способ выращивания рассады огурца

Формула изобретения

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАССАДЫ ОГУРЦА преимущественно методом многоярусной узкостеллажной гидропоники, включающий посев, уход за растениями, последующий перенос растений на постоянное место роста, отличающийся тем, что при уходе за растениями после появления двух боковых побегов производят прищипку верхушки растения, после появления по одному листу на каждом из боковых побегов их подвергают пришепке, выращивают растения до появления на каждом боковом побеге по два побега второго порядка с одним листом на побеге, после чего проводят прищипку по одному побегу второго порядка и выращивают растения до появления по два боковых побега третьего порядка с одним листом на каждом из них на прищипнутых побегах второго порядка.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к способам выращивания растений, конкретно к способам выращивания огурцов в гидропонных установках, а именно методом многоярусной узкостеллажной гидропоники.

Известен способ выращивания рассады огурца, включающий посев, уход за растениями, последующий перенос растений на постоянное место роста. Этот способ предусматривает дальнейшее формирование ценоза без ограничения высоты. Такой способ позволяет достичь урожайности огурцов не более 300-500 кг/м² в год.

Была поставлена задача разработки способа выращивания рассады огурцов, который позволил бы обеспечить повышенную урожайность огурцов.

В способе выращивания рассады огурца, включающем посев, уход за растениями, последующий перенос растений на постоянное место роста, согласно изобретению, при уходе за растениями после появления двух боковых побегов производят прищипку верхушки растения, после появления по одному листу на каждом из боковых побегов их подвергают прищипке, после чего выращивают растения до появления на каждом из боковых побегов по два боковых побега второго порядка с образованием на боковых побегах второго порядкам по одному листу, после чего на каждом из двух боковых побегов подвергают прищипке по одному боковому побегу второго порядка и выращивают растения по появления на подвергнутых прищипке боковых побегах второго порядка по два боковых побега третьего порядка с одним листом на каждом из них.

Прищипка верхушки растений, прищипка верхушек боковых побегов позволяет осуществить технический эффект, заключающийся в разветвлении растения для последующего придания ему необходимой формы, обеспечивающей максимальное использование объема теплицы, равномерное освещение участков растений, интенсификацию продукционного процесса, и, как следствие, максимальную урожайность.

В предложенном способе производят отбор растений, удовлетворяющих указанным выше признакам. Отобранные растения переносят на постоянное место роста, а остальные растения отбраковывают.

На фиг.1 показано растение огурца 1, содержащее корень 2, два семядольных листа 3, подвергнутую прищипке верхушку 4, два подвергнутых прищипке боковых побега 5 и 6, каждый из которых имеет по одному настоящему листу соответственно 7 и 8.

На фиг. 2а показано дальнейшее развитие растений. На каждом из боковых побегов 5 и 6 появляются соответственно по два боковых побега второго порядка 9 и 10, 11 и 12. На каждом из побегов второго порядка 10 и 12 образовалось по одному листу 13 и 14. Боковые побеги 10 и 12 подвергнуты прищипке. На них образовалось по два боковых побега третьего порядка, соответственно 15 и 16, 17 и 18. На этих побегах образовалось по одному листу 19, 20, 21 и 22. На двух других побегах второго порядка 9 и 10 образовалось только по одному листу 23 и 24. На этой стадии производят перенос растений на постоянное место роста.

На фиг.2б показано растение, подлежащее отбраковке.

П р и м е р 1. Выращивание сеянцев огурца на многоярусных узкостеллажных гидропонных установках выполняли в теплице блочного типа с пролетом 6,4 м, оснащенной специальными автоматизированными растворными узлами с дифференцированным регулированием концентрации и кислотности рабочего раствора, облучателями типа ОТ-200, ОТ-300, ОТ-600 с лампами ДРИ-2000-6, ДМЗ-3000, ДМ4-3000, ДМ4-6000, применяемых в составе облучательных установок Свет 3-3000, УОРТУ-2-3000-1, УОРТ1-6000, УОРТ3-3000. Гидропонные установки имели базу 0,9-1,4 м, высоту 2,0 м.

В горшки для выращивания растений, установленные в лотках, закрепленных на ригелях гидропонной установки, высаживали семена огурца сорта "Кустовой". После появления двух боковых побегов верхушку растения прищипывали. Каждый из двух боковых побегов прищипывали после появления по одному настоящему листу на них. На 9 день после высаживания семян отбирали растения, содержащие по два боковых побега, каждый из которых имеет по одному настоящему листу. Сеянцы, не удовлетворяющие этому условию, удаляют.

Отобранные сеянцы выращивают дальше по следующей методике. На каждом из боковых побегов образуются по два боковых побега второго порядка, на каждом из которых образовалось по одному листу. После этого прищипывают по одному боковому побегу второго порядка для каждого из боковых побегов и на них образуется по два боковых побега третьего порядка. На каждом из боковых побегов третьего порядка появляется по одному листу. На этой стадии производят отбор рассады и перенос ее на постоянное место роста. Растения, не удовлетворяющие указанным признакам, удаляли.

Дальнейшее выращивание растений производили по следующей методике. На каждом из побегов третьего порядка появилось еще по одному листу и по два плода, а также еще по листу на не подвергнутых прищипке побегах второго порядка. Густота посадки 28 растений/м²; продолжительность оборота 38 сут; количество оборотов в год 9; продуктивность ценоза 950 кг/м² в год.

П р и м е р 2. Выращивание огурцов производили по прототипу. Продуктивность ценоза 350 кг/м² в год.

П р и м е р 3. Выращивание огурцов производили по прототипу, но с использованием многоярусных узкостеллажных гидропонных установок. Урожайность 480 кг/м² в год.

Таким образом, предложенный способ позволяет обеспечить повышенную урожайность огурцов.