фоточувствительная матрица

Формула изобретения

1. Фоточувствительная матрица, включающая ячейки разложения изображения, каждая из которых содержит устройство преобразования ввода сигнала, накопитель и элемент выборки, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит в каждой ячейке управляемый ключ, размещенный между устройством преобразования ввода сигнала и накопителем, а последний выполнен в виде терморезистора.

2. Матрица по п.1, отличающаяся тем, что каждая ячейка разложения изображения дополнительно содержит управляемый ключ ответвитель, соединенный с выходом устройства преобразования ввода сигнала.

3. Матрица по пп. 1 и 2, отличающаяся тем, что накопитель выполнен с тепловой постоянной времени, соответствующей времени кадра.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей изображения, в частности к фоточувствительным матрицам (ФЧМ), и может быть использовано в тепловизионных фотоприемных устройствах (ФПУ), работающих в режиме вещательного стандарта в спектральном диапазоне 8-12 мкм.

Известна ФЧМ, включающая ячейки разложения изображения, каждая из которых содержит устройство преобразования-ввода сигнала на основе ИК-фотодиода и элемента ПЗС, накопитель и элемент выборки, также выполненные на элементах ПЗС [1]

К недостаткам указанной ФЧМ относятся пониженное значение отношения сигнал/шум при работе в спектральном диапазоне 8-12 мкм, необходимость использования внешнего буфера-накопителя и сверхжесткие требования к быстродействию устройств опроса и обработки выходного сигнала.

Известна также ФЧМ, включающая ячейки разложения изображения, каждая из которых содержит устройство преобразования-ввода сигнала на основе ИК-фотодиода и МДП-транзистора, накопитель в виде МДП-конденсатора и элемент выборки в виде МДП-транзистора [2] Указанная ФЧМ является наиболее близкой к предлагаемому изобретению по технической сущности и принципу действия и принята за прототип.

К недостаткам указанной ФЧМ также следует отнести низкое значение отношения сигнал/шум, необходимость использования внешнего буфера-накопителя и чрезмерно жесткие требования к быстродействию этого буфера и устройств опроса при работе в спектральном диапазоне 8-12 мкм.

В силу больших фоновых токов и ограниченной зарядовой емкости накопителя для прототипа при характерных топологических, электрофизических и режимных параметрах ФЧМ типичными являются значения времени накопления T^про_нак^т 30 мкс, что очень мало по сравнению со временем кадра T_к (обычно T_к 40 мс). Это приводит к тому, что величина отношения сигнал/шум у ФЧМ мала по сравнению с оптимальным значением, получаемым при T_нак T_к. Требуемый в силу указанных обстоятельств буферный накопитель при формате ФЧМ N_m 200 х 200 должен иметь быстродействие N_м/T^ghj_накⁿ 1,310⁹ Гц, что чрезмерно велико для современной элементной базы, а быстродействие устройств опроса при построчном считывании информации , что также является весьма серьезным требованием.

Техническим результатом изобретения являются увеличение отношения сигнал/шум и упрощение требований к устройствам обработки выходного сигнала и опроса.

Указанная цель достигается тем, что известная фоточувствительная матрица, включающая ячейки разложения изображения, каждая из которых содержит устройство преобразования-ввода сигнала, накопитель и элемент выборки, дополнительно содержит в каждой ячейке управляемый ключ, размещенный между устройством преобразования-ввода сигнала и накопителем, а последний выполнен в виде терморезистора.

Кроме того, каждая ячейка разложения может дополнительно содержать управляемый ключ-ответвитель, соединенный с выходом устройства преобразователя-ввода сигнала.

Для получения оптимального результата накопитель должен быть выполнен с тепловой постоянной времени, соответствующей времени кадра.

Такое выполнение фоточувствительной матрицы позволяет повысить отношение сигнал/шум и упростить требования к устройствам обработки выходного сигнала и опроса.

Введение дополнительного ключа между устройством преобразования-ввода и накопителем, а также выполнение накопителя в виде терморезистора позволяют эффективно накапливать воздействие входного сигнала в течение увеличенного интервала времени. Увеличение времени накопления (в принципе до значений T_нак T_к) повышает отношение сигнал/шум и снижает требования к быстродействию устройств обработки выходного сигнала до значений N_м/T_к 1 МГц а опроса до .

Введение дополнительного ключа-ответвителя позволяет стабилизировать рабочую точку устройства преобразователя-ввода сигнала при переключениях в ячейке и практически исключить таким образом переходные процессы в указанном устройстве.

Предельные возможности улучшения отношения сигнал/шум при использовании изобретения по сравнению с прототипом определим из того условия, что в режиме ограничения фоном (РОФ, или BLIP-режиме) шумы прототипа определяются максимальным фоновым зарядом, накопленным в емкости накопителя за время T^ghj_накⁿ, и, выраженные в числе носителей заряда, равны (I_фонT^ghj_накⁿ/q)^1/2. Величина полезного сигнала накопителя в тех же единицах измерения равна I_cT^ghj_накⁿ/q. Здесь I_фон I_фон.удА_фчэsin²_э фоновый ток устройства преобразования-ввода сигнала, в нашем случае он равен фоновому току фотодиода, I_фон.уд его удельное значение, A_фчэ площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), 2_э эффективный плоский угол поля зрения ФЧЭ, I_c сигнальный ток ФЧЭ, q заряд электрона.

