связано с неудобством работы и ухудшением точности наведения выходного пучка. Причиной углового смещения выходного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры является, во-первых, температурное изменение длины волны излучения полупроводникового лазера и дисперсия материала призм, во-вторых, температурное изменение показателя преломления материала призм.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемой оптической системе является коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, содержащая последовательно расположенные по ходу лучей объектив и группу призм, ребра преломляющих двугранных углов которых ориентированы параллельно полупроводниковому переходу, преломляющие углы призм выбираются в пределах 25-40o, угловое увеличение G группы призм выбирается из следующего соотношения:

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

где коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 углы расходимости излучения полупроводникового лазера по уровню 0.5 в плоскостях, параллельной и перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода соответственно, передняя фокальная плоскость объектива смещена относительно предметной плоскости на расстояние коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850o, определяемое соотношением

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

где коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 размеры тела свечения полупроводникового лазера в плоскостях, параллельной и перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода соответственно, а продольная сферическая аберрация коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850(u) объектива выбирается из следующего соотношения

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850(u) = -2/3коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850oколлимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850(u/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850)2,

где u - апертурный угол объектива [2].

Как следует из описания, коллимирующая оптическая система может быть использована для получения коллимированного пучка от нескольких полупроводниковых лазеров. При этом вместо одного объектива используется несколько объективов, установленных напротив полупроводниковых лазеров, а угловое увеличение G группы призм выбирается из следующего соотношения:

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

где коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 углы расходимости излучения полупроводниковых лазеров в плоскостях, параллельной и перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода соответственно, k - количество полупроводниковых лазеров [2].

Недостатком указанной оптической системы при использовании ее как для одного, так и для нескольких полупроводниковых лазеров является угловое смещение выходного коллимированного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры, что связано с неудобством работы и ухудшением точности наведения выходного пучка. Причиной углового смещения выходного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры являются, во-первых, температурное изменение длины волны излучения полупроводникового лазера и дисперсия материала призм, во-вторых, температурное изменение показателя преломления материала призм.

Технической задачей изобретения является обеспечение постоянства пространственного положения выходного коллимированного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры окружающей среды.

Технический результат достигается тем, что в коллимирующей оптической системе для полупроводниковых лазеров, содержащей последовательно расположенные по ходу лучей объективы, установленные напротив полупроводниковых лазеров, и группу призм, ребра преломляющих двугранных углов которых ориентированы параллельно плоскостям полупроводниковых переходов, ребра преломляющих двугранных углов первой и второй призм расположены по разные стороны относительно лазерного пучка, при этом выполняется следующее соотношение:

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850i/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850ni - коэффициент зависимости углового отклонения лучей от показателя преломления материала i-й призмы,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850ni/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - дисперсия материала i-й призмы,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t - температурный коэффициент длины волны излучения полупроводникового лазера,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850ni/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t - температурный коэффициент показателя преломления материала i-й призмы,

Gi - угловое увеличение i-й призмы,

m - количество призм,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - длина волны излучения полупроводниковых лазеров,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - угловая расходимость излучения полупроводникового лазера по уровню 0.5 в плоскости, перпендикулярной полупроводниковому переходу,

f - фокусное расстояние объективов.

Постоянство пространственного положения коллимированного выходного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры обеспечивается тем, что действие первой призмы компенсируется действием второй и последующих призм.

На чертеже показана коллимирующая оптическая система для полупроводниковых лазеров, поперечный разрез в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводниковых переходов.

Коллимирующая оптическая система содержит десять коллимирующих объективов 2, установленных напротив десяти полупроводниковых лазеров 1, и четыре призмы 3-6. Ребра двугранных углов, образованных преломляющими гранями призм, ориентированы параллельно плоскостям полупроводниковых переходов полупроводниковых лазеров 1. При этом ребра преломляющих двугранных углов призм 3 и 4 расположены по разные стороны относительно лазерного пучка.

В системе координат, показанной на чертеже, плоскости полупроводниковых переходов ориентированы параллельно плоскости YZ, оптические оси объективов ориентированы параллельно оси Z, а ребра преломляющих двугранных углов призм - параллельно оси Y.

Входные грани всех призм установлены перпендикулярно падающему на них пучку, при этом угол отклонения лучей в призме 3 равен по величине и противоположен по знаку углу отклонения лучей в призме 4, а угол отклонения лучей в призме 5 равен по величине и противоположен по знаку углу отклонения лучей в призме 6.

Угловая дисперсия призмы 3 выбирается меньше угловой дисперсии призм 4-6. С этой целью призма 3 изготавливается из стекла с малой дисперсией, а призмы 4-6 - из стекла с большой дисперсией.

