способ селективного внутриотвального обогащения пород

Формула изобретения

1. Способ селективного внутриотвального обогащения пород, включающий формирование дренажного, барьерного обогащаемого и выщелачиваемого слоев и обработку выщелачивающими растворами, отличающийся тем, что обогащаемый слой формируют на основе пирита.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в случае миграции мышьяка обогащаемый слой формируют на основе электроположительного пирита.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в случае миграции кобальта обогащаемый слой формируют на основе электроотрицательного пирита.

Описание изобретения к патенту

Предлагаемое изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано при внутриотвальном обогащении пород.

Известен способ складирования горных пород [1] включающий формирование антифильтрационного, обогащаемого и выщелачиваемого слоев, растворение и охлаждение металлов за счет испарения растворов.

Недостатком данного метода является его низкая эффективность и невозможность селективного внутреннего обогащения.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ складирования пород [2] включающий формирование дренажного, антифильтрационного, выщелачиваемого и обогащаемого слоев, и обеспечение внутриотвального обогащения некондиционных руд.

Недостатком данного способа является недостаток, указанный выше.

Целью предлагаемого изобретения является повышение эффективности процесса внутриотвального обогащения за счет селективного осаждения металлов на пиритах с различным знаком электродного потенциала.

Поставленная цель достигается тем, что при осуществлении предложенного способа, включающего формирование дренажного, обогащаемого и выщелачиваемого слоев и обработку технологическими растворами, выщелачиваемый слой формируют из многокомпонентных металлосодержащих пород, а обогащаемый слой формируют в зависимости от преобладания мигрирующих соединений (As, Co) из электроположительного или электроотрицательных пиритов.

При обработке выщелачиваемого слоя растворами активных агентов происходит растворение большой группы металлов, миграция металлоносных растворов и обогащение барьерного слоя, где происходит селективное осаждение металлов.

Причем электроположительные пириты обогащаются As, а электроотрицательные Co (см. например, Нюссик Я. М. Комов И. Л. Электрохимия в геологии. Л. Наука, 1981). Этот факт объясняется преимущественной миграцией мышьяка в отвальных водах в виде анионов, а кобальта в форме положительно заряженного иона. Причем необходимо отметить, что указанные процессы, известные из геохимии и природных процессов выветривания, ранее не применялись в технике и технологии.

На чертеже представлен вариант схемы формирования отвала по предложенному способу.

Отвал включает дренажный 1, барьерный 2 и 3, выщелачиваемый 4 слои, источник 5.

Способ осуществляется следующим образом.

Первоначально формируют дренажный слой 1, затем обогащаемые слои 2 и 3. Затем формируют выщелачиваемый слой 4 из многокомпонентных металлосодержащих пород. Причем слой 2 формируют из электроотрицательных пиритов, а слой 3 - электроположительных.

При обработке отвала из источника 5 растворами активных агентов происходит растворение металлов (As, Co) из слоя 4, миграция металлоносных растворов вниз, где в слоях 2 и 3 происходит их последовательное, в определенном порядке, осаждение.

Примером конкретного выполнения предложенного способа служит складирование металлосодержащих пород, содержащих (As, Co).

Первоначально подготавливается площадка под отвал. Затем металлосодержащие породы, вынимаемые селективно, складируются в отвал. Отвал формируется следующим образом: формируют дренажное основание 1, из щебня, мощностью 1 м. Затем формируют барьерный слой 2 на основе электроотрицательного пирита, и слой 3 из электроположительно пирита, мощностью 2 5 м каждый. Последним формируют выщелачиваемый слой 4 из металлосодержащих пород, содержащих мышьяк или кобальт, мощностью 12 20 м. При обработке слоя 4 из источника 5 растворами, например, щелочей, происходит выщелачивание металлов, их миграция вниз, где в слоях 2 и 3 происходит их последовательное осаждение: мышьяка на электроположительном, а кобальта на электроотрицательном пирите.

В результате в барьерных слоях 2 и 3 содержание металлов достигнет промышленных содержаний, а их селективное осаждение обуславливает эффективность последующей его селективной отработки и переработки.

Положительный эффект предложенного технического решения заключается в повышении эффективности процесса внутриотвального обогащения путем селективного осаждения металлов.

Предлагаемое изобретение может быть использовано при внутриотвальном обогащении пород.