микрополосковый излучатель с двойной круговой полимеризацией
| Классы МПК: | H01Q1/38 образованных электропроводящим слоем на диэлектрической подложке |
| Автор(ы): | Капицын А.П., Грицаев А.В., Майоров С.В., Худыш А.И., Милованов С.Л., Польдяев Г.И., Привезенцев Н.Н., Антошкин В.И. |
| Патентообладатель(и): | Акционерное общество закрытого типа "Русант" |
| Приоритеты: |
подача заявки:
1994-06-09 публикация патента:
10.03.1997 |
1. Микрополосковый излучатель с двойной круговой поляризацией, содержащий диэлектрическую плату с размещенным на ней возбуждающим элементом, включающим два ортогональных зонда, расположенную между проводящей пластиной с излучающим отверстием и экранирующей пластиной с углублением, являющимся резонатором, при этом возбуждающий элемент расположен под излучающим отверстием проводящей пластины, отличающийся тем, что в возбуждающий элемент введены шлейф и проводящая полоска, причем шлейф расположен по биссектрисе к ортогональным зондам и гальванически соединен с ними, а проводящая полоска расположена перпендикулярно к шлейфу на расстоянии не более 0,2 длины волны от точки пересечения осей ортогональных зондов. 2. Излучатель по п. 1, отличающийся тем, что длина шлейфа 0,35 - 0,45 длины волны, а длина проводящей полоски 0,2 - 0,35 длины волны.
Описание изобретения к патенту
Класс H01Q1/38 образованных электропроводящим слоем на диэлектрической подложке
