микротермоэлектрогенератор
Классы МПК: | H01L35/18 содержащих мышьяк, сурьму или висмут H01L35/28 основанные только на эффектах Пельтье или Зеебека |
Автор(ы): | Никольский Ю.А. |
Патентообладатель(и): | Никольский Юрий Анатольевич |
Приоритеты: |
подача заявки:
1996-11-26 публикация патента:
10.05.1999 |
Миrротермоэлектрогенератор на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке представляет собой монокристаллическую матрицу n-InSb с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In. За счет этих включений - неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность возникает аномально высокая термоЭДС, равная 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К.
Формула изобретения
Микротермоэлектрогенератор на основе пленки антимонида индия, отличающийся тем, что пленка антимонида индия n-типа проводимости, полученная термической перекристаллизацией в вакууме на слюдяной подложке, представляет собой монокристаллическую матрицу n - InSb с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике, в частности к конструктивному изготовлению микротермоэлектрогенератора. В применяемых термоэлектрических генераторах ЭДС возникает за счет разности энергии электронов в контактирующих материалах, разности энергии Фержи и наличия эффекта фононного увлечения. Значения термоЭДС в пленках и кристаллах p-In Sb 200-500 мкВ/К в диапазоне температур 100-300 К. Микротермоэлектрогенератор изготовлен на основе перекристаллизованной пленки антимонида индия n - типа проводимости на слюдяной подложке и представляет собой монокристаллическую матрицу с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In, который отличается тем, что за счет этих включений неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность в нем возникает аномально высокое значение термоЭДС, равное 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К. Пленка n - InSb, полученная термической перекристаллизацией в вакууме слюдяной подложки, представляет монокристаллическую матрицу n - InSb стехиометрического состава с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In. Микротермоэлектрогенератор изготавливают из такой пленки, для чего на нее напыляют индиевые токовые контакты, к которым припаиваются эвтектическим сплавом In - Sb тонкие медные проволочки для измерения ЭДС. Один конец пленки поддерживается при температуре T1, а второй при температуре T2. Температуры T1 и T2 измеряются хромельалюмелиевыми термопарами, имеющими полусферические головки, которые плотно прижимаются к поверхности пленки в местах контакта. Разность температур при измерениях в диапазоне 100-340 К составляла 15-20 К, ЭДС 10-12 мВ, а термоЭДС 700-800 мкВ/К.Класс H01L35/18 содержащих мышьяк, сурьму или висмут
Класс H01L35/28 основанные только на эффектах Пельтье или Зеебека