способ получения силана для полупроводниковой техники

Классы МПК:C01B33/04 кремневодородные соединения 
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Научно-производственное объединение "Радиевый институт им.В.Г.Хлопина"
Приоритеты:
подача заявки:
1993-01-18
публикация патента:

Изобретение относится к способам получения силана (SiH4) высокой чистоты для полупроводниковой техники. Сущность изобретения: осуществляют взаимодействие силицидов кальция с бромистым аммонием, после чего проводят низкотемпературное разделение продуктов реакции.

Формула изобретения

Способ получения силана, включающий взаимодействие бромида аммония с силицидом щелочноземельного металла в жидком аммиаке, отличающийся тем, что в качестве силицида щелочноземельного металла используют силицид кальция и после стадии взаимодействия осуществляют низкотемпературное разделение газообразных продуктов.

Описание изобретения к патенту

Предлагаемое изобретение относится к способам физико-химического получения веществ и может быть использовано в народном хозяйстве при производстве силана (SiH4) высокой чистоты для полупроводниковой техники.

По предлагаемому способу (Некрасов Б.В. Основы общей химии. М. Химия, 1973, с. 233) силан образуется при взаимодействии Mg2Si с раствором NH4Br в жидком аммиаке. Процесс протекает по реакции:

способ получения силана для полупроводниковой техники, патент № 2093463

Этот способ, как и предлагаемый заявителем, включает получение SiH4 путем взаимодействия галогенида аммония с силицидом щелочно-земельного металла, поэтому он и принят заявителем, как наиболее близкий по технической сущности и достигаемому положительному эффекту в качестве прототипа.

Недостатками способа-прототипа являются низкие технико-экономические показатели, а именно: количество силана, образующегося по реакции (1), составляет 65% от теоретического, сложность разделения продуктов реакции.

Задачей изобретения является повышение прямого выхода силана (SiH4). Поставленная задача достигается тем, что для повышения прямого выхода силана осуществляют взаимодействие силицидов кальция (CaSi и CaSi2) с бромистым аммонием в жидком аммиаке по реакциям:

способ получения силана для полупроводниковой техники, патент № 2093463 или

После чего проводят низкотемпературное разделение продуктов реакции.

Рассмотрим получение силана способом-прототипом и предлагаемым способом на конкретных примерах.

Пример 1 (способ-прототип).

Исходное сырье:

силицид магния Mg2Si,

бромистый аммоний,

высушенный аммиак.

В жидком аммиаке при температуре от -40 до -70oC проводят реакцию:

Mg2Si+4NH4Br___способ получения силана для полупроводниковой техники, патент № 2093463SiH4+2MgBr2+4NH3

Исходные вещества подают в соотношении: на 1 кг Mg2Si берут 7 кг NH4Br (40%-ный избыток) и 5 дм3 жидкого высушенного аммиака.

Газовую смесь продуктов реакции (SiH4 и NH3) для полного удаления NH3 направляют в холодильник, работающий при температуре от -40 до -70oC.

Бромид магния, выпадающий в осадок, декантируют и направляют на дальнейшую переработку.

В результате выход силана в способе-прототипе составляет не более 65% от стехиометрического, расход бромистого аммония не менее 140% к стехиометрии.

Пример 2 (заявляемый способ).

Исходное сырье:

силицид кальция CaSi или CaSi2,

бромистый аммоний,

высушенный аммиак.

Синтез силана проводят по реакциям (2) или (3) в жидком аммиаке при температуре от -40 до -70oC.

На 1 кг CaSi подают 3 кг NH4Br (10% избыток), на 1 кг CaSi2 подают 2,2 кг NH4BR (10% избыток) и 2 дм3 жидкого высушенного аммиака.

Для разделения газовой смеси продуктов реакций (2) и (3) силана, азота и водорода ее подают в холодильник, работающий при температуре от -120oC до -185oC. При этом силан переходит в жидкое состояние и отделяется от азота и водорода, находящихся в газообразном состоянии. Затем силан нагревают до 400 440oC. При этом происходит количественное переведение силанов в моносилан.

Выход силанов по реакциям (2) и (3) составляет 90% Общий выход моносилана из силицидов кальция составляет 87 89%

Полученный моносилан соответствовал по качеству требованиям, приведенным в (Белов Е.П. Лебедев Е.Н. Григораш Ю.П. и др. Моносилан в технологии получения полупроводниковых материалов. М. НИИТЭХим, 1989, с.72).

Класс C01B33/04 кремневодородные соединения 

способ получения моносилана -  патент 2524597 (27.07.2014)
способ и система для получения чистого кремния -  патент 2503616 (10.01.2014)
способ получения силана -  патент 2492141 (10.09.2013)
способ получения силанов типа rnsih4-n диспропорционированием гидридалкоксисиланов типа rnsih(or')3-n (где n=0; 1; r=me; r'=me, et) и катализаторы для его осуществления -  патент 2479350 (20.04.2013)
способ получения моносилана -  патент 2466089 (10.11.2012)
способ получения высокочистого моносилана и тетрахлорида кремния -  патент 2457178 (27.07.2012)
способ очистки отходящих газов от силана -  патент 2450850 (20.05.2012)
способ непрерывного получения моносилана -  патент 2414421 (20.03.2011)
способ получения моносилана и устройство для его осуществления -  патент 2412902 (27.02.2011)
способ глубокой очистки моносилана -  патент 2410326 (27.01.2011)
Наверх