чувствительный элемент газового датчика

Классы МПК:G01N21/45 с помощью методов, основанных на интерференции волн; с помощью шлирного метода
G01N21/17 системы, в которых на падающий свет влияют свойства исследуемого материала
Автор(ы):, , , ,
Патентообладатель(и):Институт общей физики РАН
Приоритеты:
подача заявки:
1993-06-28
публикация патента:

Использование: в газовых датчиках при детектировании и определении концентрации компонентов газовой смеси. Сущность изобретения: чувствительный элемент газового датчика содержит основание с нанесенным на него полимерным покрытием, адсорбирующим газ. В качестве основания использован кремниевый микрорезонатор.

Формула изобретения

Чувствительный элемент газового датчика, содержащий основание с нанесенным на него полимерным покрытием, адсорбирующим газ, отличающийся тем, что в качестве основания использован кремниевый микрорезонатор.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к датчикам, предназначенным для детектирования и определения концентрации компонентов газовой смеси.

Большинство датчиков этого класса содержит чувствительный элемент с химическим реагентом, способным взаимодействовать с детектируемым веществом, в результате его изменяются его характеристики.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство, принцип действия которого основан на измерении поглощения света при прохождении через чувствительный элемент, представляющий из себя фотополимер с химическим реагентом, причем величина поглощения зависит от концентрации газа в окружающей среде.

Недостатками этого датчика являются необходимость предварительной обработки (облучения) полимера, а также влияние флуктуаций интенсивности сигнала источника и приемника света на точность измерения.

Целью изобретения является повышение надежности измерений концентрации компонентов газовой смеси.

Цель достигается тем, что в качестве чувствительного элемента датчика предложено использовать кремниевые колебательные структуры с нанесенным полимерным покрытием, способным взаимодействовать с детектируемым газом.

Резонансные частоты кремниевых колебательных структур зависят как от внешних условий, так и от конфигурации самих резонаторов. Так, изменение массы резонатора (например, мембраны, мостика или структуры другого вида) приводит к изменению резонансной частоты, то есть может детектироваться. Именно на основе этого эффекта может быть создан датчик на некоторые вещества, содержащиеся в газовых смесях (например, С2Сl4, С2Н5ОН, С6Н14, С7Н8, С5Н5Ме и др.) и адсорбируемые в пленку реагента, нанесенную на поверхность колебательной структуры.

Таким образом, чувствительным элементом датчика является кремниевый микрорезонатор, полученный, например, методом анизотропного химического травления в виде мостика с закрепленными концами и размерами 1000х20х2 мкм3. Известно, что у структур такого размера и вида поперечные колебания с характерными частотами порядка десятков и сотен килогерц легко возбуждаются с помощью лазерного излучения мощностью всего 0,01-1 мВт, модулированного с определенной частотой, а в случае совпадения возбуждающей частоты с одной из резонансных частот амплитуда соответствующей моды колебаний резко возрастает.

Точность измерения изменения массы резонатора определяется шириной резонансного пика и, соответственно, добротностью Q колебаний. Добротность определяется величиной затухания колебаний, зависящей от многих факторов, в том числе от условий внешней среды и технологии изготовления. Однако высокие механические качеств кремния как материала для такого типа структур обуславливают высокие получаемые значения добротности (1000-10000).

Минимальный детектируемый прирост массы дается формулой m-m1 2m/Q, (где m масса резонатора, m1 масса резонатора с детектируемым адсорбированным газом), поэтому миниатюрные размеры резонатора и высокие добротности позволяют создавать чувствительные и надежные датчики на различные газы.

П р и м е р. С помощью пленки диметилполисилоксана толщиной около 100 нм, нанесенной на поверхность кремниевого микрорезонатора, выполненного в виде мостика с размерами 1000х20х2 мкм, можно измерять концентрацию С2Cl4 в окружающей среде с минимально детектируемой величиной порядка 10 ррm.

Класс G01N21/45 с помощью методов, основанных на интерференции волн; с помощью шлирного метода

система измерения рефракционного индекса и изменений двупереломления, производимая нелинейным эффектом в оптических материальных микрозонах -  патент 2525698 (20.08.2014)
способ бесконтактного измерения плотности пористого материала с использованием измерения коэффициента преломления материала посредством оптической когерентной томографии -  патент 2515189 (10.05.2014)
устройство для визуализации фазовых неоднородностей -  патент 2498366 (10.11.2013)
способ определения водонепроницаемости цементных материалов -  патент 2487351 (10.07.2013)
способ измерения показателя преломления газовых сред -  патент 2471174 (27.12.2012)
неразрушающий оптический способ оценки зрелости плодов -  патент 2453106 (20.06.2012)
сенсорное устройство на основе планарных и цилиндрических полых световодов с интегрированной интерферометрической системой -  патент 2432568 (27.10.2011)
способ исследования агрегационной способности частиц коллоидной системы -  патент 2405133 (27.11.2010)
способ визуализации динамических процессов в жидкостях и газах -  патент 2387976 (27.04.2010)
способ оптической томографии светочувствительных материалов -  патент 2377539 (27.12.2009)

Класс G01N21/17 системы, в которых на падающий свет влияют свойства исследуемого материала

способ определения мольной доли li2o в монокристаллах linbo3 -  патент 2529668 (27.09.2014)
устройство для анализа биологической жидкости -  патент 2500999 (10.12.2013)
способ определения количества присадки "меркаптобензотиазол" в маслах для авиационной техники -  патент 2489716 (10.08.2013)
микроэлектронное сенсорное устройство сенсора для детектирования целевых частиц -  патент 2489704 (10.08.2013)
устройство обработки изображений, способ обработки изображений, устройство захвата томограммы, программа и носитель для записи программы -  патент 2481056 (10.05.2013)
способ определения давности выполнения рукописных текстов и других материалов письма -  патент 2480736 (27.04.2013)
устройство для исследования распространения поверхностных электромагнитных волн (пэв) и средство для исследования влияния тонких пленок и микрообъектов на их распространение -  патент 2480735 (27.04.2013)
комбинированная система фотоакустического и ультразвукового формирования изображений -  патент 2480147 (27.04.2013)
фотоакустическое измерительное устройство -  патент 2475181 (20.02.2013)
количественный анализ тиомочевины и флуоресцеина натрия при их совместном присутствии в пластовых водах -  патент 2473885 (27.01.2013)
Наверх