электрическая коммутационная матрица

Формула изобретения

1. Электрическая коммутационная матрица, содержащая переплетенные токопроводники и изоляционные нити, а также контактные выводы, отличающаяся тем, что контактные выводы образованы продольными прорезями, выполненными вдоль токопроводников на периферийных участках матрицы, и соединены между собой со смещением токопроводников на шаг плетения в направлении, перпендикулярном этим прорезям, в один или два слоя.

2. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что по крайней мере один из токопроводников выполнен в виде синусоиды.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано для коммутации электрических сигналов в электронных и электрических устройствах.

Известны электрические коммутационные матрицы, содержащие переплетенные токопроводники и изоляционные нити, а также контактные выводы для соединения схемных элементов.

Недостатком указанных матриц является их сравнительно невысокая технологичность.

Ближайшим техническим решением, выбранным в качестве прототипа, является электрическая коммутационная матрица, содержащая переплетенные ортогональные токопроводники и изоляционные нити, гофры и контактные выводы.

Недостаток прототипа заключается в его ограниченных функциональных возможностях. Указанный недостаток обусловлен тем, что описанная матрица служит сугубо для соединения схемных элементов.

Задачей настоящего изобретения является создание многофункциональной электрической коммутационной матрицы, которая выполняла бы не только функцию соединительного звена между схемными элементами, но и сама бы служила схемным элементом за счет обеспечения возможности формирования на ее поле электронных сборок (индуктивностей, резисторов).

Поставленная задача решается за счет того, что в предлагаемой электрической коммутационной матрице, содержащей переплетенные токопроводники и изоляционные нити, а также контактные выводы, согласно изобретению контактные выводы образованы продольными прорезями, выполненными на периферийных участках матрицы, и соединены между собой со смещением токопроводников на шаг плетения в направлении, перпендикулярном этим прорезям, в один или два слоя.

Кроме того, по крайней мере один из токопроводников сформирован на поле матрицы в виде синусоиды.

Вышеописанное формирование контактных выводов и их соединение между собой позволяет образовать замкнутый контур, что обеспечивает возможность формирования на поле матрицы электронных сборок в виде резистора малой мощности и индуктивности.

Выполнение одного или нескольких токопроводников в виде синусоиды позволяет получить резисторы с большой мощностью рассеивания, что также расширяет функциональные возможности матрицы.

На фиг.1 представлена принципиальная схема предлагаемой матрицы; на фиг. 2 выполнение одного из токопроводников в виде синусоиды; на фиг.3 соединение токопроводников с образованием замкнутого контура в один слой; на фиг.4 то же, в два слоя.

Ниже приводится конкретный пример осуществления изобретения.

Предлагаемая электронная коммутационная матрица содержит переплетенные двухкоординатные 1 (фиг.1) и однокоординатные токопроводники и изоляционные нити (не показаны) и контактные выводы 3, при этом токопроводники выполнены в поле матрицы из параллельных прямолинейных проводов 4 или в виде синусоиды 5 (фиг.2).

Вдоль токопроводников 1 и 2 на периферийных участках матрицы, условно ограниченных линиями 6 и 7, выполнены продольные прорези 8 для формирования контактных выводов 9 и соединений 10 (фиг. 3, 4).

Для формирования замкнутого контура концы токопроводников 2 на периферийных участках соединены (10) разъемным или неразъемным способом со смещением в поле матрицы на шаг плетения в направлении, перпендикулярном прорезям 8. т. е. конец предыдущего токопроводника соединен с началом последующего. При этом соединение концов токопроводников может быть выполнено в один слой (фиг.3) или в два слоя (фиг.4).

Изменение диаметра замкнутого контура может быть достигнуто за счет изменения длины участка L (фиг.4), сложенного в два слоя.

Предлагаемая матрица в сравнении с прототипом обладает более широкими функциональными возможностями и позволяет формировать на ее поле индуктивности и резисторы. Изготовлены опытные образцы матриц с индуктивностями от единиц мкГн до нескольких десятков мкГн, а также резисторы до 100 W при нагреве поверхности до 30^oC.