способ измерения деформации периодически модулированной поверхности кристаллической структуры

Формула изобретения

Способ измерения деформации периодически модулированной поверхности кристаллической структуры, включающий измерение угловой зависимости интенсивности дифрагированной волны рентгеновским дифрактометром и определение деформации по интенсивности сателлитных пиков, отличающийся тем, что измерение проводят на двухкристальном дифрактометре, у которого



где R расстояние от источника до образца;

f размер фокуса источника;

a период структуры;

точный Брэгговский угол;

- длина волны излучения.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к области исследования поверхности твердых тел, в частности изучения искажений кристаллической структуры поверхностных слоев твердых тел.

Известен способ измерения деформации кристаллической структуры поверхностного слоя твердых тел, включающий определение углового распределения интенсивности рентгеновской волны, дифрагированной исследуемым кристаллом, помещенным в точное брэгговское положение или отклоненным от него на фиксированный угол [1]

Недостатком данного способа является невысокая чувствительность к величине относительного изменения параметра решетки кристалла.

Известен принимаемый нами за прототип [2] способ измерения деформации кристаллической структуры поверхностного слоя твердых тел, включающий определение угловой зависимости дифрагированной волны многокристальным рентгеновским дифрактометром и определение деформации по интенсивности сателлитных пиков.

Недостатком данного способа является сложность подготовки и юстировки многокристального рентгеновского дифрактометра, в связи с чем измерение угловой зависимости дифрагированной волны превращается в громоздкий и длительный процесс, требующий высокой квалификации оператора, работающего на нем, что в свою очередь влияет на чувствительность метода.

Предлагаемое изобретение позволяет решить задачу упрощения процесса измерений и сокращения времени определения в несколько раз при сохранении высокой чувствительности измерений.

Это достигается тем, что в способе измерения деформации кристаллической структуры поверхностного слоя твердых тел, включающем измерение угловой зависимости дифрагированной волны рентгеновским дифрактометром и определение деформации по интенсивности сателлитных пиков, новым является то, что измерения проводят на двухкристальном дифрактометре с острофокусным источником, причем образец помещают на расстояние от источника, определяемое по формуле

f/R</2asin_в, (1)

где R расстояние от источника до образца,

f размер фокуса источника,

а период структуры,

_в точный брэгговский угол,

- длина волны излучения.

Измерение угловой зависимости дифрагированной волны на двухкристальном дифрактометре с острофокусным источником позволяет значительно упростить процесс подготовки прибора к измерениям и сами измерения. В предлагаемом способе не требуется использование монохроматора, который необходим в способе-прототипе и, таким образом, меньшая зависимость измерений от квалификации работающего. Расстояние от источника до образца определяют по формуле, полученной нами эмпирическим путем.

На рисунке 1 приведена схема эксперимента, на рисунках 2 и 3 приведены экспериментальные спектры, полученные в примерах 1 и 2 соответственно.

Пример 1. В качестве объекта исследований была взята подложка кремния КЭФ-5 ориентации 111 с периодической оксидной маской с толщиной оксида 0,5 мкм. Измерения проводились на двухкристальном гониометре УРТ поочередно с двумя рентгеновскими трубками в качестве источника: БСВ-ЗЗ (f=10 мкм) и БСВ-24 (f= 160 мкм) с медными анодами (длина волны ). Расстояние кристалл источник R=1 м. Регистрация дифрагированной интенсивности велась с помощью детектора БДС-6-05 и радиометра БР-1. На фиг.2 приведены экспериментальные кривые отражения в случае БСВ-25 (а) и БСВ-24 (б). Очевидно, что в случае (а) условие (1) выполнялось и сателлитная структура разрешалась. Компьютерная обработка спектров дала величину градиента деформаций под краем полоски оксида g=200.8 мкм^-1, максимальная деформация d/d = 4,50,210^-4

Пример 2. В качестве объекта исследований была взята подложка кремния КЭФ-5 ориентации 111 с имплантированными через периодическую маску ионами Ne⁺, энергией 300 кэВ, дозой 710¹³ см^-2. Измерения проводились на двухкристальном гониометре ДТС поочередно с двумя рентгеновскими трубками в качестве источника: БСВ-25 (f= 10 мкм) и БСВ-24 (f=160 мкм) с медными анодами (длина волны ). Расстояние кристалл источник R=1 м. Регистрация дифрагированной интенсивности велась с помощью детектора БДС-6-05 и радиометра БР-1. На фиг. 3 приведены экспериментальные кривые отражения в случае БСВ-25 (а) и БСВ-24 (б). Очевидно, что в случае (а) условие (1) выполнялось и сателлитная структура разрешалась. Компьютерная обработка спектров дала величину градиента деформаций под краем маски g=l,70,2 мкм^-1, максимальная деформация d/d = 3,20,1510^-4.