способ изготовления монодоменного ферроэлектрического кристалла

Классы МПК:C30B33/04 с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц
Автор(ы):, ,
Патентообладатель(и):Научно-исследовательский технологический институт материалов радиоэлектроники
Приоритеты:
подача заявки:
1992-12-09
публикация патента:

Использование: в промышленном производстве монокристаллов путем электротермической обработки. Сущность изобретения: на монокристалле изготавливают базовый срез, параллельный образующей цилиндрической поверхности кристалла. Затем кристалл помещают в печь горизонтально, базовым срезом вверх, между платиновыми электродами определенной формы и размеров. Заполняют промежутки между кристаллом и электродами порошком ниобатлития. Далее проводят электротермическую обработку монокристалла. Горизонтальное расположение кристалла и форма электродов препятствуют высыпанию порошка ниобата лития и обеспечивают лучший электрический контакт при подаче поляризующего напряжения без использования дополнительных приспособлений. 1 ил.
Рисунок 1

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОДОМЕННОГО ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА, включающий электротермическую обработку его через платиновые электроды и порошок ниобата лития, отличающийся тем, что на монокристалле изготовляют базовый срез, параллельный образующей цилиндрической поверхности кристалла, и помещают кристалл между плоским и цилиндрическим электродами базовым срезом вверх.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к промышленному производству монокристаллов, а именно к электротермической обработке, и может быть использовано при промышленной поляризации ферроэлектрических кристаллов.

Известен способ поляризации ферроэлектрических кристаллов, сущность которого заключается в том, что для электродов применяют вещество с более высокой точкой плавления, чем для поляризуемого кристалла, а также с достаточной электрической проводимостью при температуре поляризации [1]

Известен способ поляризации ферроэлектрических кристаллов, сущность которого заключается в том, что при поляризации кристаллов наложением электродов на рабочую поверхность кристалла производят дополнительную шлифовку плоскостей. Между электродами и кристаллом наносят мелко растертый ниобат лития для улучшения электрического контакта [2]

Наиболее близким к изобретению является способ поляризации монокристалла тантала лития, помещенного между двумя платиновыми электродами, которые имеют форму цилиндрических сегментов. Промежутки между кристаллом и электродами заполняют порошком ниобата лития. Далее кристалл подвергают электротермической обработке [3]

Недостаток этих способов необходимость использования дополнительной сложной и громоздкой оснастки, т.е. низкая технологичность.

Цель изобретения упрощение используемой оснастки при поляризации и повышение технологичности изготовления монодоменного ферроэлектрического кристалла.

На чертеже представлено размещение монокристалла и электродов в печи.

Поставленная цель достигается следующим способом.

На кристалле 1 изготавливают базовый срез, параллельный образующей цилиндрической поверхности кристалла. Угол между нормалью к базовому срезу и оптической осью кристалла не должен превышать 40

о. Затем кристалл помещают в печь горизонтально, базовым срезом вверх, между платиновыми электродами 2 и 3. Промежутки между кристаллом и электродами заполняют порошком ниобата лития 4. Толщина каждого слоя порошка 0,5-1 мм, размер частиц порошка не более 0,1 мм. Верхний электрод 2 представляет собой пластину, а нижний 3 цилиндрический сегмент. Горизонтальное расположение кристалла и форма электродов препятствуют высыпанию порошка ниобата лития и обеспечивают лучший электрический контакт при подаче поляризующего напряжения без использования дополнительных приспособлений.

Размеры электродов и базового среза определяются следующими формулами:

l способ изготовления монодоменного ферроэлектрического   кристалла, патент № 2046163 L; bв способ изготовления монодоменного ферроэлектрического   кристалла, патент № 2046163 R; bн способ изготовления монодоменного ферроэлектрического   кристалла, патент № 2046163 0,85D; r=0,85R, где: l длина электродов и базового среза; L длина кристалла; bв ширина верхнего электрода и базового среза; R радиус кристалла; bн ширина нижнего электрода; D диаметр кристалла; r радиус кривизны нижнего электрода.

Далее кристалл нагревают до температуры Кюри со скоростью 100-120оС/ч. После окончания нагрева на кристалл подают поляризующее напряжение U=10 В/мм способ изготовления монодоменного ферроэлектрического   кристалла, патент № 2046163 D, где U поляризующее напряжение. Одновременно с этим кристалл охлаждают со скоростью естественного остывания печи.

Класс C30B33/04 с использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц

способ формирования высококачественных моп структур с поликремниевым затвором -  патент 2524941 (10.08.2014)
способ изготовления фантазийно окрашенного оранжевого монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт -  патент 2497981 (10.11.2013)
способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов -  патент 2492283 (10.09.2013)
способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой -  патент 2485222 (20.06.2013)
способ термической обработки алмазов -  патент 2471542 (10.01.2013)
способ создания оптически проницаемого изображения внутри алмаза, устройство для его осуществления (варианты) и устройство для детектирования указанного изображения -  патент 2465377 (27.10.2012)
способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами -  патент 2448900 (27.04.2012)
способ очистки крупных кристаллов природных алмазов -  патент 2447203 (10.04.2012)
способ получения алмазов фантазийного желтого и черного цвета -  патент 2434977 (27.11.2011)
способ облучения минералов -  патент 2431003 (10.10.2011)
Наверх