способ получения изделий из высокотемпературного сверхпроводящего материала

Классы МПК:H01L39/12 отличающиеся материалом
H01L39/24 способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в  39/00 приборов или их частей
Автор(ы):, , , , , , , ,
Патентообладатель(и):Институт химии поверхности АН УССР (UA),
Киевский государственный педагогический институт им.А.М.Горького (UA)
Приоритеты:
подача заявки:
1991-07-01
публикация патента:

Использование: для создания различного рода датчиков и счетчиков в сверхбыстродействующих ЭВМ, криоэлектронных приборах, детекторов СВЧ и др. Сущность изобретения: способ включает смешивание порошка высокотемпературного сверхпроводящего материала и прессование. Новым является то, что в качестве полимерного материала берут порошок поливинилхлорида в количестве 10 - 25% от массы получаемой композиции, в качестве высокотемпературного сверхпроводящего материала - порошок формулы (PbxBi1-x)2Ca2Sr2Cu3Oy, а прессование ведут под давлением 105 - 180 МПа при температуре 433 - 453 K в течение 5 - 30 мин. 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

Способ получения изделий из высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающий смешивание порошка высокотемпературного сверхпроводящего материала и полимера с последующим прессованием, отличающийся тем, что, с целью снижения пористости изделия при сохранении магнитной восприимчивости, в качестве полимера используют порошок поливинилхлорида в количестве 10 25% от массы композиции, в качестве высокотемпературного сверхпроводящего материала порошок формулы (PbxBi1-x)2Ca2Sr2Cu3 O7, а прессование ведут при температуре 433 453 К и давлении 105 - 180 МПа в течение 5 30 мин.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области получения сверхпроводящих материалов, в частности к способам получения изделий из высокотемпературных сверхпроводящих материалов (ВТСП), и может быть использовано для создания различного рода датчиков и счетчиков в сверхбыстродействующих ЭВМ, крио электронных приборах, детекторов СВЧ и др.

Известно формованное изделие, содержащее смесь органического полимерного материала и порошкообразного сверхпроводящего материала керамического типа [1] В качестве органического полимерного материала формованное изделие содержит термопластичный или сшитый полимер, а в качестве порошкообразного сверхпроводящего материала керамического типа материал оксидного типа. Содержание порошкообразного сверхпроводящего материала в формованном изделии составляет 50 об. предпочтительно 60 об. Формованное изделие дополнительно может содержать электропроводный порошкообразный или волокнистый материал, предпочтительно металл. Недостатком известного формованного изделия является недостаточно высокая химическая стойкость полимерной матрицы, что приводит к ухудшению физических параметров формованного изделия.

В качестве прототипа выбран наиболее близкий по технической сущности и достигаемому результату способ, включающий смешивание порошка ВТСП состава YBa2Cu3O7-способ получения изделий из высокотемпературного   сверхпроводящего материала, патент № 2093927 и силиконового каучука, помещение в пресс-форму, прессование под давлением 13,8 МПа в течение 24 ч при комнатной температуре. Приготовленная композиция содержит 1 69,9 об. порошка ВТСП и имеет пористость 6 24,2 об. Исходный порошок ВТСП имел средний размер частиц 8 мкм. При температуре жидкого азота магнитная восприимчивость приготовленных образцов достигала 0,50 -0,55 отн. ед. [2]

Недостатком способа-прототипа является сравнительно высокая пористость получаемого материала и длительность процесса его получения.

Целью изобретения является снижение пористости при сохранении магнитной восприимчивости (не менее 0,55 отн.ед.).

Поставленная цель достигается тем, что в способе, включающем смешивание порошка ВТСП с полимерным материалом и прессование, согласно изобретению, в качестве полимерного материала берут порошок поливинилхлорида (ПВХ) в количестве 10 25% от массы получаемой композиции, в качестве высокотемпературного сверхпроводящего материала порошок формулы (PbxBi 1-x )2Ca2Sr2Cu3Oy, а прессование ведут под давлением 105 180 МПа при температуре 433 453K в течение 5 30 мин.