Таким образом, для прототипа отношение сигнал/шум в РОФ



В то же время, при протекании фототока I_фон+I_c через терморезистор с тепловым коэффициентом сопротивления баланс тепловой мощности определяется выражением



где T_окр.ср температура окружающей среды;

A_тер площадь поверхности терморезистора, воспринимающей и излучающей тепло;

R_тер = R_o(1 + T_тер) сопротивление терморезистора при воздействии тока I_фон+I_с;

T_o приращение температуры терморезисторов над уровнем T_окр.ср при воздействии тока I_фон в установившемся режиме;

T_тер дополнительное приращение температуры терморезистора за счет тока I_c;

R_o сопротивление терморезистора при воздействии тока I_фон в установившемся режиме;

R_тер тепловое сопротивление терморезистора относительно элементов конструкции ФЧМ;

с_т теплоемкость терморезистора;

постоянная Стефана-Больцмана;

t время.

Левая часть (2) отражает приток тепловой энергии из окружающей среды и за счет джоулева тепла, выделяемого в терморезисторе, в правой части учтены потери тепла терморезистором за счет тепловых утечек на элементы конструкции, теплоотдачи в окружающую среду, а также приращение температуры терморезистора.

При выполнении условий



выражение (2) приводится к виду



Введя следующие выражения для эквивалентных тепловых проводимости G_тэ (Вт/К), сопротивления R_тэ (К/Вт) и постоянной времени



получим из (3)



Отсюда установившеея значение T_тер



Из (5) следует также, что частотная характеристика приращения температуры описывается выражением



Тогда спектральная плотность мощности шумовой температуры:



где I²_m(f) спектральная плотность шума тока терморезистора.

При I²_m(f) 2qI_оф, интегрируя (8), получим, что дисперсия температуры терморезистора

²_т = (2/_тэ)qI³_фонR²_oR²_тэ ; (9)

в соответствии с температурной зависимостью сопротивления терморезистора дисперсия и среднеквадратичное отклонение этого параметра



При длительном (в течение интервала времени t_c > 2_тэ) протекании через терморезистор добавочного к фоновому току I_фон тока I_c соответствующее приращение сопротивления с учетом (6)

R_тер(t_с) 2I_oR²_терR_тэI_с,

а отношение сигнал/шума в РОФ



Сравнивая (11) и (1), находим, что при использовании терморезистора в качестве накопителя можно получить выигрыш в отношении сигнал/шум по сравнению с прототипом в



раз, где могут быть реализованы значения _тэ T_к T^про_нак^т [3]. При _тэ 10...20 мс получим N_отн 26...36.

Как указывалось выше, такие значения тэ позволяют использовать типичные для современных приборов частоты опроса и обработки выходного сигнала < 1 МГц.

Очевидно, что и при _тэ < T_к предлагаемое изобретение дает выигрыш (но меньший) в отношении сигнал/шум (12) и требованиях к быстродействию устройств опроса и обработки выходного сигнала. При этом для увеличения выигрыша в отношении сигнал/шум возможно введение традиционного внешнего буфера-накопителя.

В качестве примера реализации принципа предлагаемого изобретения может быть приведена схема, изображенная на чертеже.

Ячейка 1 разложения изображения содержит устройство 2 преобразования-ввода сигнала (например, в виде фотодиода из материала КРТ и входного МДП-транзистора), накопитель 3 в виде терморезистора, элемент выборки 4 и ключ 5 в виде МДП-транзисторов. Кроме того, на чертеже указаны сканер строк 6, преобразователи 7, управляемые коммутаторы 8, выход ФЧМ 9, сканер столбцов 10, а также дополнительный ключ-ответвитель 11, введенный для одной из ячеек.

Опрос ячеек 1 производится построчно с помощью сканера 6, управляющего элементами выборки 4 и ключами 5, в результате чего сигналы, снимаемые с накопителей 3 данной строки, поступают на входы преобразователей 7 и затем поочередно коммутируются коммутаторами 8 на выход 9 ФЧМ посредством сканера 10. При этом элементы 4 и 5 при работе ФЧМ действуют "противофазно": практически все время кадра T_к ключ 5 замкнут, а элемент выборки 4 разомкнут; на время опроса T_опр T_к(N_м)^1/2 импульс напряжения с выхода сканера строк 8 меняет состояния указанных элементов на противоположные. Таким образом, изменение сопротивления, накапливавшееся в течение времени T_{к u} в накопителе 3 за счет приращения тока устройства 2, преобразуется в выходной сигнал.

Размыкание ключа 5 на время опроса T_опр исключает влияние дробового шума фонового тока в широкой полосе частот, соответствующей короткому интервалу времени T_опр. При этом используется эквивалентная шумовая полоса частот терморезистора 1/_тэ как в (10). Если же ключ 5 на время T_опр оставался замкнутым (или вообще отсутствовал), то на входе преобразователя 9 действовала дополнительная шумовая компонента дробового шума фонового тока с эквивалентной шумовой полосой 1/T_опр.

С целью дополнительной стабилизации режима работы устройства 2 преобразования-ввода сигнала каждая ячейка 1 может дополнительно содержать управляемый ключ-ответвитель 11 (например, в виде МДП-транзистора), соединенный с выходом устройства 2. При этом управление ответвителем 11 может осуществляться тем же импульсом сканера 6, что и управление ключом 5 и элементом выборки 4, причем состояние ответвителя 11 в любой момент времени работы ФЧМ совпадает с состоянием элемента выборки 4. Действие ответвителя 11 заключается в том, что на время опроса он замыкает ток устройства 2 на общую шину, сохраняя прежней рабочую точку и практически исключая какие-либо переходные процессы в устройстве 2. По окончании времени опроса и размыкания ответвителя 11 одновременно с замыканием ключа 5 ток устройства 2 вновь перенаправляется в накопитель 3.

Покажем далее возможность практической реализации поставленной цели на примере схемы, приведенной на чертеже, и указанной элементной базы.

При опросе ячейки ток терморезистора 3 равен току элемента выборки 4 и может быть выражен [4] в виде



где подвижность носителей в канале элемента выборки 4;

G_ох.уд удельная емкость затвора элемента 4;

W/L отношение ширины канала к его длине в элементе 4;

U_зи разность потенциалов между затвором и истоком указанного элемента, за вычетом порогового напряжения;

U_з потенциал на затворе элемента 4, за вычетом порогового напряжения,

b = C_ох.уд(W/L).

Приращение I(R_тер) тока I при изменении сопротивления R_тер на величину R_тер



где в последнем выражении опущен член второго порядка малости.

Отсюда и из (13) несложно получить



Поскольку крутизна МДП транзистора

g = I/U_зи = U_зи,

то соответствующее приведенное к затвору элемента выборки 4 напряжение относительно истока равно



С учетом влияния собственной ЭДС шума e_шв элемента выборки 5, ЭДС шума e_шп преобразователя 7, полагая терморезистор генератором напряжения теплового шума спектральной плотности 4kTR_o, а эквивалентную шумовую полосу тракта обработки сигнала за элементом выборки 4 равной f_шэ, получим приведенное к затвору элемента 4 значение дисперсии шумового напряжения от указанных источников



где K(f) частотная характеристика тракта, Свх емкость на входе преобразователя 7.

Полагая K(f) соответствующей 2-звенному RC-фильтру с одинаковыми постоянными времени в каждом звене, получим



Поскольку переходная характеристика указанного фильтра f(t) = 1-(1+t/)exp(-t/) определяет время нарастания отклика до уровня 0,9 от установившегося значения как t_фр 4, то примем T_опр/4 T_к/(4N¹_м^/2) 50 мкс. Примем также T 80K, R_o 1 МОм, e_шв e_шп= 30 нВ/Гц^1/2, 1,710³ см²B^-1c^-1, W/L 0,3, С_ох.уд.= 410^-8 Ф/см², U_зи=1 B. Емкость С_вх определяется, в основном, столбцовой шиной и может быть принята равной 10^-11 Ф (длина шины 10 мм при шаге ячеек 50 мкм, ширина - 10 мкм, толщина диэлектрика SiO₂ 0,4 мкм). Тогда g 210^-5 A/B, U²_зиш=2,210^-12B².

В то же время, вблизи температуры T 80 K у полупроводниковых терморезисторов можно ожидать значений 0,46 1/K [5] Для А_фчэ 2,510^-5 см², _э= 30 в диапазоне спектра 8-12 мкм ток I_фон 610^-7 A [6] При достигнутых значениях R_тэ 10⁷ К/Вт и _тэ 10...20 мс из (15) и (10) имеем U²_зи(R_тер) 3,310^-11 B².

Сравнивая последний результат с полученным выше значением U²_зиш, видим, что шумы, определяемые потоком падающего излучения, больше шумов электронного тракта, т.е. реализуется РОФ.

Таким образом, введение ключа 5 и использование терморезистора в качестве накопителя 3 позволяет повысить отношение сигнал/шум и радикально облегчить требования к устройствам опроса и обработки сигнала.

Очевидно, что область применения предлагаемого изобретения может быть распространена и на те случаи, когда ФЧМ должна работать не в вещательном, а в малокадровом режиме с использованием, например, устройства преобразования-ввода, чувствительного в более коротковолновой области спектра. При этом желательно увеличение _тэ. Если же последнее не удается в силу технологических причин, то предлагаемое изобретение по крайней мере облегчает требования к устройству обработки выходного сигнала и допускает включение в его состав традиционного буфера-накопителя.