магнитоэлектрический датчик дефектов

Классы МПК:G01N27/90 с помощью вихревых токов
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Уфимский государственный авиационный технический университет
Приоритеты:
подача заявки:
1995-03-14
публикация патента:

Использование: изобретение относится к контрольно-измерительной технике, к неразрушающим методам контроля параметров магнитного поля и качества изделия. Сущность изобретения: магнитоэлектрический датчик дефектов отличается тем, что на полюсах П-образного магнита 1 установлены на равном расстоянии друг от друга магнитопроводящие полосовые наконечники 3, которые обхвачены измерительными обмотками 2, соединенными с соответствующими обмотками другого полюса. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

Магнитоэлектрический датчик дефектов, содержащий П-образный постоянный магнит и измерительные обмотки, отличающийся тем, что он снабжен установленными на полюсах магнита на равном расстоянии друг от друга магнитопроводящими полосовыми наконечниками, которые охвачены измерительными обмотками, соединенными с соответствующими обмотками другого полюса.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике к неразрушающим методам контроля параметров магнитного поля и качества изделия.

Известен магнитный датчик [1] содержащий корпус, цилиндрический магнит, намагниченный вдоль своей оси, и магниточувствительные элементы, где магнит выполнен с чередованием направления намагниченности, и установлен в корпусе с возможностью вращения вокруг своей оси, а магниточувствительные элементы размещены на торце магнита, а также магниточувствительные элементы, установленные в зоне соединения смежных цилиндрических секторов, ориентированы осью максимальной чувствительности под углом магнитоэлектрический датчик дефектов, патент № 2097759 магнитоэлектрический датчик дефектов, патент № 2097759 магнитоэлектрический датчик дефектов, патент № 2097759/4 к прямой, параллельной оси магнита, а в зоне биссектрисы сектора под углом магнитоэлектрический датчик дефектов, патент № 2097759 магнитоэлектрический датчик дефектов, патент № 2097759 магнитоэлектрический датчик дефектов, патент № 2097759/4.

Недостатком известного магнитного датчика является низкая избирательность и разрешающая способность к дефектам изделия.

Наиболее близким техническим решением, принятым за ближайший аналог, является электромагнитный преобразователь для неразрушающего контроля [2] содержащий составной магнитопровод из 3-10 П-образных элементов, разделенных по периметру немагнитными зазорами, возбуждающую обмотку, охватывающую все П-образные элементы, и измерительные обмотки, размещенные на стержнях П-образных элементов, где магнитопровод в средней своей части скручен на 180o, а измерительные обмотки имеют равное число витков.

Задача, на решение которой поставлено заявляемое решение повышение избирательности разрешающей способности к дефектам изделия.

Поставленная задача достигается тем, что в известном магнитоэлектрическом датчике дефектов, содержащем П-образный постоянный магнит и измерительные обмотки, в отличие от прототипа, на полюсах П-образного магнита установлены магнитопроводящие полосовые наконечники и их обхватывают измерительные обмотки, соединенные последовательно.

На чертеже представлен магнитоэлектрический датчик дефектов.

Магнитоэлектрический датчик дефектов содержит П-образный постоянный магнит 1 и измерительные обмотки 2. На полюсах П-образного магнита 1 установлены магнитопроводящие полосовые наконечники 3 и их обхватывают измерительные обмотки 2, соединенные последовательно.

Магнитоэлектрический датчик дефектов работает следующим образом.

При движении датчика по поверхности контролируемого изделия в случае отсутствия дефектов сигнал на измерительных обмотках отсутствует. Наличие дефекта, воздушной раковины или другой магнитной неоднородности изменяет магнитные сопротивления элементарных контуров, что приводит к появлению сигнала на измерительной обмотке в зависимости от размера дефекта и его местонахождения. При этом избирательность и разрешающая способность датчика к дефектам повышается за счет дифференциации (разделения) магнитного потока. Диапазон контролируемых глубин можно регулировать скоростью перемещения датчика, либо изменением базы магнитопровода датчика.

Таким образом, предложенный магнитоэлектрический датчик дефектов позволяет повысить избирательность и разрешающую способность датчика к дефектам контролируемого изделия.

Кроме того, существенно упрощается конструкция датчика и повышается его надежность.

Класс G01N27/90 с помощью вихревых токов

устройство и способ измерения индукционным методом -  патент 2527666 (10.09.2014)
устройство и способ измерения индукционным методом -  патент 2527310 (27.08.2014)
способ электромагнитного контроля полой детали типа лопатки газотурбинного двигателя -  патент 2526598 (27.08.2014)
способ и установка для удаления двойной индикации дефектов при контроле труб по дальнему полю вихревых токов -  патент 2523603 (20.07.2014)
установка и способ для неразрушающего контроля дефектов в проверяемом изделии посредством вихревых токов -  патент 2522779 (20.07.2014)
способ обнаружения трещин на деталях вращения -  патент 2517786 (27.05.2014)
комплекс дефектоскопии технологических трубопроводов -  патент 2516364 (20.05.2014)
способ контроля разрушаемых элементов устройства контроля схода подвижного состава -  патент 2516363 (20.05.2014)
способ контроля качества неразъемных соединений -  патент 2515425 (10.05.2014)
способ электромагнитной дефектоскопии в многоколонных скважинах и электромагнитный скважинный дефектоскоп -  патент 2507393 (20.02.2014)
Наверх