Для осуществления способа брали порошок смолы ПВХ марки С-7059 М и порошок ВТСП формулы (PbxBi1-x )2Ca2Sr2Cu3O y с размером частиц 1 5 мкм, полученный из порошков PbO, Bi2O3, CaCO3,SrCO3, CuO класса "ОСЧ". После диспергирования и гомогенизации в шаровой агатовой мельнице шихта подвергалась термообработке при 1073 К в течение 16 ч, а затем прессовалась в цилиндрические заготовки диаметром 10 мм и толщиной 1 2 мм под давлением 3000 МПа. Твердофазный синтез проводился при температуре 1118 K в воздушной атмосфере в течение 324 ч. Полученную керамику измельчали до размера частиц 1 5 мкм. Для приготовления образцов полимерного композиционного материала ВТСП смешивали в необходимых соотношениях порошки ПВХ и ВТСП. Равномерное распределение компонентов достигали прибавлением в смесь этилового спирта до полного смачивания смеси. Полученную суспезию перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта. Образцы для исследования изготавливали методом горячего прессования. Прессование смеси осуществляли в пресс-форме с регулируемым нагревом на установке, позволяющей многократно автоматически воспроизводить температурно-временной режим нагрева, выдержку пресс-формы при заданной температуре и охлаждении. После прессования определяли пористость, магнитную восприимчивость и рассчитывали модуль Юнга по результатам ультразвуковых измерений. Пористость рассчитывали по формуле:

способ получения изделий из высокотемпературного   сверхпроводящего материала, патент № 2093927

где способ получения изделий из высокотемпературного   сверхпроводящего материала, патент № 2093927каж кажущаяся плотность;

способ получения изделий из высокотемпературного   сверхпроводящего материала, патент № 2093927ист истинная плотность образцов.

Кажущуюся плотность определяли как соотношение массы к объему образца. Истинную плотность исходя из значений плотностей исходных компонентов, аудитивности масс и объемов получаемой композиции. Скорость поглощения ультразвука определяли с помощью автодинной методики на частоте 1 кГц. Измерялась мнимая часть поверхностного импеданса ВТСП образцов, которая прямо пропорциональна магнитной восприимчивости.

Далее изобретение иллюстрируется следующими примерами конкретного исполнения.

Пример 1.

16 г порошка ВТСП формулы (Pb x Bi1-x)2Ca2Sr2Cu3Oy и 4 г порошка ПВХ после прибавления этилового спирта до полного смачивания смеси перемешивали при комнатной температуре до испарения спирта. Затем приготовленную смесь загружали в пресс-форму, нагревали до температуры 443 K и прессовали под давлением 130 МПа в течение 20 мин. Пористость полученного образца составляла 0,47 об. магнитная восприимчивость при 78 K 0,57 отн.ед. Модуль упругости E 1,13способ получения изделий из высокотемпературного   сверхпроводящего материала, патент № 20939271010 Па.

В примерах 2 17 поступали аналогично примеру 1, изменяя параметры заявляемого способа. Результаты приведены в таблице.

По способу-прототипу были получены образцы ВТСП-материала, в которых в качестве связующего брали силиконовый каучук.

Пример 18 (прототип).

Для доказательства достижения поставленной цели в примере 18 таблицы приведены данные по магнитной восприимчивости и пористости для лучшего образца прототипа, взятые из текста описания прототипа.

Таким образом, заявляемый способ позволяет изготавливать изделия из ВТСП, имеющие пониженную пористость при сохранении магнитной восприимчивости и хорошие показатели механических свойств.

Класс H01L39/12 отличающиеся материалом

керамический материал -  патент 2515757 (20.05.2014)
способ получения материалов на основе y(вахве1-x)2cu3o7- -  патент 2486161 (27.06.2013)
способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия -  патент 2471269 (27.12.2012)
способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе магний-оксид магния -  патент 2471268 (27.12.2012)
композитная сверхпроводящая лента на основе соединения nb3sn -  патент 2436198 (10.12.2011)
композитная сверхпроводящая лента на основе соединения nb3sn -  патент 2436197 (10.12.2011)
высокотемпературный сверхпроводник на основе силицида лития -  патент 2351677 (10.04.2009)
составной комбинированный магнитный экран -  патент 2306635 (20.09.2007)
высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития и способ его изготовления -  патент 2267190 (27.12.2005)
способ формирования пленочного покрытия и устройство для его осуществления -  патент 2211881 (10.09.2003)

Класс H01L39/24 способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в  39/00 приборов или их частей

способ электроискрового формирования тонкопленочной втсп схемы -  патент 2508576 (27.02.2014)
металлическая сборка, заготовка для сверхпроводника, сверхпроводник и способ, пригодный для получения сверхпроводника -  патент 2507636 (20.02.2014)
устройство и способ для нанесения сверхпроводящих слоев -  патент 2503096 (27.12.2013)
способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности -  патент 2497236 (27.10.2013)
способ изготовления подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников и подложка -  патент 2481674 (10.05.2013)
способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводящего материала -  патент 2481673 (10.05.2013)
способ обработки высокотемпературного сверхпроводника -  патент 2477900 (20.03.2013)
способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов -  патент 2476373 (27.02.2013)
способ формирования гладких ультратонких ybco пленок повышенной проводимости -  патент 2450389 (10.05.2012)
устройство для высокотемпературного осаждения сверхпроводящих слоев -  патент 2443038 (20.02.2012)
Наверх