плазменное устройство
Классы МПК: | H05H1/00 Получение плазмы; управление плазмой |
Патентообладатель(и): | Токарев Владимир Омарович |
Приоритеты: |
подача заявки:
1992-11-12 публикация патента:
27.09.1995 |
Использование: в машиностроении, в частности в плазменных устройствах для изготовления деталей, нанесения покрытий. Сущность изобретения: устройство содержит электронно-лучевую пушку 15, мишень 20 из плазмообразующего материала, диффузор 1, соединенный малым торцовым основанием с конфузором 3, и цилиндрическую камеру 4 с отверстиями 5 и 6. На цилиндрической камере 4 закреплена камера 11 с отверстиями 12 для дополнительной откачки внутреннего объема. Соосно электронно-лучевой пушке внутри устройства расположен усеченный патрубок 8, вершина которого пространственно совмещена с торцовым сечением диффузора. Через патрубок 8 электронной луч 19, который вращается во внутреннем отверстии патрубка, попадает на мишень 20 и испаряющееся вещество мишени в виде плазменного образования, вращающегося относительно электронного луча, попадает внутрь конфузора. Плазма внутри последнего оседает на его стенках, при этом в зависимости от времени работы пушки 15 образуется покрытие требуемой тощины. 2 ил.
Рисунок 1, Рисунок 2
Формула изобретения
ПЛАЗМЕННОЕ УСТРОЙСТВО, содержащее источник плазмы, диффузор и цилиндрическую камеру, отличающееся тем, что источник плазмы включает электронно-лучевую пушку и мишень из плазмообразующего материала, установленную перпендикулярно излучению электронно-лучевой пушки, при этом между пушкой и мишенью размещены цилиндрическая камера, соединенная с диффузором, и насадка в виде конфузора, причем диффузор и конфузор соединены между собой малыми основаниями, а на торцевой стенке цилиндрической камеры закреплен патрубок для ввода электронного пучка из электронно-лучевой трубки в диффузор, при этом патрубок выполнен в виде усеченного конуса, вершина которого пространственно совмещена с торцевым сечением диффузора, причем в стенке цилиндрической камеры выполнены два сквозных отверстия.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к физике плазмы и может быть использовано в различных плазменных устройствах для накопления и удержания плазмы. Известен способ и устройство для обработки, в частности нанесения покрытий на подложки, с помощью плазменного разряда [1] Согласно этому способу плазменный разряд формируется с помощью электрода. С одной стороны подложки устанавливается магнитная система для формирования магнитной ловушки, осуществляющей "шнурование" плазмы, которая удерживается над покрываемой поверхностью. Недостатком этого устройства является слишком сложное техническое воплощение в реальную конструкцию. Наиболее близкими к изобретению являются способ и устройство нанесения тонких слоев покрытия на подложку [2] Для нанесения тонких слоев покрытия используется источник плазмы, содержащий электроды, помещенные в специальную камеру с относительно высоким давлением. Эти камеры соединены диффузором, пропускающим ионы напыляемого вещества. Недостатком данного устройства является высокая себестоимость выпускаемой продукции и практическая невозможность изготовления деталей из продуктов испаряемого материала. Недостатком устройства-прототипа является сложная кинематика получения низкотемпературной плазмы, а также неспособность устройства группировать компоненты плазмы и удерживать плазму делительное время с требуемыми геометрическими параметрами. Задачей изобретения является создание плазменного устройства, способного управлять низкотемпературной плазмой, группировать ее, накапливать и удерживать длительное время. Задача достигается тем, что источник плазмы включает электронно-лучевую пушку и мишень из плазмообразующего материала, установленную перпендикулярно излучению электронно-лучевой пушки, при этом между пушкой и мишенью размещены цилиндрическая камера, соединенная с диффузором, и насадка в виде конфузора, причем диффузор и конфузор соединены между собой малыми основаниями, а на торцовой стенке цилиндрической камеры закреплен патрубок для ввода излучения из электронно-лучевой трубки в диффузор, при этом патрубок выполнен в виде усеченного конуса, вершина которого пространственно совмещена с торцовым сечением диффузора, а в стенке цилиндрической камеры выполнены два сквозных отверстия. На фиг. 1 приведена конструкция, плазменного устройства; на фиг. 2 плазменный сгусток во внутреннем объеме устройства. Устройство состоит из диффузора 1, соединенного малым основанием 2 с конфузором 3, камеры 4 с отверстиями 5 и 6, верхней стенки 7, в которую вставлен патрубок 8, выполненный в виде усеченного конуса с вершиной 9, закрепленный с помощью гаек 10, камеры 11 с отверстиями 12 для дополнительной откачки внутреннего объема устройства, хомуте 13 с крепежными элементами 14, электронно-лучевой пушки 15, внутреннего отверстия конической формы 16 в патрубке с сужающейся наружной поверхностью 17, вакуумного объема (камеры) 18, мишени 20 и подвижного стола 21. Устройство включается и работает в следующей последовательности. Первоначально патрубок 8 устанавливается в устройстве таким образом, чтобы вершина 9 усеченного конуса совместилась с малым основанием 2 диффузора 1. Затем включаются откачные агрегаты (не показаны). Одновременно откачивается электронно-лучевая пушка до давления 6,65

установка с источником "КАФА-270" с ЭЛА 60/60;
ускоряющее напряжение 60 кВ;
рабочий ток 200 мА;
обрабатываемый материал АМг 6;
скорость движения детали 35 м/ч;
время удержания плазменного сгустка 30 мин;
давление в камере 6,65 Па;
температура стенок ловушки 205оС. Температура парового потока измерялась пирометром, использующим инфракрасное излучение. Известно, что температура паровой фазы материла АМг6 примерно равна 2440оС. Для регистрации формирования плазменного сгустка и его удержания внутри конфузора была использована скоростная киносъемка. В диффузоре 3 были для этой цели выполнены пазы, через которые в смотровое окно установки производилась киносъемка, а затем были выполнены фотографии плазменного сгустка, удерживаемого внутренним объемом устройства. Таким образом, практическая реализация изобретения очевидна. Процесс накопления и удержания плазмы может быть использован в плазменных устройствах, в которых необходимо поддерживать высокую плотность плазменного сгустка длительный период времени при обработке рабочей мишени электронным пучком.
Класс H05H1/00 Получение плазмы; управление плазмой