Коллимирующая оптическая система работает следующим образом. Сильно расходящийся световой пучок от каждого из полупроводниковых лазеров преобразуется соответствующим объективом в слабо расходящийся световой пучок, ось которого параллельна оси Z. В плоскости XZ все эти пучки объединяются в общий пучок, который проходит через группу призм. Призмы трансформируют световой пучок, уменьшая его поперечный размер и увеличивая его угловую расходимость. В результате на выходе коллимирующей оптической системы формируется световой пучок с требуемыми геометрическими параметрами.

Например, если требуется сформировать коллимированный световой пучок, близкий к осесимметричному, то конструктивные параметры коллимирующей оптической системы следует выбирать в соответствии с [2].

При изменении температуры окружающей среды происходит угловое смещение светового пучка на каждой из призм. Причиной этого являются, во-первых, температурное изменение длины волны излучения полупроводникового лазера и дисперсия материала призм, во-вторых, температурное изменение показателя преломления материала призм.

Так как угловые смещения, вызванные изменением температуры окружающей среды, невелики, то угловое смещение светового пучка на всей группе призм определяется суммой угловых смещений на каждой из призм, взятых с учетом знака и умноженных на угловое увеличение всех следующих за ней призм.

Указанная сумма выбирается близкой к нулю. Необходимым условием для этого является то, что ребра преломляющих двугранных углов первой и второй призм расположены по разные стороны относительно светового пучка. Действительно, так как угловое увеличение призм больше единицы, то слагаемые, соответствующие первой и второй призмам, являются наибольшими по абсолютной величине, а так как ребра преломляющих двугранных углов этих призм расположены по разные стороны относительно светового пучка, то эти слагаемые противоположны по знаку и могут взаимно компенсироваться. Слагаемые, соответствующие третьей и последующим призмам, значительно меньше указанных, поэтому расположение этих призм не является существенным для взаимной компенсации действия всех призм.

Практически нет необходимости обеспечивать полную взаимную компенсацию действия всех призм. Достаточно, если угловое смещение выходного коллимированного пучка, соответствующее максимально возможному изменению температуры, не будет превышать по абсолютной величине 1/4 угловой расходимости этого пучка по уровню 0.5.

Таким образом, благодаря неполной взаимной компенсации действия всех призм, обеспечивается постоянство пространственного положения выходного коллимированного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры окружающей среды.

Введем обозначения:

dколлимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850/dt - изменение углового отклонения лучей на всей группе призм при изменении температуры на 1oC,

dколлимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850i/dt - - изменение углового отклонения лучей на i-й призме при изменении температуры на 1oC,

Gi - угловое увеличение i-й призмы,

m - количество призм,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t - максимальное изменение температуры окружающей среды,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - угловая расходимость выходного коллимированного пучка по уровню 0.5;

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - длина волны излучения полупроводникового лазера,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - угловая расходимость излучения полупроводникового лазера по уровню 0.5 в плоскости, перпендикулярной полупроводниковому переходу,

f - фокусное расстояние объектива.

Изменение углового отклонения считается положительным, если оно направлено по часовой стрелке, и отрицательным, если оно направлено против часовой стрелки.

Условие постоянства пространственного положения выходного коллимированного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры окружающей среды определяется соотношением:

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

В плоскости, перпендикулярной полупроводниковому переходу, полупроводниковый лазер излучает только одну поперечную моду, поэтому световой пучок в этой плоскости является гауссовым пучком. Угловая расходимость выходного коллимированного пучка по уровню 0.5 определяется следующим соотношением (смотри, например, [3]):

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

Типичное значение максимального изменения температуры окружающей среды коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t = 30oC. Подставляя это значение в соотношение (1) и учитывая соотношение (2), можно получить

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

В коллимирующей оптической системе, показанной на чертеже, количество призм m = 4, и соотношение (3) можно представить в виде

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

Изменение углового отклонения лучей на каждой призме зависит от показателя преломления материала призмы, который, в свою очередь, зависит от длины волны излучения полупроводникового лазера и от температуры окружающей среды. Изменение углового отклонения лучей на i-й призме при изменении температуры на 1oC определяется следующим соотношением:

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850

где коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850ni/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 - дисперсия материала i-й призмы, определяемая как изменение показателя преломления при изменении длины волны на 1 нм,

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t - температурный коэффициент длины волны излучения полупроводникового лазера, определяемый как изменение длины волны в нм при изменении температуры на 1oC.

коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850ni/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t - температурный коэффициент показателя преломления материала i-й призмы, определяемый как изменение показателя преломления при изменении температуры на 1oC.

Рассмотрим пример конкретного выполнения коллимирующей оптической системы для десяти полупроводниковых лазеров типа SDL-2360, у которых длина волны излучения коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 = 830 нм, углы расходимости излучения по уровню 0.5 в плоскостях, параллельной и перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода, коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 8oколлимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 214885030o, размеры тела свечения в плоскостях, параллельной и перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода, коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 100коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 21488501 мкм, температурный коэффициент длины волны излучения коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850/коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t = 0.3 нм/град. [4].

Будем считать, что в коллимирующей оптической системе, показанной на фиг. 1, входные грани призм установлены перпендикулярно падающим на них лучам, преломляющие углы призм выполнены одинаковыми и равными коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 = 33o, причем призма 3 изготовлена из стекла СТК9, а призмы 4-6 - из стекла ТФ5. Показатели преломления этих стекол примерно равны, однако стекло СТК9 имеет значительно меньшую дисперсию, чем стекло ТФ5. Отметим, что при этом выполняется условие равенства поперечных размеров светового пучка на выходе коллимирующей оптической системы [2].

Угловая расходимость выходного коллимированного пучка по уровню 0.5 находится из соотношения (2) и составляет коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 = 10 угловых минут.

Изменение углового отклонения лучей в коллимирующей оптической системе при изменении температуры окружающей среды на 1oC находится по соотношениям (4) и (5). Используя константы стекол, указанные в [5], получим

dколлимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850/dt = 0.008 мрад/град. Выражение в правой части (4) равно 0.02 мрад/град, то есть соотношение (4) выполняется. При этом изменению температуры окружающей среды коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850t = 30oC соответствует изменение углового отклонения лучей коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 = 0.9 угловых минут, что практически несущественно. Отметим, что если бы все призмы были изготовлены из стекла ТФ5, то соответствующие значения составили бы dколлимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850/dt = 0.1 мрад/град и коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850коллимирующая оптическая система для полупроводниковых   лазеров, патент № 2148850 = 12 угловых минут, что во многих случаях является недопустимым.

Таким образом в предлагаемой коллимирующей оптической системе обеспечивается постоянство пространственного положения выходного коллимированного пучка при воздействии пониженной и повышенной температуры окружающей среды, что позволяет использовать ее в системах оптической локации, оптической связи, управления и наблюдательных приборах, работающих в полевых условиях.

Список использованных источников

1. Авторское свидетельство СССР N 1624392, G 02 B 27/30, 30.01.91.

2. Патент РФ N 2107743, G 02 B 27/30, 10.01.98.

3. Пахомов И.И., Цибуля А.Б. Расчет оптических систем лазерных приборов. - М.: Радио и связь, 1986, с. 6.

4. Laser diode product catalog. Spectra Diode Labs. - 1993.

5. Оптическое стекло. Альбом - каталог СССР - ГДР. - В/О Машприборинторг, 1984.

Класс G02B27/30 коллиматоры 

объектив коллиматора -  патент 2517760 (27.05.2014)
автоколлимационное теневое устройство -  патент 2497165 (27.10.2013)
автоколлимационное углоизмерительное устройство -  патент 2491586 (27.08.2013)
коллиматор -  патент 2489744 (10.08.2013)
коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера -  патент 2481605 (10.05.2013)
инфракрасный коллиматор -  патент 2470335 (20.12.2012)
видеоавтоколлиматор -  патент 2455668 (10.07.2012)
коллиматор для настройки многоканальной телевизионной системы -  патент 2413267 (27.02.2011)
оптическая система для полупроводниковых лазеров -  патент 2390811 (27.05.2010)
автоколлиматор для измерения угла скручивания -  патент 2384812 (20.03.2010)

Класс G02B27/09 формирование луча, например изменением площади поперечного сечения, не отнесенное к другим рубрикам

устройство и способ оптического освещения -  патент 2510060 (20.03.2014)
технологический объектив для лазерной обработки -  патент 2504809 (20.01.2014)
способ изменения диаметра перетяжки выходного лазерного пучка на фиксированном расстоянии от лазера -  патент 2488861 (27.07.2013)
коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера -  патент 2481605 (10.05.2013)
согласующая лазерная оптическая система для обеспечения постоянства размера и положения выходной перетяжки -  патент 2435182 (27.11.2011)
способ формирования пространственного профиля интенсивности лазерного пучка -  патент 2410735 (27.01.2011)
устройство для формирования лазерного луча -  патент 2401986 (20.10.2010)
оптическая система для полупроводниковых лазеров -  патент 2390811 (27.05.2010)
устройство гомогенизации света, а также способ изготовления устройства -  патент 2362193 (20.07.2009)
дифракционное профилирование распределения интенсивности частично пространственно когерентного светового пучка -  патент 2343516 (10.01.2009)
Наверх