способ обработки цинкооксидных люминофоров

Классы МПК:C09K11/00 Люминесцентные, например электролюминесцентные, хемилюминесцентные материалы
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Саратовский государственный технический университет
Приоритеты:
подача заявки:
1993-04-12
публикация патента:

Использование: в области обработки электронных материалов. Сущность: способ обработки цинкоксидных люминофоров в вакууме путем обработки люминофоров в постоянном электрическом поле напряженностью 50-65 В/см. В результате обработки светоотдача люминофора увеличилась в 1,53 раз. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

Способ обработки цинкооксидных люминофоров в вакууме, отличающийся тем, что обработку люминофора осуществляют в постоянном электрическом поле напряженностью 50 65 В/см.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области обработки электронных материалов, в частности люминофоров.

Известен способ обработки люминофоров [1] который включает приготовление чистых исходных материалов, их дозирование, добавление активатора, процесс активации путем прокалки, измельчение люминофора и подготовка его к нанесению. Весьма важен для формирования световых качеств люминофора один из заключительных этапов процесс прокалки, производящийся обычно в инертной или обедненной кислородом среде (температура прокалки обычно 800 1300oC, длительность от 10 мин до 1 ч).

При этом происходит либо термическая диффузия встраивание атомов активатора в кристалл основания либо перекристаллизация. Вместе с тем многоэтапная требующая создания особых "чистых" условий традиционная технология не обеспечивает существенного уровня светоотдачи, соответствующего мировым стандартам.

Известен способ обработки люминофора [2] с помощью воздействия электромагнитного излучения мощностью 1 10 Вт/см2 в вакууме 1-10 торр и нагреве в тлеющем разряде или до температуры 150-250oC.

Недостатком этого способа является необходимость применения электромагнитного излучения, требующего дорогостоящего оборудования.

В предлагаемом способе обработки люминофоров в отличие от прототипа обработку осуществляют в постоянном электрическом поле напряженностью 50-65 В/см.

Сущность изобретения заключается в том, что люминофор подвергается воздействию постоянного электрического поля напряженностью 50-65 В/см.

В результате обработки по предлагаемому способу светоотдача люминесцентных покрытий индикаторов на основе обработанных люминофоров повышается в 1,5 раза.

Указанные выше значения напряженности поля обусловлены тем, что при напряженностях меньше 50 В/см и давлении меньше 1 мм рт.ст. эффект обработки отсутствует, а при давлениях более 5 мм рт.ст. и напряженности больше 65 В/см происходит потеря потребительских качеств люминофора (ухудшение светоотдачи).

В исследованиях использовался промышленный цинкооксидный люминофор КС-505-23.

Обработка люминофоров проводилась на установке при следующих значениях напряженности электрического поля 50 В/см, 60 В/см и 65 В/см. Плоские электроды катод и анод были расположены в камере на расстоянии 7 см друг от друга под вакуумно-плотным колпаком. Камера заполнялась водородом, давление в камере обеспечивалось в пределах 2-3 мм рт.ст. Над системой плоских электродов располагался инжектор (сито-контейнер с магнитным вибратором), осуществлявший медленное просыпание порошка люминофора в пространство между плоскими электродами, где зажигался плазменный разряд.

На чертеже показана установка для обработки люминофора, где

1 вакуумно-плотный колпак с окнами наблюдения, 2 сито-контейнер с магнитным вибратором (Uспособ обработки цинкооксидных люминофоров, патент № 2073059=1,5 B, f=50 Гц), 3 система электродов (Uo=350-450 B), 4 приемный бункер, 5 шланги для откачки воздуха и наполнения камеры водородом.

Обработанный люминофор наносился на платы индикатора методом катафореза. Измерение яркости осуществлялось в соответствии с п.2.3 ГОСТ 25024.4-85. Вычислялись приведенная яркость и светоотдача. Сравнивались светотехнические характеристики обработанного и необработанного люминофоров.

В результате обработки светоотдача люминофора в указанных экспериментах увеличилась соответственно напряженностям в 1,5; 1,53; 1,48 раза.

Класс C09K11/00 Люминесцентные, например электролюминесцентные, хемилюминесцентные материалы

cd2o2s материал для использования в компьютерной томографии -  патент 2528671 (20.09.2014)
применение бис(2,4,7,8,9-пентаметилдипирролилметен-3-ил)метана дигидробромида в качестве флуоресцентного сенсора на катион цинка(ii) -  патент 2527461 (27.08.2014)
конвертер вакуумного ультрафиолетового излучения в излучение видимого диапазона в виде аморфной пленки оксида кремния siox на кремниевой подложке -  патент 2526344 (20.08.2014)
люминофор белого свечения на основе двойного ванадата цезия цинка -  патент 2526078 (20.08.2014)
новые разветвленные олигоарилсиланы и способ их получения -  патент 2524960 (10.08.2014)
осветительное устройство на белых светодиодах -  патент 2524690 (10.08.2014)
люминесцентное покрытие для увеличения эффективности преобразования энергии падающего света и способ его получения -  патент 2524234 (27.07.2014)
осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током -  патент 2522461 (10.07.2014)
способ обработки цинкооксидных люминофоров -  патент 2520892 (27.06.2014)
осветительное устройство -  патент 2519242 (10.06.2014)
Наверх