способ изготовления монодоменного ферроэлектрического кристалла
Классы МПК: | C30B33/04 с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц |
Автор(ы): | Мусихин Л.А., Осинцев В.В., Черняк Р.В. |
Патентообладатель(и): | Научно-исследовательский технологический институт материалов радиоэлектроники |
Приоритеты: |
подача заявки:
1992-12-09 публикация патента:
20.10.1995 |
Использование: в промышленном производстве монокристаллов путем электротермической обработки. Сущность изобретения: на монокристалле изготавливают базовый срез, параллельный образующей цилиндрической поверхности кристалла. Затем кристалл помещают в печь горизонтально, базовым срезом вверх, между платиновыми электродами определенной формы и размеров. Заполняют промежутки между кристаллом и электродами порошком ниобатлития. Далее проводят электротермическую обработку монокристалла. Горизонтальное расположение кристалла и форма электродов препятствуют высыпанию порошка ниобата лития и обеспечивают лучший электрический контакт при подаче поляризующего напряжения без использования дополнительных приспособлений. 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОДОМЕННОГО ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА, включающий электротермическую обработку его через платиновые электроды и порошок ниобата лития, отличающийся тем, что на монокристалле изготовляют базовый срез, параллельный образующей цилиндрической поверхности кристалла, и помещают кристалл между плоским и цилиндрическим электродами базовым срезом вверх.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к промышленному производству монокристаллов, а именно к электротермической обработке, и может быть использовано при промышленной поляризации ферроэлектрических кристаллов. Известен способ поляризации ферроэлектрических кристаллов, сущность которого заключается в том, что для электродов применяют вещество с более высокой точкой плавления, чем для поляризуемого кристалла, а также с достаточной электрической проводимостью при температуре поляризации [1]Известен способ поляризации ферроэлектрических кристаллов, сущность которого заключается в том, что при поляризации кристаллов наложением электродов на рабочую поверхность кристалла производят дополнительную шлифовку плоскостей. Между электродами и кристаллом наносят мелко растертый ниобат лития для улучшения электрического контакта [2]
Наиболее близким к изобретению является способ поляризации монокристалла тантала лития, помещенного между двумя платиновыми электродами, которые имеют форму цилиндрических сегментов. Промежутки между кристаллом и электродами заполняют порошком ниобата лития. Далее кристалл подвергают электротермической обработке [3]
Недостаток этих способов необходимость использования дополнительной сложной и громоздкой оснастки, т.е. низкая технологичность. Цель изобретения упрощение используемой оснастки при поляризации и повышение технологичности изготовления монодоменного ферроэлектрического кристалла. На чертеже представлено размещение монокристалла и электродов в печи. Поставленная цель достигается следующим способом. На кристалле 1 изготавливают базовый срез, параллельный образующей цилиндрической поверхности кристалла. Угол между нормалью к базовому срезу и оптической осью кристалла не должен превышать 40
о. Затем кристалл помещают в печь горизонтально, базовым срезом вверх, между платиновыми электродами 2 и 3. Промежутки между кристаллом и электродами заполняют порошком ниобата лития 4. Толщина каждого слоя порошка 0,5-1 мм, размер частиц порошка не более 0,1 мм. Верхний электрод 2 представляет собой пластину, а нижний 3 цилиндрический сегмент. Горизонтальное расположение кристалла и форма электродов препятствуют высыпанию порошка ниобата лития и обеспечивают лучший электрический контакт при подаче поляризующего напряжения без использования дополнительных приспособлений. Размеры электродов и базового среза определяются следующими формулами:
l L; bв R; bн 0,85D; r=0,85R, где: l длина электродов и базового среза; L длина кристалла; bв ширина верхнего электрода и базового среза; R радиус кристалла; bн ширина нижнего электрода; D диаметр кристалла; r радиус кривизны нижнего электрода. Далее кристалл нагревают до температуры Кюри со скоростью 100-120оС/ч. После окончания нагрева на кристалл подают поляризующее напряжение U=10 В/мм D, где U поляризующее напряжение. Одновременно с этим кристалл охлаждают со скоростью естественного остывания печи.
Класс C30B33/04 с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц