устройство нанесения тонких пленок
| Классы МПК: | C23C14/24 вакуумное испарение |
| Автор(ы): | Василенко Николай Васильевич, Ивашов Евгений Николаевич, Прусаков Евгений Викторович, Степанчиков Сергей Валентинович |
| Патентообладатель(и): | Василенко Николай Васильевич |
| Приоритеты: |
подача заявки:
1997-07-10 публикация патента:
10.07.1998 |
Изобретение относится к микроэлектронике и направлено на обеспечение минимальной неравномерности покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала. Устройство содержит плоский испаритель и приемный свод с подложкодержателями и закрепленными на них подложками. При этом приемный свод выполнен по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени одна вторая. 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
Устройство нанесения тонких пленок, содержащее плоский испаритель, приемный свод с подложкодержателями и закрепленными на них подложками, отличающееся тем, что подложкодержатели с подложками установлены на приемном своде, профиль которого выполнен по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к способам нанесения тонких пленок. Известно устройство нанесения тонких пленок [1], содержащее испаритель и подложки, расположенные на вращающемся подложкодержателе. Недостатком аналога является большая неравномерность покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство нанесения тонких пленок [2], содержащее плоский испаритель и приемный свод с подложкодержателями и закрепленными на них подложками. В устройстве используют изменение расстояния испаритель-подложка. Недостатком прототипа является также большая неравномерность покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала. В основу изобретения положена задача обеспечить минимальную неравномерность покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала, при котором используют плоский испаритель и приемный свод с подложкодержателями и закрепленными на них подложками. Эта задача решается тем, что подложкодержатели с подложками устанавливают на приемном своде, профиль которого выполняют по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая. Введение в устройство нанесения тонких пленок приемного свода, выполненного в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая, обеспечивает минимальную неравномерность покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала. Сопоставительный анализ заявляемого устройства нанесения тонких пленок и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна", так как предложена новая форма профиля приемного свода. Сравнение заявляемого устройства не только с прототипом, но и с другими устройствами в данной области техники позволило выявить в нем совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа - выполнение профиля приемного свода по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия". На чертеже представлена схема устройства, где показан плоский испаритель и приемный свод, профиль которого выполнен по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая. Устройство содержит испаритель 1, приемный свод 2 с подложкодержателями 3 и закрепленными на них подложками 4. Подложкодержатели 3 установлены на внутренней поверхности 5 приемного свода 2, профиль 6 которого выполнен по кривой 7 в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая. Перед выполнением технологического процесса нанесения тонких пленок подложки 4 закрепляют на подложкодержателях 3 приемного свода 2, затем включают испаритель 1 и осуществляют технологический процесс нанесения тонких пленок. Профиль приемного свода выполняют таким образом, что расстояние от испарителя L изменяется в зависимости от угла
расположения подложки по закону
(см. чертеж), где L - максимальное расстояние от испарителя 1 до подложки 4,
- угол расположения подложки относительно вертикальной оси. Скорость напыления
, где
- угол между нормалью к плоскости подложки и направлением испарения. Подложки расположены на приемном своде таким образом, что угол
всегда равен нулю. Таким образом скорость напыления
. Для того, чтобы V= const, необходимо выполнять следующие условия
. Откуда
. Применение предложенного устройства нанесения тонких пленок уменьшает неравномерность покрытия и в конечном итоге повышает процесс выхода годных. Источники информации. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники: Учебник для студентов специальности "Электронное машиностроение"/Н. В.Василенко, Е.Н.Ивашов, Л.К.Ковалев и др.: Под ред. проф. Л. К.Ковалева, Н.В.Василенко.: В 2т. т.1- Красноярск: Кн.изд-во; Сиб. аэрокосм, акад., 1995- 256с., с. 144, табл.3.2 (первый способ сверху). 2. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники: Учебник для студентов специальности "Электронное машиностроение"/Н. В.Василенко, Е.Н.Ивашов, Л.К.Ковалев и др.: Под ред. проф. Л. К.Ковалева, Н.В.Василенко.: В 2т. т.1- Красноярск: Кн.изд-во: Сиб. аэрокосм, акад.,1995- 256с., с.144, табл.3.2 (четвертый способ сверху).
Класс C23C14/24 вакуумное испарение
